识别晶圆缺陷的方法和系统与流程

本发明涉及半导体生产领域，特别涉及一种识别晶圆缺陷的方法和系统。

背景技术：

1、在大型集成电路晶圆生产过程中，在各个制程工艺节点检测工艺过程中产生的缺陷问题是控制和提高良率的必要手段。目前，大型半导体工厂一般都设置有多个缺陷扫描站点，每个缺陷扫描站点负责扫描某几种晶圆缺陷。同时，还设置有缺陷报警系统，现有的缺陷报警系统中，主要依靠单片晶圆上缺陷的数量阈值来判断是否报警，当一片晶圆上的缺陷数量超过阈值则缺陷报警系统发出报警，然后将该片晶圆送入sem review程序(电镜检验)进行扫描，从而确定缺陷的类型。

2、实际生产中，存在一种或几种对晶圆良率产生较大影响的特殊缺陷，为了提高晶圆良率，具有任一特定种类的缺陷的晶圆都应该被拦截。然而，现有的缺陷报警系统只根据单片晶圆上缺陷的数量阈值来判断是否报警，如果缺陷的数量小于阈值，即便该片晶圆的缺陷中存在特殊缺陷，也不会触发报警，则无法发现该片晶圆上的特殊缺陷因而造成更多的良率损失。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种识别晶圆缺陷的方法和系统，可以拦截具有良率影响大的特殊缺陷的晶圆，以避免缺陷数量小于阈值且具有特殊缺陷的晶圆被送入后续工艺工序而导致更多的良率损失，本发明可以有效识别良率影响大的特殊缺陷，显著地提升产品良率。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种识别晶圆缺陷的方法，其包括：

3、获取晶圆在当前站点的缺陷数量；

4、当所述缺陷数量小于或者等于阈值时，将所述晶圆的缺陷图像和缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到相似度系列；

5、若所述相似度系列中存在大于或等于预设值的相似度，则检测所述晶圆的缺陷类型。

6、可选的，若所述晶圆的缺陷图像为多个时，将所述晶圆的每个缺陷图像均与所述缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到所述相似度系列。

7、可选的，所述预设值为80％。

8、可选的，所述缺陷数据库中的所述缺陷图像经过降噪处理。

9、可选的，所述预设值为75％～85％。

10、可选的，若所述相似度系列中的相似度均小于所述预设值，则将所述晶圆送入后续工艺工序。

11、可选的，对于缺陷数量超过阈值的晶圆，则检测所述晶圆的缺陷类型。

12、可选的，通过电镜来检测所述晶圆的缺陷类型。

13、可选的，建立所述缺陷数据库的步骤包括：将缺陷扫描站点的信息及所述缺陷扫描站点对应的多个缺陷图像录入缺陷数据库。

14、基于本发明的另一个方面，本发明还提供一种识别晶圆缺陷的系统，其包括：

15、缺陷数量获取模块，其用于获取晶圆在当前站点的缺陷数量；

16、对比模块，当所述缺陷数量小于或者等于阈值时，所述对比模块将所述晶圆的缺陷图像和缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到相似度系列；

17、判定模块，若所述判定模块判定所述相似度系列中存在大于或等于预设值的相似度，则检测所述晶圆的缺陷类型。

18、如上配置，本发明先根据单片晶圆上的缺陷数量对晶圆做一次分选，如果缺陷数量大于阈值，就将晶圆送去检测缺陷类型，如果缺陷数量小于或者等于阈值，则将晶圆的缺陷图像和缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，且缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像是指特殊缺陷的缺陷图像，比如一片晶圆上有多个缺陷图像，就要将晶圆上的每个缺陷图像都和缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到相似度系列，如果相似度系列中存在大于或等于预设值的相似度，就将该片晶圆送去检测缺陷类型，如果相似度系列中的相似度均小于预设值，就将该片晶圆送入后续工艺工序正常加工。本发明可以拦截具有良率影响大的特殊缺陷的晶圆，以避免缺陷数量小于阈值且具有特殊缺陷的晶圆被送入后续工艺工序而导致更多的良率损失，本发明可以有效识别良率影响大的特殊缺陷，显著地提升产品良率。

19、需要说明的是，识别晶圆缺陷的系统和识别晶圆缺陷的方法属于同一个发明构思，具有相同或者相应的特定技术特征，所以识别晶圆缺陷的系统也具有识别晶圆缺陷的方法的技术效果，这里不再重复说明。

技术特征：

1.一种识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，若所述晶圆的缺陷图像为多个时，将所述晶圆的每个缺陷图像均与所述缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到所述相似度系列。

3.如权利要求1所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述预设值为80％。

4.如权利要求1所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述缺陷数据库中的所述缺陷图像经过降噪处理。

5.如权利要求1所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述预设值为75％～85％。

6.如权利要求1所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，若所述相似度系列中的相似度均小于所述预设值，则将所述晶圆送入后续工艺工序。

7.如权利要求1所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，对于缺陷数量超过阈值的晶圆，则检测所述晶圆的缺陷类型。

8.如权利要求1或7所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，通过电镜来检测所述晶圆的缺陷类型。

9.如权利要求1所述的识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，建立所述缺陷数据库的步骤包括：将缺陷扫描站点的信息及所述缺陷扫描站点对应的多个缺陷图像录入缺陷数据库。

10.一种识别晶圆缺陷的系统，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供了一种识别晶圆缺陷的方法和系统，方法包括：获取晶圆在当前站点的缺陷数量；当缺陷数量小于或者等于阈值时，将晶圆的缺陷图像和缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到相似度系列；若相似度系列中存在大于或等于预设值的相似度，则检测晶圆的缺陷类型。本发明可以拦截具有良率影响大的特殊缺陷的晶圆，以避免缺陷数量小于阈值且具有特殊缺陷的晶圆被送入后续工艺工序而导致更多的良率损失，本发明可以有效识别良率影响大的特殊缺陷，显著地提升产品良率。

技术研发人员：韩俊伟
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23