eFuse结构、存储器及应用电路的制作方法
本发明涉及efuse，具体涉及一种efuse结构、存储器及应用电路。
背景技术：
1、电熔丝(efuse)形成的efuse结构，不仅可以实现一次性编程，还可以充电保险丝，对所在电路进行保护，避免电路中其它功能被影响。
2、然而，现有efuse结构，虽然可以实现一次性编程，但在充电保险丝时，只能对电路中较大的电流进行监测，无法实现对较小电流的监测，故无法用于精密系统的熔断。
技术实现思路
1、本发明要解决的问题是：实现对较小电流的监测，以用于精密系统的熔断。
2、为解决上述问题，本发明实施例提供了一种efuse结构，所述efuse结构包括：
3、bjt晶体管组，所述bjt晶体管组包括至少一个bjt晶体管；
4、以及与所述bjt晶体管组连接的电熔丝；
5、基于所述bjt晶体管组中bjt晶体管的电流放大特性，控制电熔丝是否熔断。
6、可选地，所述bjt晶体管组仅包括一个bjt晶体管。
7、可选地，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中晶体管的发射极。
8、可选地，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中晶体管的集电极连接。
9、可选地，所述bjt晶体管组包括两个以上串联连接的bjt晶体管。
10、可选地，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中末尾bjt晶体管的发射极连接。
11、可选地，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中所有bjt晶体管的集电极连接。
12、可选地，所述efuse结构还包括：匹配电阻，与所述bjt晶体管组连接，用于为所述bjt晶体管组各bjt晶体管中未与电源电压输入端连接的pn结提供导通电压。
13、可选地，所述匹配电阻位于所述bjt晶体管组中首个bjt晶体管的基极与末尾bjt晶体管的发射极之间。
14、可选地，所述匹配电阻位于所述bjt晶体管组中首个bjt晶体管的基极与各bjt晶体管的集电极之间。
15、可选地，所述bjt晶体管组中晶体管均为pnp型晶体管，或者均为npn型晶体管。
16、本发明实施例还提供了一种存储器，所述存储器包括存储阵列，所述存储阵列是由若干上述任一种的efuse结构作为存储单元呈阵列分布所形成的。
17、本发明实施例还提供了一种应用电路，所述应用电路包括上述任一种所述的efuse结构；所述efuse结构，适于监测所述bjt晶体管组的首个bjt晶体管的基极电流大小，并基于监测结果进行熔断保护
18、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
19、应用本发明的方案，efuse结构包括bjt晶体管组及电熔丝，基于所述bjt晶体管组中bjt晶体管的电流放大特性，控制电熔丝是否熔断。由于bjt晶体管本身具有电流放大特性，基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，由此利用bjt晶体管形成的efuse结构，不仅可以实现一次性编程，而且可以检测较小电流，能够用于精密系统的熔断。另外，对于具有相同熔断电流的电熔丝，由于bjt晶体管本身的电流放大特性，可以减少bjt晶体组中bjt晶体管的数量，即使用很少的bjt晶体管，就能使得相同熔断电流的电熔丝熔断，从而可以减小efuse结构占用的电路面积。
技术特征：
1.一种efuse结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的efuse结构，其特征在于，所述bjt晶体管组仅包括一个bjt晶体管。
3.如权利要求2所述的efuse结构，其特征在于，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中晶体管的发射极。
4.如权利要求2所述的efuse结构，其特征在于，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中晶体管的集电极连接。
5.如权利要求1所述的efuse结构，其特征在于，所述bjt晶体管组包括两个以上串联连接的bjt晶体管。
6.如权利要求5所述的efuse结构，其特征在于，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中末尾bjt晶体管的发射极连接。
7.如权利要求5所述的efuse结构，其特征在于，所述电熔丝与所述bjt晶体管组中所有bjt晶体管的集电极连接。
8.如权利要求1所述efuse结构，其特征在于，还包括：匹配电阻，与所述bjt晶体管组连接，用于为所述bjt晶体管组各bjt晶体管中未与电源电压输入端连接的pn结提供导通电压。
9.如权利要求8所述的efuse结构，其特征在于，所述匹配电阻位于所述bjt晶体管组中首个bjt晶体管的基极与末尾bjt晶体管的发射极之间。
10.如权利要求8所述的efuse结构，其特征在于，所述匹配电阻位于所述bjt晶体管组中首个bjt晶体管的基极与各bjt晶体管的集电极之间。
11.如权利要求1所述的efuse结构，其特征在于，所述bjt晶体管组中晶体管均为pnp型晶体管，或者均为npn型晶体管。
12.一种存储器，其特征在于，包括存储阵列，所述存储阵列是由若干权利要求1至11任一项所述的efuse结构作为存储单元呈阵列分布所形成的。
13.一种应用电路，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的efuse结构；所述efuse结构，适于监测所述bjt晶体管组的首个bjt晶体管的基极电流大小，并基于监测结果进行熔断保护。
技术总结
一种eFuse结构、存储器及应用电路。所述eFuse结构包括：BJT晶体管组，所述BJT晶体管组包括至少一个BJT晶体管；以及与所述BJT晶体管组连接的电熔丝；基于所述BJT晶体管组中BJT晶体管的电流放大特性，控制电熔丝是否熔断。采用上述方案，实现对较小电流的监测，以用于精密系统的熔断。
技术研发人员：曾宗康,渠超越,张雅,王一森,徐艺凡
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23