采用光学临近校正的SRAM存储单元掩膜制作方法及系统与流程

本涉及集成电路，更具体的说，涉及一种采用光学临近校正（opticalproximity correction，简称opc）的sram（静态随机存储器）存储单元掩膜制作方法及系统。

背景技术：

1、在集成电路芯片制造技术中，最为关键技术的是用于电路图形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发，在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。光刻技术的进步也是推动摩尔定律不断向前发展的源动力。

2、光刻技术的基本原理是，利用光刻机和涂胶显影机设备，将光刻版上的图形重复多次投影到硅片上，涂在硅片上的光刻胶有感旋光性和抗蚀性；光刻胶也有分为正胶和负胶，正胶曝光部分在显影液中被溶解，没有曝光的胶层留下；负胶的曝光部分在显影液中不溶解，而没有曝光的胶层被溶解掉。经过显影后，则显出光刻图形。

3、目前主流的光刻技术是光学光刻技术，光学光刻是由投影光学系统和掩模版相结合来产生光刻图形的。曝光方式普遍采用步进扫描投影式曝光。下一代光刻候选技术主要包括：极紫外线技术(euv)、电子束直写技术和纳米压印技术。从当前开发的进度来看，euv投入最大，是最有可能成为下一代光刻技术方案，能够应用于7nm或5nm的图形化工艺开发中。

4、在光刻过程中，由于光的衍射和干涉现象以及光刻胶的效应等，实际硅片上得到的光刻图形与光刻版图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中这种偏差直接影响电路性能和产品量率。为了消除这种误差，光学临近修正技术应用而生 。

5、光学临近修正技术的基本原理是在光刻工艺基本确定的前提下，设计不同尺寸的掩模图形，利用掩模图形尺寸与光刻工艺后硅片图形尺寸的对应关系 ，建立光学临近效应的模型（opc model），基于建立好的光学临近效应的模型，预测实际设计的电路图形在硅片上光刻图形的尺寸，从而对电路图形做出修正以补偿这种效应，最终在硅片上得到和电路设计相同或最相近的图形。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提供了一种采用光学临近校正的sram存储单元掩膜制作方法及系统，方案如下：

2、一种采用光学临近校正的sram存储单元掩膜制作方法，包括：

3、读入所述sram存储单元的掩膜图形数据；

4、基于所述掩膜图形数据，确定仿真测试的数据区间；

5、在所述数据区间进行opc仿真处理，获得多组所述sram存储单元的仿真图形数据；

6、判断是否存在适配所需标准图形的仿真图形数据；

7、如果是，基于所述仿真图形数据，控制生产设备制备sram存储单元的掩膜。

8、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作方法中，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层所述膜层具有对应的所述标准图形；

9、获取所述掩膜图形数据的方法包括：

10、确定所述sram存储单元所在的目标电路；

11、基于所述目标电路，确定所述sram存储单元在所述目标电路中的布局；

12、对所述目标电路进行仿真测试，获得仿真测试数据，所述仿真测试数据包括电路图的仿真性能数据以及所述sram存储单元的仿真时序数据；

13、基于所述仿真测试数据，确定所述sram存储单元中各层所述膜层对应的标准图形，以基于所述标准图形确定所对应的掩膜图形数据。

14、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作方法中，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层所述膜层具有对应的所述标准图形；

15、读入所述sram存储单元的掩膜图形数据，包括：

16、从图形数据系统文件中读取所述掩膜图形数据，各层所述膜层对应的所述标准图形具有适配的所述掩膜图形数据。

17、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作方法中，如果不存在适配所需标准图形的仿真图形，还包括：

18、基于校正后的所述掩膜图形数据，确定是否存在适配所需标准图形的仿真图形数据。

19、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作方法中，还包括：

20、存储所述仿真图形数据及其对应的标准图形。

21、本技术还提供了一种sram存储单元掩膜制作系统，包括：

22、数据读取模块，所述数据读取模块用于读入所述sram存储单元的掩膜图形数据；

23、第一确定模块，所述第一确定模块用于基于所述掩膜图形数据，确定仿真测试的数据区间；

24、第一仿真模块，所述第一仿真模块用于在所述数据区间进行opc仿真处理，获得多组所述sram存储单元的仿真图形数据；

25、处理模块，所述处理模块用于判断是否存在适配所需标准图形的仿真图形数据，在存在适配所述标准图形的仿真图形数据时，基于所述仿真图形数据，控制生产设备制备sram存储单元的掩膜。

26、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作系统中，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层所述膜层具有对应的所述标准图形；

27、还包括：

28、获取模块，所述获取模块用于确定所述sram存储单元所在的目标电路；

29、第二确定模块，所述第二确定模块用于基于所述目标电路，确定所述sram存储单元在所述目标电路中的布局；

30、第二仿真模块，所述第二仿真模块用于对所述目标电路进行仿真测试，获得仿真测试数据，所述仿真测试数据包括电路图的仿真性能数据以及所述sram存储单元的仿真时序数据；

31、第三确定模块，所述第三确定模块用于基于所述仿真测试数据，确定所述sram存储单元中各层所述膜层对应的标准图形，以基于所述标准图形确定所对应的掩膜图形数据；

32、存储模块，所述存储模块用于存储所述掩膜图形数据。

33、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作系统中，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层所述膜层具有对应的所述标准图形；

34、所述数据读取模块用于从图形数据系统文件中读取所述掩膜图形数据，各层所述膜层对应的所述标准图形具有适配的所述掩膜图形数据。

35、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作系统中，还包括：校正模块，所述校正模块用于获取校正后的所述掩膜图形数据；

36、其中，所述sram存储单元掩膜制作系统基于校正后的所述掩膜图形数据，确定是否存在适配所需标准图形的仿真图形数据。

37、优选的，在上述sram存储单元掩膜制作系统中，还包括：

38、存储模块，所述存储模块用于存储所述仿真图形数据及其对应的标准图形。

39、通过上述描述可知，本技术技术方案提供了一种采用光学临近校正的sram存储单元掩膜制作方法及系统，所述sram存储单元掩膜制作方法包括：读入所述sram存储单元的掩膜图形数据；基于所述掩膜图形数据，确定仿真测试的数据区间；在所述数据区间进行opc仿真处理，获得多组所述sram存储单元的仿真图形数据；判断是否存在适配所需标准图形的仿真图形数据；如果是，基于所述仿真图形数据，控制生产设备制备sram存储单元的掩膜。本技术技术方案提供了一种基于opc仿真的新型sram存储单元掩膜的设计方案，可以用于fd-soi（全耗尽型soi技术）等领域。

技术特征：

1.一种采用光学临近校正的sram存储单元掩膜制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的sram存储单元掩膜制作方法，其特征在于，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层膜层具有对应的所述标准图形；

3.根据权利要求1所述的sram存储单元掩膜制作方法，其特征在于，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层膜层具有对应的所述标准图形；

4.根据权利要求1所述的sram存储单元掩膜制作方法，其特征在于，如果不存在适配所需标准图形的仿真图形，还包括：

5.根据权利要求1-4任一项所述的sram存储单元掩膜制作方法，其特征在于，还包括：

6.一种sram存储单元掩膜制作系统，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的sram存储单元掩膜制作系统，其特征在于，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层膜层具有对应的所述标准图形；

8.根据权利要求6所述的sram存储单元掩膜制作系统，其特征在于，所述sram存储单元包括多层膜层结构，各层膜层具有对应的所述标准图形；

9.根据权利要求6所述的sram存储单元掩膜制作系统，其特征在于，还包括：校正模块，所述校正模块用于获取校正后的所述掩膜图形数据；

10.根据权利要求6-9任一项所述的sram存储单元掩膜制作系统，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请公开了一种采用光学临近校正的SRAM存储单元掩膜制作方法及系统，所述SRAM存储单元掩膜制作方法包括：读入所述SRAM存储单元的掩膜图形数据；基于所述掩膜图形数据，确定仿真测试的数据区间；在所述数据区间进行OPC仿真处理，获得多组所述SRAM存储单元的仿真图形数据；判断是否存在适配所需标准图形的仿真图形数据；如果是，基于所述仿真图形数据，控制生产设备制备SRAM存储单元的掩膜。本申请技术方案提供了一种基于OPC仿真的新型SRAM存储单元掩膜的设计方案，可以用于FD‑SOI等领域。

技术研发人员：陈少民,苏炳熏,周达云,叶甜春
受保护的技术使用者：锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23