不沾黏陶瓷容器的制作方法
本技术涉及不沾黏涂层的，特别是涉及一种不沾黏陶瓷容器。
背景技术：
1、目前行业应用特氟龙涂层的不粘锅产品以及可用于加热的陶瓷容器、煲锅、马克杯在过去几十年里在全球市场得到了极大的推广，特氟龙涂层耐高温，耐腐蚀，高效不粘的特点，让特氟龙不粘锅产品走进千家万户，市场规模超过万亿。然而进一步的研究发现，含有pfas(全氟和多氟烷基物质)，会对人体健康和环境产生危害，pfas的化学成分使其在环境中很长时间内都不会被降解，虽然这种特质使得pfas具备很高的应用价值，但也导致他们可能对自然环境和人体产生长期危害，包括致癌的可能性。美国多个州推出了对pfas的禁用令，欧洲也即将推出相关法规，使用可替代特氟龙的涂层已经成为行业的趋势。目前为止还没有看到解决这一问题的更好的方案，既能满足不粘锅的性能，同时不使用含有pfas的物质。
技术实现思路
1、鉴于以上现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种不沾黏陶瓷容器，用于使容器能够不沾黏食材，并能够便于清洗。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请实施例第一方面提供一种不沾黏陶瓷容器，包括：
3、一基材，由一陶瓷材质所制；以及
4、一氮化硅层，设于所述基材上；
5、其中，所述氮化硅层经配置以与一食材接触。
6、在本申请一实施例中，所述不沾黏陶瓷容器还包括一锆介质层，设于所述基材与所述氮化硅层之间。
7、在本申请一实施例中，所述不沾黏陶瓷容器还包括一铬介质层，设于所述基材与所述氮化硅层之间。
8、在本申请一实施例中，所述不沾黏陶瓷容器还包括一钛介质层，设于所述基材与所述氮化硅层之间。
9、在本申请一实施例中，所述锆介质层的一厚度为0.01um至2um。
10、在本申请一实施例中，所述铬介质层的一厚度为0.01um至2um。
11、在本申请一实施例中，所述钛介质层的一厚度为0.01um至2um。
12、在本申请一实施例中，所述氮化硅层的一厚度为0.01um至8um。
13、本申请实施例第二方面提供一种不沾黏陶瓷容器的制备方法，所述制备方法包括：
14、提供由一陶瓷材质所制的一基材；以及
15、采用磁控溅射的方式形成一氮化硅层于所述基材的一表面。
16、在本申请一实施例中，所述氮化硅层的一厚度为0.01um至8um。
17、在本申请一实施例中，采用磁控溅射的方式形成所述氮化硅层及一石墨混和的复合层于所述基材的一表面。
18、在本申请一实施例中，所述基材可拆卸地设于一磁控溅射炉内的一固持架上，在采用磁控溅射的方式形成所述氮化硅层时，所述固持架静止不动。
19、在本申请一实施例中，所述基材可拆卸地设于一磁控溅射炉内的一固持架上，在采用磁控溅射的方式形成所述氮化硅层时，所述固持架进行旋转。
20、在本申请一实施例中，在采用磁控溅射的方式形成一氮化硅层于所述基材的一表面之后，还包括执行一退火工艺。
21、本申请实施例第三方面提供一种不沾黏陶瓷容器的制备方法，所述制备方法包括：
22、提供由一陶瓷材质所制的一基材；
23、采用磁控溅射的方式形成一介质层于所述基材的一表面；以及
24、采用磁控溅射的方式形成一氮化硅层于所述介质层的一表面。
25、在本申请一实施例中，所述介质层为一锆介质层。
26、在本申请一实施例中，所述锆介质层的一厚度为0.01um至2um。
27、在本申请一实施例中，所述介质层为一铬介质层。
28、在本申请一实施例中，所述铬介质层的一厚度为0.01um至2um。
29、在本申请一实施例中，所述介质层为一钛介质层。
30、在本申请一实施例中，所述钛介质层的一厚度为0.01um至2um。
31、在本申请一实施例中，所述氮化硅层的一厚度为0.01um至8um。
32、在本申请一实施例中，所述氮化硅层混和一石墨成为一复合层，设于介质层表面,其中氮化硅比例为95wt％～85wt％石墨为5wt％～15wt％。
33、在本申请一实施例中，所述基材可拆卸地设于一磁控溅射炉内的一固持架上，在采用磁控溅射的方式形成所述介质层和采用磁控溅射的方式形成所述氮化硅层时，所述固持架静止不动。
34、在本申请一实施例中，所述基材可拆卸地设于一磁控溅射炉内的一固持架上，在采用磁控溅射的方式形成所述介质层和采用磁控溅射的方式形成所述氮化硅层时，所述固持架进行旋转。
35、在本申请一实施例中，在采用磁控溅射的方式形成一氮化硅层于所述介质层的一表面之后，还包括执行一退火工艺。
36、如上所述，本申请实施例提供的不沾黏陶瓷容器及其制备方法，采用陶瓷材料的基材，然后在表面形成介质层或介质层和氮化硅层，氮化硅层由于分子结构稳定，无毒无害，是可以在不沾黏陶瓷容器领域对特氟龙相关产品产生替代性，既能满足不沾黏的性能，同时不使用含有pfas的物质；具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性、耐高温、易清洁、不变色、无有机化学涂层、持久不粘等特点。
技术特征：
1.一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，所述不沾黏陶瓷容器还包括一锆介质层，设于所述基材与所述氮化硅层之间。
3.根据权利要求1所述的一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，所述不沾黏陶瓷容器还包括一铬介质层，设于所述基材与所述氮化硅层之间。
4.根据权利要求1所述的一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，所述不沾黏陶瓷容器还包括一钛介质层，设于所述基材与所述氮化硅层之间。
5.根据权利要求2所述的一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，所述锆介质层的一厚度为0.01um至2um。
6.根据权利要求3所述的一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，所述铬介质层的一厚度为0.01um至2um。
7.根据权利要求4所述的一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，所述钛介质层的一厚度为0.01um至2um。
8.根据权利要求1所述的一种不沾黏陶瓷容器，其特征在于，所述氮化硅层的一厚度为0.01um至8um。
技术总结
本技术涉及不沾黏涂层技术领域，特别是涉及一种不沾黏陶瓷容器。所述不沾黏陶瓷容器包括一基材，由一陶瓷材质所制；以及一氮化硅层，设于所述基材上；其中，所述氮化硅层经配置以与一食材接触。所述基材与所述氮化硅层之间还包括一介质层。本申请的不沾黏陶瓷容器，采用陶瓷材料的基材，然后在表面形成介质层或介质层和氮化硅层，氮化硅层由于分子结构稳定，无毒无害，是可以在不沾黏陶瓷容器领域对特氟龙相关产品产生替代性，既能满足不沾黏的性能，同时不使用含有PFAS的物质；具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性、耐高温、易清洁、不变色、无有机化学涂层、持久不粘等特点。
技术研发人员：吕耀辉,沈雁军,董小林,方洁青
受保护的技术使用者：深圳天珑无线科技有限公司
技术研发日：20230907
技术公布日：2024/9/23