一种用于晶圆抛光的温度控制方法和温度控制系统与流程

本发明涉及抛光，特别涉及一种用于晶圆抛光的温度控制方法和温度控制系统。

背景技术：

1、当前随着功率器件和射频器件的发展，晶圆的平坦化面临着严峻的挑战。晶圆的抛光不仅需要分区控制并且还要保证其极高的良率，因此需要避免一切可能造成碎片的风险。晶圆的材料由于其莫氏硬度非常大并且化学惰性强难以去除的性质，通常需要几十分钟乃至几个小时的抛光，从而产生极高的温度，当温度过高时可能会造成碎片等现象影响良率。因此目前晶圆在抛光时存在因工艺流程产生的高温造成破片进而影响良率的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供了一种用于晶圆抛光的温度控制方法和温度控制系统，晶圆在抛光时存在因工艺流程产生的高温造成破片进而影响良率的问题。

2、第一方面，本发明提供了一种用于晶圆抛光的温度控制方法，包括：

3、实时获取抛光盘上设置的温度传感器采集的当前温度信息，抛光盘的一侧设置有抛光头，抛光头用于对晶圆抛光；

4、将当前温度信息中的实时温度值与第一设定温度值进行比较；

5、如果实时温度值大于第一设定温度值，则向降温设备发出第一控制信号；降温设备用于根据第一控制信号向晶圆喷射降温物质。

6、本发明基于计算机设备实现用于晶圆抛光的温度控制方法，通过温度传感器实时获取抛光时晶圆的当前温度信息，计算机设备设置有第一设定温度值，随着抛光的进行，当前温度信息中的实时温度值与第一设定温度值持续进行比较；当实时温度值大于第一设定温度值，及实时温度值过高，此时继续抛光将会对晶圆造成破片影响，计算机设备及时向降温设备发出第一控制信号，降温设备对晶圆喷出降温物质，使得晶圆抛光时的温度降低至正常范围，避免了高温造成破片进而影响良率的问题。

7、在一种可选的实施方式中，温度控制方法还包括：

8、将当前温度信息中的实时温度值与第二设定温度值进行比较；

9、如果实时温度值小于第二设定温度值，则向抛光设备发出第二控制信号；抛光设备用于控制抛光头根据第二控制信号增大压力后持续对晶圆进行抛光。

10、除了晶圆抛光温度过高，还存在抛光时温度过低问题，在实时温度值小于第二设定温度值时，抛光设备接收计算机设备发出的第二控制信号，增大抛光压力，使得晶圆抛光时的温度升高至正常范围后持续抛光。

11、在一种可选的实施方式中，实时获取抛光盘上设置的温度传感器采集的当前温度信息，包括：

12、从信号转换装置获取当前温度信息，信号转换装置用于获取温度传感器采集的当前温度信息。

13、在一种可选的实施方式中，抛光盘的设置有通孔，抛光盘的一侧设置有温度传感器和信号转换装置，通孔的另一侧设置有晶圆，晶圆和抛光头均设置于抛光盘的第一侧，温度传感器和信号转换装置均设置于抛光盘的第二侧。

14、在一种可选的实施方式中，降温物质包括水、液氮和干冰中的其中一种。

15、在一种可选的实施方式中，第一设定温度值为60℃；

16、第二设定温度值的范围为20℃～25℃。

17、在一种可选的实施方式中，晶圆的材料为碳化硅。

18、第二方面，本发明提供了一种温度控制系统，包括：

19、温度传感器，设置于抛光盘的一侧，温度传感器用于采集当前温度信息；抛光盘的另一侧设置有抛光头，抛光头用于对晶圆抛光；

20、计算机设备，用于将当前温度信息中的实时温度值与第一设定温度值进行比较，以及用于根据实时温度值大于第一设定温度值，向降温设备发出第一控制信号；

21、降温设备，用于根据第一控制信号向晶圆喷射降温物质。

22、在一种可选的实施方式中，温度控制系统还包括信号转换装置，信号转换装置用于获取温度传感器的当前温度信息，以及用于将当前温度信息传输至计算机设备。

23、在一种可选的实施方式中，温度传感器设置于通孔内且未接触晶圆，用于监测在抛光过程中晶圆的表面瞬时温度。

24、本发明提供的温度控制系统用于晶圆抛光，温度传感器实时获取晶圆抛光时的当前温度信息，并将该信息传输至计算机设备，计算机设备设置有第一设定温度值，随着抛光的进行，当前温度信息中的实时温度值与第一设定温度值持续进行比较；当实时温度值大于第一设定温度值，及实时温度值过高，此时继续抛光将会对晶圆造成破片影响，计算机设备及时向降温设备发出第一控制信号，降温设备对晶圆喷出降温物质，使得晶圆抛光时的温度降低至正常范围，避免了高温造成破片进而影响良率的问题。

技术特征：

1.一种用于晶圆抛光的温度控制方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶圆抛光的温度控制方法，其特征在于，所述温度控制方法还包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆抛光的温度控制方法，其特征在于，所述实时获取抛光盘上设置的温度传感器采集的当前温度信息，包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆抛光的温度控制方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的晶圆抛光的温度控制方法，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的晶圆抛光的温度控制方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的晶圆抛光的温度控制方法，其特征在于，

8.一种温度控制系统，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的温度控制系统，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的温度控制系统，其特征在于，

技术总结
本发明涉及抛光技术领域，公开了一种用于晶圆抛光的温度控制方法和温度控制系统。温度控制方法包括：实时获取抛光盘上设置的温度传感器采集的当前温度信息，抛光盘的一侧设置有抛光头，抛光头用于对晶圆抛光；将当前温度信息中的实时温度值与第一设定温度值进行比较；如果实时温度值大于第一设定温度值，则向降温设备发出第一控制信号，降温设备用于根据第一控制信号向晶圆喷射降温物质。本发明提供的温度控制方法实时监控晶圆抛光温度，在温度过高时对晶圆降温。

技术研发人员：罗付,蔡长益,潘宏明,何家鑫
受保护的技术使用者：北京晶亦精微科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23