瓷片清洗在线烘干装置的制作方法
本技术涉及瓷片清洗在线烘干设备，具体是瓷片清洗在线烘干装置。
背景技术：
1、半导体瓷片是一种用于半导体器件封装的材料。它通常由陶瓷材料制成，具有良好的绝缘性能和高温耐性，可以保护内部的半导体芯片免受外界环境的影响。半导体瓷片在电子行业中广泛应用，特别是在高频、高功率和高温环境下的电子器件中。它具有优异的散热性能，可有效地将产生的热量传导到散热器或散热片上，以保持芯片的稳定工作温度。半导体瓷片还具有良好的电绝缘性能，可防止芯片与外部环境之间的电气干扰或短路。此外，它还具有抗化学腐蚀和机械冲击的特性，能够保护芯片不受损坏。
2、但现有技术的瓷片清洗装置与瓷片烘干装置并不是一体化结构，导致瓷片清洗后转运到烘干的过程中会存在污染的风险，存在改善的余地。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供瓷片清洗在线烘干装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：瓷片清洗在线烘干装置，包括供瓷片容置、清洗和烘干的工作箱，设置在工作箱侧方且内部容置有活动部的动力箱以及设置在工作箱上方并与活动部固定安装的门体；所述活动部包括气缸、铰链和控制器，所述控制器与动力箱固定连接，所述气缸与控制器电性连接，所述气缸的输出端与铰链固定安装，所述铰链与门体铰接。
3、作为本实用新型再进一步的方案：瓷片清洗在线烘干装置，所述工作箱的内部开设有工作双腔，所述工作双腔的内部开设有蒸汽孔和加热风口，所述加热风口与控制器电性连接。
4、作为本实用新型再进一步的方案：瓷片清洗在线烘干装置，所述门体的一侧开设有与工作双腔匹配的密封垫，所述门体的一端设置有与铰链固定安装的转轴。
5、作为本实用新型再进一步的方案：瓷片清洗在线烘干装置，所述门体设置有两组，两组所述门体相向的一侧均固定连接有挡沿。
6、作为本实用新型再进一步的方案：瓷片清洗在线烘干装置，所述工作箱的一侧固定连接有搭架，所述搭架的内部开设有容置瓷片的开槽。
7、作为本实用新型再进一步的方案：瓷片清洗在线烘干装置，所述开槽的内部抛光处理。
8、作为本实用新型再进一步的方案：瓷片清洗在线烘干装置，所述挡沿由耐高温硅胶制成。
9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
10、1、通过设置的工作双腔可进行瓷片的清洁和烘干一体化操作，避免瓷片在清洁后还需要转移烘干，会产生污染的问题，并降低污染的风险；
11、2、通过密封垫的设置，可防止加热气体逸出导致气体循环不畅的问题；
12、3、由于搭架的内部开设有开槽，经过抛光处理的开槽可降低瓷片的磨损率。
技术特征：
1.瓷片清洗在线烘干装置，包括供瓷片容置、清洗和烘干的工作箱(1)，设置在工作箱(1)侧方且内部容置有活动部(4)的动力箱(2)以及设置在工作箱(1)上方并与活动部(4)固定安装的门体(3)；其特征在于：所述活动部(4)包括气缸(41)、铰链(42)和控制器(43)，所述控制器(43)与动力箱(2)固定连接，所述气缸(41)与控制器(43)电性连接，所述气缸(41)的输出端与铰链(42)固定安装，所述铰链(42)与门体(3)铰接。
2.根据权利要求1所述的瓷片清洗在线烘干装置，其特征在于，所述工作箱(1)的内部开设有工作双腔(11)，所述工作双腔(11)的内部开设有蒸汽孔(12)和加热风口(13)，所述加热风口(13)与控制器(43)电性连接。
3.根据权利要求2所述的瓷片清洗在线烘干装置，其特征在于，所述门体(3)的一侧开设有与工作双腔(11)匹配的密封垫(31)，所述门体(3)的一端设置有与铰链(42)固定安装的转轴(32)。
4.根据权利要求3所述的瓷片清洗在线烘干装置，其特征在于，所述门体(3)设置有两组，两组所述门体(3)相向的一侧均固定连接有挡沿(6)。
5.根据权利要求4所述的瓷片清洗在线烘干装置，其特征在于，所述工作箱(1)的一侧固定连接有搭架(5)，所述搭架(5)的内部开设有容置瓷片的开槽(51)。
6.根据权利要求5所述的瓷片清洗在线烘干装置，其特征在于，所述开槽(51)的内部抛光处理。
7.根据权利要求6所述的瓷片清洗在线烘干装置，其特征在于，所述挡沿(6)由耐高温硅胶制成。
技术总结
本技术公开了瓷片清洗在线烘干装置，包括供瓷片容置、清洗和烘干的工作箱，设置在工作箱侧方且内部容置有活动部的动力箱以及设置在工作箱上方并与活动部固定安装的门体；所述活动部包括气缸、铰链和控制器，所述控制器与动力箱固定连接，所述气缸与控制器电性连接，所述气缸的输出端与铰链固定安装，所述铰链与门体铰接，瓷片清洗在线烘干装置，所述工作箱的内部开设有工作双腔，所述工作双腔的内部开设有蒸汽孔和加热风口，所述加热风口与控制器电性连接，涉及瓷片清洗在线烘干设备技术领域。本技术通过设置的工作双腔可进行瓷片的清洁和烘干一体化操作，避免瓷片在清洁后还需要转移烘干，会产生污染的问题，并降低污染的风险。
技术研发人员：凌晨,淦亮亮,计克宇
受保护的技术使用者：安徽陶芯科半导体新材料有限公司
技术研发日：20231208
技术公布日：2024/9/23