具有电磁屏蔽功能的封装结构的制作方法

xiaoxiao6天前  8


本发明涉及半导体封装,尤其涉及一种具有电磁屏蔽功能的封装结构。


背景技术:

1、电磁干扰(electro magnetic interference,简称emi),是指任何在传导或者在有电磁场伴随着电压、电流的作用下而产生会降低某个装置、设备或系统的性能,还有可能对生物或者物质产生不良影响的电磁现象。随着板级与封装级电子系统向低电压、高功耗、高密度以及高速度的发展趋势,信号完整性、电源完整性和电磁兼容性已成为高速电路设计与系统级封装中的研究热点。例如,对于射频类封装结构而言,随着射频模块或器件的工作频率越来越高,产品越来越小,电磁干扰的危害就越来越大,而射频模块或与其相邻的射频器件受到电磁干扰时会导致寿命降低,信号失调,甚至功能丧失。

2、通常采用电磁屏蔽使封装结构的电磁干扰降低或被有效隔离。一般采用接地的金属屏蔽罩或金属屏蔽膜设置于需要屏蔽的芯片外围,金属罩或金属膜将无用的干扰电磁信号吸收,转变为接地的导通电流,防止了射频辐射,屏蔽了电磁干扰。

3、图1是现有的一种具有电磁屏蔽功能的封装结构的示意图,请参阅图1,在基板100表面设置有需要电磁屏蔽的芯片110,在所述基板100中设置有导电接地层101,在所述基板100表面设置有焊垫102,所述焊垫102与所述导电接地层101电连接,在所述基板100表面设置有环绕所述芯片110外围的焊线130,所述焊线130与所述焊垫102电连接,在包覆所述焊线130与所述芯片110的塑封体150表面设置有导电层160,所述导电层160与所述焊线130电连接,所述导电层160、所述焊线130、所述导电接地层101形成法拉第笼,以解决芯片110与周围其它元器件(例如与所述芯片110相邻的芯片140)产生电磁相互干扰的问题。但是,对于一些封装厚度较大的封装结构,例如射频模组封装结构,其整体封装厚度一般在0.5mm左右,这就要求焊线130的高度要达到0.5mm以上,而焊线130越高,焊线130的稳定性越差,焊线130容易发生偏斜进而与旁边的芯片110边缘或者焊线130接触,造成短路问题;并且,偏斜的焊线130在塑封减薄后存在未漏出的情况,即焊线130未暴露于塑封体150的表面,使得焊线130无法与塑封体150表面的导电层160接触,造成开路问题,影响电磁屏蔽效果。


技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是,提供一种具有电磁屏蔽功能的封装结构,其能够避免焊线发生偏斜,进而提高封装结构的可靠性及电磁屏蔽效果。

2、为了解决上述问题,本发明实施例提供了一种具有电磁屏蔽功能的封装结构,包括:基板;芯片,设置在所述基板表面;导电围坝,设置在所述基板表面并接地,所述导电围坝环绕所述芯片外围;多条导线,设置在所述导电围坝上;塑封体,覆盖所述基板表面,且包覆所述芯片、所述导电围坝以及所述导线,所述导线的部分区域暴露于所述塑封体表面;导电层,位于所述塑封体表面,且至少与所述芯片对应,所述导电层与所述导线电连接,所述导电层、所述导线以及所述导电围坝构成围绕所述芯片的法拉第笼。

3、在一实施例中,所述导电围坝为连续结构。

4、在一实施例中,所述导电围坝为不连续结构,包括多个间隔设置的子坝,所述导线设置在所述子坝上。

5、在一实施例中,所述子坝的尺寸相同或不同。

6、在一实施例中,相邻两个所述子坝之间的间隙相同或不同。

7、在一实施例中,所述芯片通过导电柱倒装在所述基板表面,所述导电围坝的高度小于所述导电柱的高度。

8、在一实施例中,所述导线包括弧形导线,所述弧形导线的两端均与所述导电围坝连接,在所述弧形导线的延伸路径上,所述弧形导线的部分区域暴露于所述塑封体表面。

9、在一实施例中,多条所述弧形导线在环绕所述芯片的周向的方向排布,形成单层导线层。

10、在一实施例中,多条所述弧形导线在环绕所述芯片的周向的方向排布,并形成至少两层导线层,相邻的两层导线层的相邻的两条所述导线交叉设置。

11、在一实施例中,所述导线包括竖直导线,所述竖直导线沿垂直所述基板的方向延伸,所述竖直导线的一端与所述导电围坝连接,另一端暴露于所述塑封体。

12、在一实施例中,所述导线还包括弧形导线,所述弧形导线的两端均与所述导电围坝连接,在所述弧形导线的延伸路径上,所述弧形导线的部分区域暴露于所述塑封体表面,所述竖直导线与所述弧形导线交叉设置。

13、在一实施例中,所述竖直导线在延伸路径上具有弯折。

14、在一实施例中,所述导电围坝通过所述基板接地。

15、本发明实施例提供的具有电磁屏蔽功能的封装结构,位于芯片上方的导电层、位于芯片侧面的所述导线以及所述导电围坝构成围绕所述芯片的法拉第笼,则所述法拉第笼的侧面并非是仅由导线构成,而是由导电围坝与导线共同构成,所述导电围坝与导线的高度之和为所述法拉第笼的高度,则相较于仅由导线构成法拉第笼的侧面的封装结构而言,本发明实施例提供的封装结构中,所述导线的高度被减小,从根本上提高了导线的稳定性,避免了导线偏斜而引起的短路以及开路问题,大大提高了封装结构的可靠性及电磁屏蔽效果。



技术特征:

1.一种具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述导电围坝为连续结构。

3.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述导电围坝为不连续结构,包括多个间隔设置的子坝,所述导线设置在所述子坝上。

4.根据权利要求3所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述子坝的尺寸相同或不同。

5.根据权利要求3所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,相邻两个所述子坝之间的间隙相同或不同。

6.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述芯片通过导电柱倒装在所述基板表面,所述导电围坝的高度小于所述导电柱的高度。

7.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述导线包括弧形导线,所述弧形导线的两端均与所述导电围坝连接,在所述弧形导线的延伸路径上,所述弧形导线的部分区域暴露于所述塑封体表面。

8.根据权利要求7所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,多条所述弧形导线在环绕所述芯片的周向的方向排布,形成单层导线层。

9.根据权利要求7所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,多条所述弧形导线在环绕所述芯片的周向的方向排布,并形成至少两层导线层,相邻的两层导线层的相邻的两条所述导线交叉设置。

10.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述导线包括竖直导线,所述竖直导线沿垂直所述基板的方向延伸,所述竖直导线的一端与所述导电围坝连接,另一端暴露于所述塑封体表面。

11.根据权利要求10所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述导线还包括弧形导线,所述弧形导线的两端均与所述导电围坝连接,在所述弧形导线的延伸路径上,所述弧形导线的部分区域暴露于所述塑封体表面,所述竖直导线与所述弧形导线交叉设置。

12.根据权利要求10所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述竖直导线在延伸路径上具有弯折。

13.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构,其特征在于,所述导电围坝通过所述基板接地。


技术总结
本发明提供一种具有电磁屏蔽功能的封装结构,其包括:基板;芯片,设置在所述基板表面;导电围坝,设置在所述基板表面并接地,所述导电围坝环绕所述芯片外围;多条导线,设置在所述导电围坝上;塑封体,覆盖所述基板表面,且包覆所述芯片、所述导电围坝以及所述导线,所述导线的部分区域暴露于所述塑封体表面;导电层,位于所述塑封体外,且至少与所述芯片对应,所述导电层与所述导线电连接,所述导电层、所述导线以及所述导电围坝构成围绕所述芯片的法拉第笼。本发明封装结构能够避免焊线发生偏斜,进而提高封装结构的可靠性及电磁屏蔽效果。

技术研发人员:杨先方,李鹏,李俊君,刘昱豪
受保护的技术使用者:江苏长电科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/9/23

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