本发明属于存储，特别涉及一种存储芯片的分级方法及分级系统。
背景技术：
1、在对存储芯片进行分级时，依据存储芯片的应用领域，可以将存储芯片分为消费级、工规级、车规级、军工级以及航天级。且从消费级至航天级，对于存储芯片的稳定性需求逐步增加，使得存储芯片对温度的耐受程度更宽。
2、而在对存储芯片进行分级时，通常使用错误位数，读写数据的时间或者擦除数据的时间来对存储芯片进行分级。但是这些参数可以部分表征闪存的质量，可以衡量存储芯片早期的差异，但是无法评估存储芯片整个生命周期的差异性，进而影响分级结果的准确性。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种存储芯片的分级方法及分级系统，可解决分级结果的准确性的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供一种存储芯片的分级方法及分级系统，且所述存储芯片的分级方法至少包括以下步骤：
3、对存储芯片进行擦写，并获取每批所述存储芯片的闪存阈值电压宽度；
4、将所有所述存储芯片依照所述闪存阈值电压宽度，按预设比例分级；
5、对每个级别中的所述存储芯片进行验证；
6、调整每个所述存储芯片的分级时的预设比例，获取每个级别中所述存储芯片对应的最佳闪存阈值电压宽度，并将所述最佳闪存阈值电压宽度作为每个级别的分级标准；以及
7、依据所述分级标准对所述存储芯片进行分级。
8、在本发明一实施例中，依据所述存储芯片的数量与读取电压之间的关系图获取所述闪存阈值电压宽度。
9、在本发明一实施例中，依据错误位数数量与读取电压的关系图，获取所述闪存阈值电压宽度。
10、在本发明一实施例中，当依据错误位数数量与读取电压的关系图，获取所述闪存阈值电压宽度时，所述分级方法包括以下步骤：
11、将所述错误位数数量与所述读取电压的关系曲线与纵坐标为预设值的线段相交时两个交点之间的宽度作为所述闪存阈值电压宽度。
12、在本发明一实施例中，所述纵坐标为预设值的线段为横轴，则将所述错误位数数量与所述读取电压的关系曲线与重叠的宽度作为所述闪存阈值电压宽度。
13、在本发明一实施例中，在获取每批所述存储芯片的闪存阈值电压宽度时，依据一个所述存储芯片的数量与读取电压之间的关系图，或一个错误位数数量与所述读取电压的关系图，获取多个闪存阈值电压宽度，在所述多个闪存阈值电压宽度中选取最小的所述闪存阈值电压宽度作为该批所述存储芯片的闪存阈值电压宽度。
14、在本发明一实施例中，在每个级别中，获取所述分级标准包括以下步骤：依照所述闪存阈值电压宽度从大到小的顺序，将预设比例的所述存储芯片选为设定级别的存储芯片。
15、在本发明一实施例中，在每个级别中，获取所述分级标准还包括以下步骤：将所述预设比例的所述存储芯片进行相应设定级别的全寿命周期的验证，并判断所有的所述存储芯片是否通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证。
16、在本发明一实施例中，在每个级别中，获取所述分级标准还包括以下步骤：若所有的所述存储芯片通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，则增大预设比例的值，并重复对所述存储芯片进行所述相应设定级别的全寿命周期的验证，直至存在所述存储芯片无法通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，将最后一次验证通过时，划分预设比例的所述闪存阈值电压宽度作为所述最佳闪存阈值电压宽度。
17、在本发明一实施例中，若存在所述存储芯片无法通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，则减小预设比例的值，并重复对所述存储芯片进行所述相应设定级别的全寿命周期的验证，直至存在所述存储芯片全部通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，将所述存储芯片全部验证通过时，划分预设比例的所述闪存阈值电压宽度作为所述最佳闪存阈值电压宽度。
18、本发明还提供一种存储芯片的分级系统，且所述分级系统包括：
19、存储器，存储有程序指令；以及
20、处理器，运行所述程序指令实现如上所述的储芯片的分级方法。
21、综上所述，本发明提供的一种存储芯片的分级方法及分级系统，依据存储芯片的读取电压获取闪存阈值电压宽度，并依据闪存阈值电压宽度对存储芯片分级，可以对存储芯片进行准确分级，提供了一个准确的分级方法，建立了权威的分级标准。依据错误位数数量与读取电压的关系图获取阈值电压宽度，可避免实际依据存储单元数量和读取电压关系图获取阈值电压宽度时无法准确获取阈值电压宽度的问题。
1.一种存储芯片的分级方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，依据所述存储芯片的数量与读取电压之间的关系图获取所述闪存阈值电压宽度。
3.根据权利要求1所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，依据错误位数数量与读取电压的关系图，获取所述闪存阈值电压宽度。
4.根据权利要求3所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，当依据错误位数数量与读取电压的关系图，获取所述闪存阈值电压宽度时，所述分级方法包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，所述纵坐标为预设值的线段为横轴，则将所述错误位数数量与所述读取电压的关系曲线与重叠的宽度作为所述闪存阈值电压宽度。
6.根据权利要求2或3所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，在获取每批所述存储芯片的闪存阈值电压宽度时，依据一个所述存储芯片的数量与读取电压之间的关系图，或一个错误位数数量与所述读取电压的关系图，获取多个闪存阈值电压宽度，在所述多个闪存阈值电压宽度中选取最小的所述闪存阈值电压宽度作为该批所述存储芯片的闪存阈值电压宽度。
7.根据权利要求1所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，在每个级别中，获取所述分级标准包括以下步骤：依照所述闪存阈值电压宽度从大到小的顺序，将预设比例的所述存储芯片选为设定级别的存储芯片。
8.根据权利要求7所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，在每个级别中，获取所述分级标准还包括以下步骤：将所述预设比例的所述存储芯片进行相应设定级别的全寿命周期的验证，并判断所有的所述存储芯片是否通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证。
9.根据权利要求8所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，在每个级别中，获取所述分级标准还包括以下步骤：若所有的所述存储芯片通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，则增大预设比例的值，并重复对所述存储芯片进行所述相应设定级别的全寿命周期的验证，直至存在所述存储芯片无法通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，将最后一次验证通过时，划分预设比例的所述闪存阈值电压宽度作为所述最佳闪存阈值电压宽度。
10.根据权利要求8所述的一种存储芯片的分级方法，其特征在于，若存在所述存储芯片无法通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，则减小预设比例的值，并重复对所述存储芯片进行所述相应设定级别的全寿命周期的验证，直至存在所述存储芯片全部通过所述相应设定级别的全寿命周期的验证，将所述存储芯片全部验证通过时，划分预设比例的所述闪存阈值电压宽度作为所述最佳闪存阈值电压宽度。
11.一种存储芯片的分级系统，其特征在于，所述分级系统包括：
