本发明涉及晶圆切割保护膜，具体涉及晶圆切割pvc保护膜。
背景技术：
1、晶圆是硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，硅晶片可经加工制作成各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品。在半导体制造过程中，将半导体晶圆固定在晶圆切割保护膜上，对晶圆进行设计加工，再进行分段和减薄加工，然后通过切割将晶圆分成较小的晶片，通过粘结将晶片粘附到支撑元件上，可制作得到所需芯片；
2、现有技术cn113214572 b公开了一种电子元件pvc保护膜，涉及高分子材料技术领域。本发明所述电子元件pvc保护膜包含如下重量份的成分：pvc树脂粉100份、普通增塑剂18～26份、直链型增塑剂6～14份、弹性体6～9份和环氧大豆油0～4份；
3、现有的pvc保护膜，其一存在不耐高温问题：pvc薄膜在高温环境下可能会软化变形；其二存在抗黄变能力差：pvc抗氧能力差，几乎没有什么抗黄变能力，容易发黄；所以如何基于对pvc改性，同时提高耐高温和抗氧化性能，进而来晶圆切割pvc保护膜的性能，是目前急需要解决的问题。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供晶圆切割pvc保护膜，本发明所解决的技术问题为：其一存在不耐高温问题：pvc薄膜在高温环境下可能会软化变形；其二存在抗黄变能力差：pvc抗氧能力差，几乎没有什么抗黄变能力，容易发黄。
2、本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
3、晶圆切割pvc保护膜，包括如下重量份的成分：改性聚氯乙烯100份、普通增塑剂20份、直链型增塑剂12份、弹性体7-9份和环氧大豆油1-3份；包括以下步骤：
4、改性聚氯乙烯的制备工艺，包括以下步骤：
5、步骤1：将2,6-二叔丁基对甲酚，亚硝酸钠，1-氯丙醇，乙酸混合搅拌，并在温度75℃条件下，反应8-10h，得到中间体1；
6、反应过程如下：
7、
8、步骤2：在冰水浴条件下，将正丁基锂混合溶液逐滴加入到间位碳硼烷混合溶液，滴加完成之后撤去冰水浴，室温下继续反应4小时；
9、再在冰水浴条件下，加入碳酸铯和碘化亚铜，继续反应30分钟，再加入吡啶，继续反应30分钟，缓慢加入中间体1，控制温度100℃回流反应24小时；得到中间体2；
10、反应过程如下：
11、
12、其中，r为间位碳硼烷；
13、步骤3：在冰水浴条件下，向中间体2加入碳酸铯和碘化亚铜，继续反应30分钟，再加入吡啶，继续反应30分钟，缓慢加入聚氯乙烯，控制温度100℃回流反应24小时，得到改性聚氯乙烯；
14、反应过程如下：
15、
16、作为本发明进一步的方案：在步骤1中，控制2,6-二叔丁基对甲酚，亚硝酸钠，1-氯丙醇，乙酸的用量比为1-1.2mol：1-2g：1mol：20-24ml。
17、作为本发明进一步的方案：在步骤2中，控制间位碳硼烷、超干乙二醇二甲醚、正丁基锂、碳酸铯、碘化亚铜、吡啶、中间体1的用量比为5mmol：8ml：4.6-6.4ml：11mmol：3.07mmol：11mmol：3-5ml：5mmol。
18、作为本发明进一步的方案：在步骤3中，控制中间体2、碳酸铯、碘化亚铜、吡啶、聚氯乙烯的用量比为5mmol：3.07mmol：11mmol：3-5ml：5mmol。
19、作为本发明进一步的方案：正丁基锂混合溶液的制备过程为：
20、在氮气保护条件下，将间位碳硼烷与超干乙二醇二甲醚混合搅拌，得到间位碳硼烷混合溶液。
21、作为本发明进一步的方案：间位碳硼烷混合溶液的制备过程为：
22、在氮气保护条件下，正丁基锂与正己烷溶液溶解，制备得到质量分数为5.7％的正丁基锂混合溶液。
23、作为本发明进一步的方案：普通增塑剂为邻苯二甲酸二异壬酯或对苯二甲酸二辛酯。
24、作为本发明进一步的方案：直链型增塑剂为邻苯二甲酸二壬酯。
25、作为本发明进一步的方案：弹性体包含乙烯-醋酸乙烯共聚物。
26、作为本发明进一步的方案：晶圆切割pvc保护膜的厚度为60-100微米。
27、本发明的有益效果：
28、本发明以2,6-二叔丁基对甲酚、1-氯丙醇为原料通过催化氧化制备得到受阻酚类抗氧剂的中间体1；以间位碳硼烷与正丁基锂反应得到中间产物，然后中间产物中的li原子与中间体1其中的一个cl原子发生取代，得到碳硼烷衍生物(该碳硼烷具有较小的空间位阻使其更易引入聚合物主链，得到更高分子量的聚合物，更高的分子量往往使材料表现出更好的耐高温性能)的中间体2，该中间体2不仅含有受阻酚类抗氧剂结构，还含有碳硼烷结构，使得该中间体2兼具着耐氧化和耐高温性能；
29、以中间体2和中间体3为原料，使得中间体2中的li原子与中间体3另一个cl原子发生取代，得到改性聚氯乙烯；本发明将具备耐氧化和耐高温性能的中间体2接枝在聚氯乙烯上，使得得到的改性聚氯乙烯具有很好的耐氧化和耐高温性能；
30、本发明以改性聚氯乙烯为基料，制备得到晶圆切割pvc保护膜，使得最终得到的晶圆切割pvc保护膜具有很好的耐氧化和耐高温性能。
1.晶圆切割pvc保护膜，包括如下重量份的成分：改性聚氯乙烯100份、普通增塑剂20份、直链型增塑剂12份、弹性体7-9份和环氧大豆油1-3份；其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，在步骤1中，控制2,6-二叔丁基对甲酚，亚硝酸钠，1-氯丙醇，乙酸的用量比为1-1.2mol：1-2g：1mol：20-24ml。
3.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，在步骤2中，控制间位碳硼烷、超干乙二醇二甲醚、正丁基锂、碳酸铯、碘化亚铜、吡啶、中间体1的用量比为5mmol：8ml：4.6-6.4ml：11mmol：3.07mmol：11mmol：3-5ml：5mmol。
4.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，在步骤3中，控制中间体2、碳酸铯、碘化亚铜、吡啶、聚氯乙烯的用量比为5mmol：3.07mmol：11mmol：3-5ml：5mmol。
5.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，正丁基锂混合溶液的制备过程为：
6.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，间位碳硼烷混合溶液的制备过程为：
7.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，普通增塑剂为邻苯二甲酸二异壬酯或对苯二甲酸二辛酯。
8.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，直链型增塑剂为邻苯二甲酸二壬酯。
9.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，弹性体包含乙烯-醋酸乙烯共聚物。
10.根据权利要求1所述的晶圆切割pvc保护膜,其特征在于，晶圆切割pvc保护膜的厚度为60-100微米。
