本申请涉及传感器,具体而言,涉及一种传感器。
背景技术:
1、光电导探测器微弱信号的低噪声处理,包括信号检出,识别,放大。为保证器件稳定可靠的工作,需要其环境温度,工作电源的闭环控制。红外探测器在军事、民用等诸多领域都有着广泛的应用。
2、外探测技术,环境适应性好,在夜间和恶劣天候下的工作能力,识别伪装目标的能力均优于可见光。隐蔽性好,不易被干扰。红外系统的体积小,重量轻,功耗低。
3、当红外辐射照射在某些半导体材料表面上,半导体材料中有些电子和空穴在光子能量作用下可以从原来不导电的束缚状态变为导电的自由状态,使半导体的电导率增加,这种现象称为光电导现象。利用光电导现象制成的探测器称为光电导探测器。
4、由于中红外线的高强度和高穿透性,应用最为广泛,技术也最为成熟。尤其在特定气体检测,森林防火,消防安全等方面有着日益广泛应用。
技术实现思路
1、本申请的内容部分用于以简要的形式介绍构思,这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。本申请的内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征,也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
2、本申请的一些实施例提出了一种传感器,包括:探测芯片,用于根据探测量的输入产生电信号;芯片工作温度控制模块,用于控制所述探测芯片的温度;锁相放大器模块,用于调制所述探测芯片的电信号;供电控制模块,用于至少为所述探测芯片供电;单片机,用于接收并处理来自所述探测芯片、所述芯片工作温度控制模块或/和所述锁相放大器模块的电信号;其中,所述探测芯片分别与所述锁相放大器模块和所述供电控制模块构成电性连接;所述芯片工作温度控制模块与所述单片机构成电性连接;所述锁相放大器模块与所述单片机构成电性连接;所述供电控制模块与所述单片机构成电性连接。
3、进一步的,探测芯片为锑化铟材料制成的光电导芯片或/和磁电导芯片。
4、进一步的,芯片工作温度控制模块包括:芯片温度传感器,用于检测探测芯片的温度。
5、进一步的,芯片工作温度控制模块包括:半导体制冷器,用于降低探测芯片的温度。
6、进一步的,芯片工作温度控制模块包括:热指驱动控制模块,用于驱动和控制半导体制冷器;半导体制冷器模块电性连接至单片机。
7、进一步的,芯片工作温度控制模块包括:环境温度传感器,用于检测环境温度;参考温度模块,用于将环境温度传感器所检测的环境温度反馈至单片机;其中,环境温度传感器与参考温度模块构成电性连接,参考温度模块与单片机构成电性连接。
8、进一步的,锁相放大器模块包括:乘法器、移相器、低通滤波器和参考信号发生器;其中,乘法器与移相器和低通滤波器分别电性连接,参考信号发生器分别与移相器和单片机构成电性连接。
9、进一步的,移相器为90度移相器。
10、进一步的,传感器包括:前置预放模块,用于预先放大探测芯片的电信号;窄带放大器,用于实现探测芯片的电信号中窄带噪声信号;
11、前置预放模块和窄带放大器依次设置于探测芯片和锁相放大器模块之间。
12、进一步的,前置预放模块电性连接至探测芯片,窄带放大器电性连接至乘法器。
13、进一步的,探测芯片的探测量为红外光的强度。
14、进一步的,探测芯片的探测量为磁场的强度。
15、作为本申请的另一方面,本申请的一些实施例提出了一种传感器,包括:探测芯片,至少由敏感源材料制成;调理芯片,用于调制输入至所述探测芯片的探测量或/和所述探测芯片的工作环境参量;其中,所述调理芯片所调制的输入至所述探测芯片的探测量包括红外线参考强度或/和磁场参考强度;所述调理芯片所调制的所述探测芯片的工作环境参量包括所述探测芯片的环境温度或/和加载在所述探测芯片的偏置电压。
16、本申请的有益效果在于:提供了一种能够通过控制传感器芯片的温度从而保证其处于最佳工作状态的传感器。
1.一种传感器,包括:
2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:
3.根据权利要求2所述的传感器,其特征在于:
4.根据权利要求3所述的传感器,其特征在于:
5.根据权利要求4所述的传感器,其特征在于:
6.根据权利要求5所述的传感器,其特征在于:
7.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:
8.根据权利要求7所述的传感器,其特征在于:
9.根据权利要求7所述的传感器,其特征在于:
10.根据权利要求9所述的传感器,其特征在于:
11.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:
12.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:
13.一种传感器,包括:
