本技术涉及igbt焊接，具体涉及一种igbt组件的焊接方法、装置及其产成品。
背景技术：
1、igbt(绝缘栅双极晶体管/insulate-gate bipolar transistor)综合了电力晶体管(giant transistor—gtr)和电力场效应晶体管(power mosfet)的优点，具有良好的特性。随着电气时代的不断发展，适配于小电流、小电压的mos管以及适配于大电流的三极管，无法满足大电压、大电流高速开关的应用场景，例如电动汽车、家电、工业控制系统、光伏、轨道交通等。此时，结合两者优势的igbt应运而生，其具有驱动功率小、开关速度快饱和压降低而容量大的优点。
2、现有技术中igbt组件的焊接多采用锡膏配合甲酸真空回流炉的方式进行焊接；但是这种焊接方式，一方面锡膏焊接易产生锡珠、焊接质量不高；另一方面，在使用锡片焊接igbt组件时，igbt和陶瓷片或陶瓷片与散热板之间贴合过于紧密，不易于甲酸的浸润还原，导致拒焊、焊接强度不高、空洞率大等技术问题。而igbt的焊接又与其他晶体管不同，由于其性能的需求，对焊接处金属纯度以及空洞率有较严格的要求。综合这些因素，现有技术中igbt组件的焊接良品率不高。
技术实现思路
1、本技术针对现有技术中锡膏配合甲酸/或真空回流炉焊接的igbt组件空洞率高、焊接处溢锡多等缺点，提供了一种igbt组件的焊接方法、装置及其产成品，至少具有焊接强度高、空洞率低、焊接处金属纯度高的优点。
2、第一方面
3、本技术提供了一种igbt组件的焊接方法，包括以下步骤：s1、在散热板上涂抹锡膏或放置第一焊片，并贴陶瓷片；s2、过甲酸回流炉，焊接所述陶瓷片；s3、至少设置一处点锡膏于所述陶瓷片，并将第二焊片放置于所述点锡膏；s4、将igbt放置于所述第二焊片，过甲酸回流炉，焊接所述igbt，形成igbt组件。
4、具体的，本技术的主要构思之一在于通过焊片和焊接顺序的设计，提供一种igbt组件高良品率的igbt组件的焊接方法。其中，所述散热板包括水冷、风冷等任一种板体。在所述步骤s1中锡膏为高温锡膏，熔点≥205℃。。所述陶瓷片包括dbc铜覆板。所述第一焊片、第二焊片为锡片。值得说明的是，本技术不同于现有技术中先焊接所述igbt和陶瓷片形成半成品，再采用导热泥将半成品粘合于散热板，形成igbt组件的做法，而是提供了一种双面焊接的方式。所述散热片与陶瓷片之间通过锡膏或第一焊片焊接，相较于传统的导热泥具有导热性能好、igbt利用率高的优点。此外，在所述igbt与陶瓷片的焊接过程中，先在所述陶瓷片上设置点锡膏，然后放置第二焊片，从而能够有效增大第二焊片与所述陶瓷片之间的间隙，从而使得甲酸可充分的对所述陶瓷片进行浸润还原，提高两者的焊接强度以及陶瓷片的金属纯度，进而达到降低空洞率、提高焊接质量的目的。
5、此外，所述陶瓷片、igbt均包括定位治具，用于其放置涂抹锡膏、第一焊片、点锡膏以及第二焊片时的定位。
6、进一步的，包括步骤s5：s5、所述igbt组件包括温传针和/或温传电阻，涂抹锡膏于所述陶瓷片，放置所述温传针和/或温传电阻，过甲酸回流炉。
7、进一步的，所述点锡膏为熔点≥205℃的高温锡膏。
8、具体的，所述点锡膏与步骤s1和步骤s5中锡膏的成分一致，其熔点均大于205℃，用于降低焊接成本。进而，本技术的点锡膏可在甲酸还原温度150℃-200℃时不熔融，对锡片进行临时支撑，利于甲酸对所述陶瓷片的浸润还原，提高陶瓷片的金属纯度、降低焊接的空洞率，提升焊接强度。
9、进一步的，所述点锡膏的熔点小于igbt可接受的最高炉温，可有效避免高温下所述igbt的塑封分层失效。
10、进一步的，步骤s4包括：s41、将所述甲酸回流炉的温度提升至150℃-200℃，并维持预设时间；s42、提升所述甲酸回流炉的温度至235℃-245℃。
11、具体的，本技术通过步骤s41使甲酸充分对所述陶瓷片浸润还原，然后通过步骤s42对所述点锡膏和第二焊片熔融，完成焊接。
12、进一步的，235℃-245℃的取值区间可基于igbt可接受的最高炉温进行调整。
13、进一步的，步骤s41包括：s411、在所述预设时间的持续区间，甲酸气体通入压力为300mbar-800mbar，持续时间为60s-120s。
14、具体的，甲酸的流速在所述预设时间内呈现抛物线性，用于使甲酸与所述陶瓷片充分的浸润还原。
15、在一些实施例，所述第一焊片和/或第二焊片的四角弯折，并朝向所述陶瓷片和/或所述igbt。
16、具体的，通过所述第一焊片和第二焊片的弯折操作，可有效提升甲酸的浸润时间，降低焊接的空洞率。
17、进一步的，在步骤s1所述散热板放置第一焊片后，设置点锡膏，再贴陶瓷片，用于提升所述陶瓷片的双面焊接的焊接质量。
18、在一些实施例，所述点锡膏为点状，设置于所述第二焊片的放置范围内。
19、进一步的，所述第二焊片朝向所述陶瓷片的方向内折，形成折弯区，所述折弯区设置于所述点锡膏之间。
20、第二方面
21、本技术提供了一种igbt组件的焊接装置，用于实现如第一方面任一实施例提供的所述一种igbt组件的焊接方法，包括：甲酸回流炉：用于提供真空甲酸回流焊；定位治具：用于在过所述甲酸回流炉之间，定位所述陶瓷片和igbt；组装设备：用于放置所述锡膏、点锡膏、第一焊片、第二焊片、陶瓷片、igbt、温传针和温传组件。
22、具体的，本技术提供的装置可用于陶瓷片、igbt的手动、半自动和全自动操作，用于本技术提供的所述igbt组件的焊接。
23、第三方面
24、本技术提供了一种igbt组件的产成品，使用了如第一方面任一实施例提供的所述一种igbt组件的焊接方法，从而使本技术提供的igbt组件具有导热效果好、焊接强度高、空洞率低等优点。
25、综上所述，本技术提供了一种igbt组件的焊接方法、装置及其产成品，至少具有以下优点：
26、1、本技术所述散热片与陶瓷片之间通过锡膏或第一焊片焊接，相较于传统的导热泥具有导热性能好、igbt利用率高的优点。此外，在所述igbt与陶瓷片的焊接过程中，先在所述陶瓷片上设置点锡膏，然后放置第二焊片，从而能够有效增大第二焊片与所述陶瓷片之间的间隙，从而使得甲酸可充分的对所述陶瓷片进行浸润还原，提高两者的焊接强度以及陶瓷片的金属纯度，进而达到降低空洞率、提高焊接质量的目的；
27、2、所述点锡膏与步骤s1和步骤s5中锡膏的成分存在差异，所述点锡膏与步骤s1和步骤s5中锡膏的成分一致，其熔点均大于205℃，用于降低焊接成本。进而，本技术的点锡膏可在甲酸还原温度150℃-200℃时不熔融，对锡片进行临时支撑，利于甲酸对所述陶瓷片的浸润还原，提高陶瓷片的金属纯度、降低焊接的空洞率，提升焊接强度；
28、3、通过所述第一焊片和第二焊片的弯折操作，可有效提升甲酸的浸润时间，降低焊接的空洞率。
1.一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，包括步骤s5：
3.如权利要求1或2所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，所述点锡膏(2)为熔点≥205℃的高温锡膏。
4.如权利要求3所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，步骤s4包括：
5.如权利要求4所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，步骤s41包括：
6.如权利要求3所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，所述第一焊片(3)和/或第二焊片(5)的四角弯折，并朝向所述陶瓷片(4)和/或所述igbt(6)。
7.如权利要求3所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，所述点锡膏(2)为点状，设置于所述第二焊片(5)的放置范围内。
8.如权利要求7所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，所述第二焊片(5)朝向所述陶瓷片(4)的方向内折，形成折弯区，所述折弯区设置于所述点锡膏(2)之间。
9.一种igbt组件的焊接装置，用于实现如权利要求1-8任一项所述一种igbt组件的焊接方法，其特征在于，包括：
10.一种igbt组件的产成品，其特征在于，使用了如权利要求1-8任一项所述一种igbt组件的焊接方法。
