本发明涉及一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法。
背景技术：
1、碳化硅mosfet是碳化硅功率器件的典型代表，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。碳化硅vdmos器件卓越的开关特性在高频应用中尤为明显，随着开关频率地提高，在一定工作频率下器件的驱动损耗和导通损耗可以相比拟，驱动损耗成为器件损耗不可忽视的一部分，降低器件驱动损耗在碳化硅器件中更为重要。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题，在于提供一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法，降低器件驱动电压以及驱动损耗。
2、第一方面，本发明提供了一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，包括如下步骤：
3、步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；
4、步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成电流重新分配层；
5、步骤3、去除原阻挡层，在漂移层以及电流重新分配层上外延生长漂移层；
6、步骤4、在漂移层上进行离子注入，在漂移层内形成第一p型阱区；
7、步骤5、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，在第一p型阱区内形成第二p型阱区；
8、步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成p型源区；
9、步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成n型源区；
10、步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层、第二p型阱区以及第一p型阱区，形成凹槽，在凹槽内进行干氧氧化，形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；
11、步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；
12、步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备。
13、第二方面，本发明提供了一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos，所述碳化硅vdmos采用第一方面所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法制备得到。
14、本发明的优点在于：
15、一、器件在沟槽栅vdmos器件结构的基础上构建了双p型阱区结构，第二p型阱区低掺杂，降低了器件栅极控制反型的阱区总的电荷数，能有效降低器件的反型平衡电压，降低器件驱动电压；
16、二、在器件碳化硅衬底上方构建了电流重新分配层，减小了器件的栅漏电容，可以有效降低器件栅电荷，降低器件驱动损耗；
17、三、器件的电流重新分配层分布在栅极正下方和左右两侧，可以将栅极左右两侧的电流在漏极重新横向分配到器件整个区域，有均流的作用；
18、四、器件的电流重新分配层还能是漏极电流向电流重新分布区域集中，避免漏极大电流对器件栅极拐角处的冲击，提高器件栅极可靠性。
1.一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述第一p型阱区的掺杂浓度大于第二p型阱区的掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述第二p型阱区的下侧面与所述栅极金属层的下侧面位于同一平面。
4.如权利要求1所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述电流重新分配层的厚度为290-310nnm。
5.如权利要求1所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述电流重新分配层包括第一分配区、第二分配区以及第三分配区，所述第一分配区、第二分配区以及第三分配区间隔设置，且所述第二分配区设于所述栅介质层正下方，且所述第二分配区的宽度等于所述栅介质层的宽度。
6.如权利要求1所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述电流重新分配层、碳化硅衬底以及漂移层均为n型。
7.如权利要求1所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为2e18cm-3，所述漂移层的掺杂浓度为5e16cm-3，所述电流重新分配层的掺杂浓度为5e17cm-3，所述第一p型阱区的掺杂浓度为1e17 cm-3，所述第二p型阱区的掺杂浓度为5e17 cm-3，所述n型源区的掺杂浓度为5e18cm-3。
8.如权利要求1所述的一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅vdmos，其特征在于，所述碳化硅vdmos为权利要求1至权利要求7任意一项制备方法制备得到。
