用于外太空的封装晶圆的封装模块及其封装方法与流程

xiaoxiao1月前  7


本发明涉及半导体制造,具体涉及一种用于外太空的封装晶圆的封装模块及其封装方法。


背景技术:

1、外太空存在太空辐射,会影响电子设备的正常工作,例如太空辐射中的宇宙射线,宇宙射线是来自银河系内外的高能粒子流,包括高速的质子、重离子以及少量的电子,宇宙射线的能量范围广泛,有的可以极高,导致常规的电子设备无法在外太空使用。


技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足,本申请提供了一种用于外太空的封装晶圆的封装模块及其封装方法,有利于减轻太空辐射对封装模块的影响。

2、为解决上述问题,本发明提供如下技术方案:

3、第一方面,本申请实施例提供了一种用于外太空的封装晶圆的封装模块,所述封装模块包括印刷电路板和辐射防护罩;其中,

4、所述辐射防护罩用于罩住所述印刷电路板中的晶圆,所述辐射防护罩与所述晶圆之间的内空间存在第一塑封层,所述辐射防护罩的外空间存在第二塑封层。

5、在一些实施方式中,所述辐射防护罩的材料为铅钛合金。

6、在一些实施方式中,所述辐射防护罩的材料为铅铝合金。

7、在一些实施方式中,所述辐射防护罩的材料为铅钛合金。

8、在一些实施方式中,所述第一塑封层和所述第二塑封层采用环氧树脂或硅树脂塑封。

9、在一些实施方式中,所述辐射防护罩的厚度在[0.01mm,0.09mm]的范围内。

10、在一些实施方式中,辐射防护罩用于罩住所述印刷电路板中的中央处理器、至少一个双倍速率同步动态随机存储器以及至少一个闪存。

11、第二方面,本申请实施例提供了一种封装方法,所述封装方法用于制作如第一方面的用于外太空的封装晶圆的封装模块,所述方法包括:

12、将辐射防护罩罩住印刷电路板的晶圆;

13、使用分孔式模具通过所述辐射防护罩上预留的多个注入孔对所述辐射防护罩与所述晶圆之间的内空间进行塑封,以排出所述内空间内的气体形成第一塑封层;

14、对所述辐射防护罩上预留的多个注入孔进行密封;

15、对所述辐射防护罩的外空间进行塑封,形成第二塑封层。

16、在一些实施方式中,所述对所述辐射防护罩上预留的多个注入孔进行密封,包括:

17、对所述辐射防护罩上预留的多个注入孔进行焊接密封。

18、在一些实施方式中,所述对所述辐射防护罩上预留的多个注入孔进行焊接密封,包括:

19、将超声波探头接触或靠近所述多个注入孔中的其中一个注入孔;

20、通过所述超声波探头对所述第一塑封层进行超声波检测,确定所述第一塑封层是否残留气泡或空洞;

21、在检测结果为未残留气泡或空洞时,对所述辐射防护罩上预留的多个注入孔进行焊接密封。

22、本申请提供了一种用于外太空的封装晶圆的封装模块及其封装方法,该封装模块包括:印刷电路板和辐射防护罩;其中,所述辐射防护罩用于罩住所述印刷电路板中的晶圆,所述辐射防护罩与所述晶圆之间的内空间存在第一塑封层,所述辐射防护罩的外空间存在第二塑封层。本申请中通过辐射防护罩罩住印刷电路板中的晶圆,通过辐射防护罩阻挡太空辐射,有利于减轻太空辐射对封装模块的影响。



技术特征:

1.一种用于外太空的封装晶圆的封装模块,其特征在于,所述封装模块包括印刷电路板和辐射防护罩;其中,

2.根据权利要求1所述的封装模块,其特征在于,所述辐射防护罩的材料为铅合金。

3.根据权利要求2所述的封装模块,其特征在于,所述辐射防护罩的材料为铅铝合金。

4.根据权利要求2所述的封装模块,其特征在于,所述辐射防护罩的材料为铅钛合金。

5.根据权利要求1所述的封装模块,其特征在于,所述第一塑封层和所述第二塑封层采用环氧树脂或硅树脂塑封。

6.根据权利要求1所述的封装模块,其特征在于,所述辐射防护罩的厚度在[0.01mm,0.09mm]的范围内。

7.根据权利要求1所述的封装模块,其特征在于,辐射防护罩用于罩住所述印刷电路板中的中央处理器、至少一个双倍速率同步动态随机存储器以及至少一个闪存。

8.一种封装方法,其特征在于,所述封装方法用于制作如权利要求1-7任一项所述的用于外太空的封装晶圆的封装模块,所述方法包括:

9.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,所述对所述辐射防护罩上预留的多个注入孔进行密封,包括:

10.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,所述对所述辐射防护罩上预留的多个注入孔进行密封,包括:


技术总结
本申请涉及半导体制造技术领域,提供一种用于外太空的封装晶圆的封装模块及其封装方法,该封装模块包括:印刷电路板和辐射防护罩;其中,所述辐射防护罩用于罩住所述印刷电路板中的晶圆,所述辐射防护罩与所述晶圆之间的内空间存在第一塑封层,所述辐射防护罩的外空间存在第二塑封层。本申请中通过辐射防护罩罩住印刷电路板中的晶圆,通过辐射防护罩阻挡太空辐射,有利于减轻太空辐射对封装模块的影响。

技术研发人员:李修录,朱小聪,尹善腾
受保护的技术使用者:深圳市安信达存储技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/9/23

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