一种TVS二极管阵列性能验证装置的制作方法
本技术涉及元器件检测，尤其涉及一种tvs二极管阵列性能验证装置。
背景技术：
1、目前现有的tvs二极管阵列的常规测试方法是使用半导体分立器件测试系统进行功能检测，将tvs二极管阵列连接到半导体分立器件测试系统的测试夹具上，在测试系统中设置适当的测试参数，通过半导体分立器件测试系统，对tvs二极管阵列进行功能检测，这包括正向导通、反向截止、钳位电压等性能的测试。
2、公开号为cn211505782u的半导体分立器件测试的装置，其包括测试源、测试架、以及设置在测试架上的测试转换台；测试转换台上设置有用于测试作为转换器的分立器的工位，在工位上设置有用于压装转换器的弹簧片；在测试架上设置有电源模块、整流模块、一次滤波模块、稳压模块、二次滤波模块、计数模块、显码模块、驱动模块、触发模块、继电器模块、以及矩阵电路模块；电源模块依次通过整流模块、一次滤波模块、稳压模块、二次滤波模块、计数模块、显码模块、驱动模块、继电器模块、以及矩阵电路模块电连接；触发模块与计数模块电连接。
3、但是若需要验证其在实际电路中的性能和可靠性，则需要依据其器件手册搭建最小系统进行性能验证，但是现有的测试装置无法对tvs二极管在实际电路中的防静电保护能力进行测试，无法确保其在受到干扰信号时能够保护数据不丢失或损坏。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型提出了一种tvs二极管阵列性能验证装置，能够有效的测试tvs二极管在实际电路中的防静电保护能力，确保其在受到干扰信号时能够保护数据不丢失或损坏。
2、本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型提供了一种tvs二极管阵列性能验证装置，包括发送模块、tvs二极管阵列模块和接收模块，其中，
3、发送模块的输出端与接收模块的输入端电性连接，且tvs二极管阵列模块具有至少两个通讯端口，tvs二极管阵列模块至少两个通讯端口分别与发送模块的输出端和接收模块的输入端电性连接；
4、发送模块向接收模块发送数据，对tvs二极管阵列模块进行防静电保护测试。
5、在以上技术方案的基础上，优选的，所述发送模块和接收模块的数量均为两个，所述tvs二极管阵列模块具有四个通讯端口，且各发送模块的输出端分别与对应的接收模块输入端电性连接，各发送模块的输出端和各接收模块的输入端均与tvs二极管阵列模块对应的通讯端口电性连接。
6、在以上技术方案的基础上，优选的，还包括两个上行连接单元和两个下行连接单元，其中，两个上行连接单元的输入端分别与各发送模块的输出端电性连接，两个上行连接单元的输出端分别与tvs二极管阵列模块对应的通讯端口和对应的下行连接单元的输入端电性连接，两个下行连接单元的输入端分别与tvs二极管阵列模块对应的通讯端口电性连接，两个下行连接单元的输出端分别与各接收模块的输入端电性连接。
7、在以上技术方案的基础上，优选的，所述两个上行连接单元和两个下行连接单元均为usb通道接口。
8、在以上技术方案的基础上，优选的，所述tvs二极管阵列模块的电源与接地引脚分别与两个上行连接单元和两个下行连接单元的电源及接地引脚对应电性连接。
9、在以上技术方案的基础上，优选的，所述两个上行连接单元和两个下行连接单元的型号均为usb-type-a。
10、在以上技术方案的基础上，优选的，所述tvs二极管阵列模块的型号为srv05-4。
11、在以上技术方案的基础上，优选的，还包括焊盘，所述tvs二极管阵列模块、两个上行连接单元和两个下行连接单元均焊接在焊盘上。
12、在以上技术方案的基础上，优选的，所述焊盘的型号为sot23-6l。
13、本实用新型的tvs二极管阵列性能验证装置相对于现有技术具有以下有益效果：
14、(1)通过设置的发送模块向接收模块发送数据，比对发送端和接收端的数据，依据丢包率判断tvs二极管阵列是否有效进行了防静电保护，进而能够有效的测试tvs二极管在实际电路中的防静电保护能力，确保其在高电压冲击下能够保护数据不丢失或损坏；
15、(2)通过设置的上行连接单元和下行连接单元使用usb-a母座作为输入输出接口，便于连接电脑进行测试；
16、(3)通过tvs二极管阵列模块的电源输入与上行连接单元和下行连接单元的电源连接，简化了电路设计；
17、(4)通过将tvs二极管阵列模块、两个上行连接单元和两个下行连接单元均焊接在焊盘上，构成测试验证电路板，通过调整焊盘的规格，能够支持对同类型不同型号的tvs二极管阵列进行测试。
技术特征：
1.一种tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于，包括发送模块(1)、tvs二极管阵列模块(2)和接收模块(3)，其中，
2.如权利要求1所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：所述发送模块(1)和接收模块(3)的数量均为两个，所述tvs二极管阵列模块(2)具有四个通讯端口，且各发送模块(1)的输出端分别与对应的接收模块(3)输入端电性连接，各发送模块(1)的输出端和各接收模块(3)的输入端均与tvs二极管阵列模块(2)对应的通讯端口电性连接。
3.如权利要求2所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：还包括两个上行连接单元(4)和两个下行连接单元(5)，其中，两个上行连接单元(4)的输入端分别与各发送模块(1)的输出端电性连接，两个上行连接单元(4)的输出端分别与tvs二极管阵列模块(2)对应的通讯端口和对应的下行连接单元(5)的输入端电性连接，两个下行连接单元(5)的输入端分别与tvs二极管阵列模块(2)对应的通讯端口电性连接，两个下行连接单元(5)的输出端分别与各接收模块(3)的输入端电性连接。
4.如权利要求3所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：所述两个上行连接单元(4)和两个下行连接单元(5)均为usb通道接口。
5.如权利要求4所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：所述tvs二极管阵列模块(2)的电源与接地引脚分别与两个上行连接单元(4)和两个下行连接单元(5)的电源及接地引脚对应电性连接。
6.如权利要求3所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：所述两个上行连接单元(4)和两个下行连接单元(5)的型号均为usb-type-a。
7.如权利要求1所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：所述tvs二极管阵列模块(2)的型号为srv05-4。
8.如权利要求3所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：还包括焊盘，所述tvs二极管阵列模块(2)、两个上行连接单元(4)和两个下行连接单元(5)均焊接在焊盘上。
9.如权利要求8所述的tvs二极管阵列性能验证装置，其特征在于：所述焊盘的型号为sot23-6l。
技术总结
本技术涉及元器件检测技术领域，提出了一种TVS二极管阵列性能验证装置，包括发送模块、TVS二极管阵列模块和接收模块，其中，发送模块的输出端与接收模块的输入端电性连接，且TVS二极管阵列模块具有至少两个通讯端口，TVS二极管阵列模块至少两个通讯端口分别与发送模块的输出端和接收模块的输入端电性连接；发送模块向接收模块发送数据，对TVS二极管阵列模块进行防静电保护测试，通过比对发送端和接收端的数据，依据丢包率判断TVS二极管阵列是否有效进行了防静电保护，进而能够有效的测试TVS二极管在实际电路中的防静电保护能力，确保其在受到干扰信号时能够保护数据不丢失或损坏。
技术研发人员：蔡增,谭建东,李卫平,程涛,饶尊煜,刘维,王艺澄,韩毅,丁志强,吴楚俊
受保护的技术使用者：中电中南（武汉）计量检测有限公司
技术研发日：20231226
技术公布日：2024/9/23