一种加热盘组件及半导体镀膜设备的制作方法

本申请涉及半导体薄膜气相沉积，例如涉及一种加热盘组件及半导体镀膜设备。

背景技术：

1、目前，原子层沉积(atomic layer deposition，ald)薄膜沉积技术是一种利用衬底表面上前驱体的表面饱和反应所产生的化学吸附和脱附而形成单原子层的沉积技术，这项技术是将物质以单原子层的形式一层一层地沉积在衬底表面，并且通过控制反应周期数简单、精确地控制薄膜的厚度，形成不同厚度的原子层薄膜。

2、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：

3、现有的ald装置一般是将待加工件(即衬底)固定在加热盘上，加热盘通过进料通道进入ald装置的反应腔内，并且在镀膜工艺期间反应腔内需要保持真空状态。然而，在现有的ald装置中，其加热盘与反应腔内壁之间为直接的刚性接触，缺少对于加热盘和待加工件的保护性措施并且密封性较差，容易造成反应气体与衬底或上一原子层接触不均匀，从而导致最终生成的原子层薄膜不均匀，质量较差。

技术实现思路

1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

2、本公开实施例提供一种加热盘组件及半导体镀膜设备，以提高加热盘可靠性和密封性，从而提升原子层薄膜的均匀性和质量。

3、在一些实施例中，所述加热盘组件，包括：加热盘本体；密封连接件，设置于反应腔的内壁上，并与加热盘本体柔性限位连接，用以将反应腔与加热盘本体之间形成密封结构；以及，密封连接件与加热盘本体的表面呈相对间隔设置，用以在加热盘本体与密封连接件之间形成待加工件的限位空间。

4、可选地，在反应腔的内壁上形成有用以容纳加热盘本体的进料口；密封连接件，包括：密封部，设置于进料口的边缘并与加热盘本体的边缘柔性限位连接，并形成密封结构。

5、可选地，在加热盘本体的侧壁上设置有第一密封连接部，第一密封连接部与密封部柔性限位连接。

6、可选地，密封部包括：第二密封连接部，与加热盘本体的侧壁柔性限位连接，并与第一密封连接部的端部抵接；第三密封连接部，与反应腔的内壁柔性限位连接，并与第一密封连接部的侧部抵接；其中，第二密封连接部与第三密封连接部首尾相接，形成z字型结构。

7、可选地，反应腔包括：边缘凸出部，沿进料口的边缘呈凸出设置，并与第二密封连接部的侧部抵接；凹陷部，沿进料口的侧壁呈凹陷设置于边缘凸出部的下方，并与第三密封连接部的侧部抵接。

8、可选地，密封部还包括：唇边凸出部，沿第二密封连接部的端部以朝向第三密封连接部所在的方向呈凸出设置，并与边缘凸出部的表面抵接。

9、可选地，密封连接件位为由柔性材料构成的环形密封圈，用以形成柔性限位连接。

10、可选地，加热盘组件还包括：多个支撑件，每个支撑件限位安装在沿加热盘本体的表面分布的装配孔内，用以支撑承载于加热盘本体上的待加工件。

11、可选地，支撑件包括：支撑柱体；外衬套，限位装配于装配孔内，支撑柱体可升降安装在外衬套内；卡环套，沿外衬套的端部呈环形凸出设置，用以覆盖装配孔。

12、可选地，加热盘组件还包括：气流槽，开设于加热盘本体上并沿加热盘本体的中心区域向加热盘本体的边缘区域呈放射状分布。

13、可选地，气流槽包括：内环凹槽，设置于加热盘本体的中心区域；多个外环凹槽，沿内环凹槽的外侧呈放射状间隔设置；连接凹槽，连通内环凹槽与多个外环凹槽。

14、可选地，加热盘组件还包括：多个吸附孔，沿内环凹槽呈环形设置并与内环凹槽连通，用以抽吸反应腔内的反应气体

15、在一些实施例中，半导体镀膜设备，包括如本申请的加热盘组件，其中，半导体镀膜设备包括刻蚀设备、化学气相沉积设备或原子层沉积设备。

16、本公开实施例提供的加热盘组件及半导体镀膜设备，可以实现以下技术效果：

17、通过在加热盘与反应腔内壁之间设置密封连接件，该密封连接件设置于反应腔的内壁上并与加热盘本体柔性限位连接，能够将反应腔与加热盘本体之间形成密封结构，从而将加热盘与反应腔内壁之间为直接的刚性接触转变为柔性密封。同时，本申请的密封连接件通过与加热盘本体的表面呈相对间隔设置，可以在加热盘本体与密封连接件之间形成待加工件的限位空间，从而实现对待加工件的同步限位。这样，能够提高加热盘的可靠性和密封性，从而进一步提高反应气体与衬底(即待加工件)或上一原子层接触的均匀性，以提升原子层薄膜的均匀性和质量。

18、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

技术特征：

1.一种加热盘组件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的加热盘组件，其特征在于，在所述反应腔的内壁上形成有用以容纳所述加热盘本体的进料口；

3.根据权利要求2所述的加热盘组件，其特征在于，在所述加热盘本体的侧壁上设置有第一密封连接部，所述第一密封连接部与所述密封部柔性限位连接。

4.根据权利要求3所述的加热盘组件，其特征在于，所述密封部包括：

5.根据权利要求4所述的加热盘组件，其特征在于，所述反应腔包括：

6.根据权利要求5所述的加热盘组件，其特征在于，所述密封部还包括：

7.根据权利要求1至6任一项所述的加热盘组件，其特征在于，所述密封连接件位为由柔性材料构成的环形密封圈，用以形成柔性限位连接。

8.根据权利要求7所述的加热盘组件，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求8所述的加热盘组件，其特征在于，所述支撑件包括：

10.根据权利要求1所述的加热盘组件，其特征在于，还包括：

11.根据权利要求10所述的加热盘组件，其特征在于，所述气流槽包括：

12.根据权利要求11所述的加热盘组件，其特征在于，还包括：

13.一种半导体镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1至12中任一项所述的喷淋组件，其中，所述半导体镀膜设备包括刻蚀设备、化学气相沉积设备或原子层沉积设备。

技术总结
本申请涉及半导体薄膜气相沉积技术领域，公开一种加热盘组件及半导体镀膜设备，以提高加热盘可靠性和密封性，从而提升原子层薄膜的均匀性和质量。其中，所述加热盘组件，包括：加热盘本体；密封连接件，设置于反应腔的内壁上，并与加热盘本体柔性限位连接，用以将反应腔与加热盘本体之间形成密封结构；以及，密封连接件与加热盘本体的表面呈相对间隔设置，用以在加热盘本体与密封连接件之间形成待加工件的限位空间。

技术研发人员：王卓,沈寒旸,安丽娟
受保护的技术使用者：江苏微导纳米科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23