缺陷晶圆加扫和结果判断的方法及系统与流程
本发明涉及半导体，特别涉及一种缺陷晶圆加扫和结果判断的方法及系统。
背景技术：
1、在晶圆加工制造过程中，对晶圆在线工艺的缺陷监控是必不可少的重要环节。发现制造晶圆出现缺陷的缺陷异常机台并及时锁定发生的时间及影响的一批次中晶圆的数量是保证良率稳定的关键。
2、但是，在实际操作中，对于缺陷晶圆的获取、加扫及结果确认均需要人为进行操作，过程繁琐、耗时耗力。特别是针对后段制程，由于两道工艺之间等待的时间及工艺特性等因素，为缺陷晶圆的加扫带来了一定的限制和困难；因此提高缺陷晶圆加扫和缺陷晶圆的结果判断的时效性和便利性至关重要。
3、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种缺陷晶圆加扫和结果判断的方法及系统，以解决如何提高缺陷晶圆加扫和缺陷晶圆结果判断的时效性和便利性的问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种缺陷晶圆加扫和结果判断的方法，包括：
3、建立缺陷晶圆的缺陷扫描数据库和加扫规则；
4、获取缺陷晶圆，基于所述加扫规则将确认加扫的缺陷晶圆设置标签，并将具有标签的缺陷晶圆进行加扫；
5、将扫描结果与所述缺陷扫描数据库进行比对，若加扫的缺陷晶圆存在异常，则判定为ng，若加扫的缺陷晶圆无异常，则判定为ok。
6、优选地，所述加扫规则包括：
7、将缺陷晶圆分为0～n等级，其中，n为大于等于1的整数，等级越高，加扫越严格，并将缺陷晶圆流经的机台设置为异常机台；
8、设置缺陷晶圆的初始加扫等级为m，其中，0≤m<n，m为整数；
9、若异常机台存在报废的现象，则将该异常机台过货的缺陷晶圆加扫等级重置为m+1；
10、若异常机台的机台特性、腔室和传输路径一致，则将该异常机台过货的缺陷晶圆设置标签；
11、若不同批次的缺陷晶圆经过异常机台的相同位置加载时，则将缺陷晶圆设置标签，其余批次的缺陷晶圆按照位置区分进行级别划分；
12、将相同产品且相同工艺层缺陷晶圆设置标签；
13、将相邻批次的缺陷晶圆均设置标签，其余批次的缺陷晶圆，按照间隔远近进行划分等级，两批次的缺陷晶圆，间隔越近，等级越高。
14、优选地，所述加扫规则还包括：
15、若出现多种加扫情况，则该缺陷晶圆的加扫等级增加。
16、优选地，所述晶圆的缺陷扫描数据库为晶圆缺陷标准数据库，并且该晶圆缺陷标准数据库由工程师编辑设定，形成缺陷的判定标准；且该判定标准能由工程师根据制造标准进行实时调整。
17、优选地，所述扫描结果与缺陷扫描数据库进行比对包括：
18、所述加扫晶圆的缺陷map与缺陷扫描数据库中的缺陷map是否一致，若不一致，则判定为ng，若一致，则判定为ok；
19、在相同产品且相同工艺层条件下，加扫晶圆缺陷的总数量是否大于晶圆缺陷标准数据库设定的标准数量，若加扫晶圆缺陷的总数量大于设定的标准数量，则判定为ng，若加扫晶圆缺陷的总数量小于等于设定的标准数量，则判定为ok。
20、基于相同的发明思想，本发明还提供了一种缺陷晶圆加扫和结果判断的系统，包括：
21、数据存储系统，内置有晶圆的缺陷扫描数据库和加扫规则；
22、缺陷通报系统，用于实时获取缺陷晶圆，以及产生缺陷晶圆的异常机台；
23、mes制造系统，将具有标签的缺陷晶圆进行加扫；
24、自动加扫及缺陷判断系统，分别连接至缺陷通报系统和mes制造系统，用于基于所述加扫规则将确认加扫的缺陷晶圆设置标签，并将具有标签的缺陷晶圆进行加扫；将扫描结果与所述缺陷扫描数据库进行比对，若加扫的缺陷晶圆存在异常，则判定为ng，若加扫的缺陷晶圆无异常，则判定为ok。
25、优选地，所述加扫规则包括：
26、将缺陷晶圆分为0～n等级，其中，n为大于等于1的整数，等级越高，加扫越严格，并将缺陷晶圆流经的机台设置为异常机台；
27、设置缺陷晶圆的初始加扫等级为m，其中，0≤m<n，m为整数；
28、若异常机台存在报废的现象，则将该异常机台过货的缺陷晶圆加扫等级重置为m+1；
29、若异常机台的机台特性、腔室和传输路径一致，则将该异常机台过货的缺陷晶圆设置标签；
30、若不同批次的缺陷晶圆经过异常机台的相同位置加载时，则将缺陷晶圆设置标签，其余批次的缺陷晶圆按照位置区分进行级别划分；
31、将相同产品且相同工艺层缺陷晶圆设置标签；
32、将相邻批次的缺陷晶圆均设置标签，其余批次的缺陷晶圆，按照间隔远近进行划分等级，两批次的晶圆，间隔越近，等级越高。
33、优选地，所述加扫规则还包括：
34、若出现多种加扫情况，则该缺陷晶圆的加扫等级增加。
35、优选地，所述晶圆的缺陷扫描数据库为晶圆缺陷标准数据库，并且该晶圆缺陷标准数据库由工程师编辑设定，形成缺陷的判定标准；且该判定标准能由工程师根据制造标准进行实时调整。
36、优选地，所述扫描结果与缺陷扫描数据库进行比对包括：
37、所述加扫晶圆的缺陷map与缺陷扫描数据库中的缺陷map是否一致，若不一致，则判定为ng，若一致，则判定为ok；
38、在相同产品且相同工艺层条件下，加扫晶圆缺陷的总数量是否大于晶圆缺陷标准数据库设定的标准数量，若加扫晶圆缺陷的总数量大于设定的标准数量，则判定为ng，若加扫晶圆缺陷的总数量小于等于设定的标准数量，则判定为ok。
39、与现有技术相比，本发明的缺陷晶圆加扫和结果判断的方法具有如下优点：
40、本发明通过建立缺陷晶圆的缺陷扫描数据库和加扫规则；获取缺陷晶圆，基于所述加扫规则将确认加扫的缺陷晶圆设置标签，并将具有标签的缺陷晶圆进行加扫；将扫描结果与所述缺陷扫描数据库进行比对，若加扫的缺陷晶圆存在异常，则判定为ng，若加扫的缺陷晶圆无异常，则判定为ok。由此，本发明提供的缺陷晶圆加扫和结果判断的方法，由于设置加扫规则，并基于加扫规则，将确认加扫的缺陷晶圆设置标签，并将具有标签的缺陷晶圆进行加扫。从而能够建立各系统及数据库的联动，实现自动加扫及结果判断，当判断结果出来后，可以自动实现预警，提高缺陷晶圆的加扫和缺陷晶圆结果判断的时效性和便利性。
41、本发明提供的缺陷晶圆加扫和结果判断的系统与本发明提供的缺陷晶圆加扫和结果判断的系统方法属于同一发明构思，因此，本发明提供的缺陷晶圆加扫和结果判断的系统至少具有本发明提供的缺陷晶圆加扫和结果判断的方法的所有优点，通过自动加扫及缺陷判断系统，将缺陷通报系统、mes制造系统和数据存储系统进行联动，从而实现异常机台过货的缺陷晶圆自动扫描和结果的自动预判，提高缺陷晶圆的加扫和缺陷晶圆结果判断的时效性和便利性。
技术特征：
1.一种缺陷晶圆加扫和结果判断的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的方法，其特征在于，所述加扫规则包括：
3.根据权利要求2所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的方法，其特征在于，所述加扫规则还包括：
4.根据权利要求1所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的方法，其特征在于，所述晶圆的缺陷扫描数据库为晶圆缺陷标准数据库，并且该晶圆缺陷标准数据库由工程师编辑设定，形成缺陷的判定标准；且该判定标准能由工程师根据制造标准进行实时调整。
5.根据权利要求1所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的方法，其特征在于，所述扫描结果与缺陷扫描数据库进行比对包括：
6.一种缺陷晶圆加扫和结果判断的系统，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的系统，其特征在于，所述加扫规则包括：
8.根据权利要求7所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的系统，其特征在于，所述加扫规则还包括：
9.根据权利要求6所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的系统，其特征在于，所述晶圆的缺陷扫描数据库为晶圆缺陷标准数据库，并且该晶圆缺陷标准数据库由工程师编辑设定，形成缺陷的判定标准；且该判定标准能由工程师根据制造标准进行实时调整。
10.根据权利要求6所述的缺陷晶圆加扫和结果判断的系统，其特征在于，所述扫描结果与缺陷扫描数据库进行比对包括：
技术总结
本发明提供了一种缺陷晶圆加扫和结果判断的方法及系统，属于半导体领域。该缺陷晶圆加扫和结果判断的方法包建立缺陷晶圆的缺陷扫描数据库和加扫规则；获取缺陷晶圆，基于所述加扫规则将确认加扫的缺陷晶圆设置标签，并将具有标签的缺陷晶圆进行加扫；将扫描结果与所述缺陷扫描数据库进行比对，若加扫的缺陷晶圆存在异常，则判定为NG，若加扫的缺陷晶圆无异常，则判定为OK。本发明通过设置加扫规则，并基于加扫规则，将确认加扫的缺陷晶圆设置标签，并将具有标签的缺陷晶圆进行加扫。从而能够建立各系统及数据库的联动，实现自动加扫及结果判断，当判断结果出来后，可以自动实现预警，提高缺陷晶圆的加扫和缺陷晶圆结果判断的时效性和便利性。
技术研发人员：汪金凤,胡向华
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23