一种发光模组的制作方法
本发明主要涉及显示，具体涉及一种发光模组。
背景技术：
1、数字化车灯是目前汽车行业的主要技术之一，基于数字化车灯达到高亮度的显示效果，以及图案化的灯光效果，目前主要通过数字微镜片器件(digital micromirrordevice，dmd)的数字光处理(digital light processing，dlp)技术实现数字化车的显示效果。
2、由于dlp技术为百万级别像素显示，达到精细照明分区和超高清成像投影效果，需要在车灯上集成多个发光芯片，导致车灯的光学结构设计复杂，且多个发光芯片之间容易出现串光问题，影响数字化车灯的出光光效。
技术实现思路
1、本发明的目的在于克服现有技术的不足，本发明提供了一种发光模组，所述发光模组基于双层封装和芯片阵列配合，简化车灯的光学结构，在芯片阵列的若干个p电极和若干个n电极之间填充支撑胶，提高芯片阵列的出光对比度，从而提高所述发光模组的出光光效。
2、本发明提供了一种发光模组，所述发光模组包括：基板、设置在所述基板上的芯片阵列、包覆在所述芯片阵列四周的围坝、设置在所述芯片阵列上方的光转换层、以及包覆在所述围坝四周的封装层；
3、所述芯片阵列设置有若干个p电极和若干个n电极，所述若干个p电极和所述若干个n电极之间填充有支撑胶。
4、进一步的，所述围坝为透明胶层，所述封装层为黑色胶层，或所述封装层为白色胶层。
5、进一步的，所述围坝的高度为h1，所述光转换层的高度为h2，所述h1和所述h2之间的约束关系为：h1≥h2。
6、进一步的，所述基板为硅基线路板，所述硅基线路板上设置有驱动电路，所述芯片阵列的若干个发光芯片与所述驱动电路电性连接。
7、进一步的，所述发光模组还包括过渡载板，所述基板设置在所述过渡载板上，所述基板基于所述过渡载板电性连接在外部电路板上。
8、进一步的，所述过渡载板的热膨胀系数介于所述基板的热膨胀系数以及所述外部电路板的热膨胀系数之间。
9、进一步的，所述过渡载板上设置有金属电极，所述基板上设置有连接电极，所述过渡载板的金属电极与所述基板上的连接电极基于焊线电性连接。
10、进一步的，所述金属电极、所述连接电极以及所述焊线容纳在所述封装层内。
11、进一步的，所述芯片阵列包括芯片主体结构，所述芯片主体结构包括：依次层叠设置的缓冲层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层和电极过渡层；
12、所述芯片主体结构内形成有所述若干个p电极和所述若干个n电极。
13、进一步的，所述芯片主体结构上开设有若干个线槽，所述芯片主体结构基于所述线槽形成阵列排布的若干个凸台；
14、所述若干个凸台的阵列结构中包括若干个n极凸台和若干个p极凸台，在所述p极凸台上形成p电极，且所述若干个p电极形成p电极阵列，在所述n极凸台上形成n电极，所述若干个n电极设置在所述p电极阵列的外缘。
15、进一步的，所述p电极阵列与所述若干个n电极之间设置有过渡列，所述过渡列上设置有若干个过渡电极。
16、进一步的，所述p电极、n电极和过渡电极的高度相同。
17、进一步的，所述n电极包括设置在所述n极凸台的第一电极层以及设置在所述第一电极层上的n极焊点，所述第一电极层的一侧沿所述n极凸台的侧壁向所述线槽的底部延伸；
18、所述p电极包括设置在所述p极凸台的第二电极层以及设置在所述第二电极层上的p极焊点。
19、进一步的，任一所述线槽的开槽深度延伸至所述n型半导体层，
20、所述n电极的第一电极层延伸至所述n型半导体层，且任一所述p电极基于所述n型半导体层与所述n电极的第一电极层连接，形成发光芯片结构。
21、进一步的，所述p电极阵列与所述若干个n电极之间设置有过渡列，所述过渡列上设置有若干个过渡电极，所述过渡列用于分隔所述p电极阵列和所述若干个n电极。
22、进一步的，所述芯片阵列还包括电流引导层，所述电流引导层设置在所述若干个线槽中的至少一个线槽内。
23、本发明提供了一种发光模组，所述发光模组基于透明胶层形成的围坝以及封装层，实现对芯片阵列和光转换层的双层封装，提高芯片阵列的出光光效，基于双层封装和芯片阵列结构配合，简化车灯的结构设计。通过在芯片阵列的若干个p电极和若干个n电极之间填充支撑胶，提高芯片阵列的出光对比度，从而提高所述发光模组的出光光效。
技术特征：
1.一种发光模组，其特征在于，所述发光模组包括：基板、设置在所述基板上的芯片阵列、包覆在所述芯片阵列四周的围坝、设置在所述芯片阵列上方的光转换层、以及包覆在所述围坝四周的封装层；
2.如权利要求1所述发光模组，其特征在于，所述围坝为透明胶层，所述封装层为黑色胶层，或所述封装层为白色胶层。
3.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述围坝的高度为h1，所述光转换层的高度为h2，所述h1和所述h2之间的约束关系为：h1≥h2。
4.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述基板为硅基线路板，所述硅基线路板上设置有驱动电路，所述芯片阵列的若干个发光芯片与所述驱动电路电性连接。
5.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组还包括过渡载板，所述基板设置在所述过渡载板上，所述基板基于所述过渡载板电性连接在外部电路板上。
6.如权利要求5所述的发光模组，其特征在于，所述过渡载板的热膨胀系数介于所述基板的热膨胀系数以及所述外部电路板的热膨胀系数之间。
7.如权利要求6所述的发光模组，其特征在于，所述过渡载板上设置有金属电极，所述基板上设置有连接电极，所述过渡载板的金属电极与所述基板上的连接电极基于焊线电性连接。
8.如权利要求7所述的发光模组，其特征在于，所述金属电极、所述连接电极以及所述焊线容纳在所述封装层内。
9.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述芯片阵列包括芯片主体结构，所述芯片主体结构包括：依次层叠设置的缓冲层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层和电极过渡层；
10.如权利要求9所述的发光模组，其特征在于，所述芯片主体结构上开设有若干个线槽，所述芯片主体结构基于所述线槽形成阵列排布的若干个凸台；
11.如权利要求10所述的发光模组，其特征在于，所述p电极阵列与所述若干个n电极之间设置有过渡列，所述过渡列上设置有若干个过渡电极。
12.如权利要求11所述的发光模组，其特征在于，所述p电极、n电极和过渡电极的顶面处于同一水平面上。
13.如权利要求10所述的发光模组，其特征在于，所述n电极包括设置在所述n极凸台的第一电极层以及设置在所述第一电极层上的n极焊点，所述第一电极层的一侧沿所述n极凸台的侧壁向所述线槽的底部延伸；
14.如权利要求13所述的发光模组，其特征在于，任一所述线槽的开槽深度延伸至所述n型半导体层，
15.如权利要求10所述的发光模组，其特征在于，所述p电极阵列与所述若干个n电极之间设置有过渡列，所述过渡列上设置有若干个过渡电极，所述过渡列用于分隔所述p电极阵列和所述若干个n电极。
16.如权利要求10所述的发光模组，其特征在于，所述芯片阵列还包括电流引导层，所述电流引导层设置在所述若干个线槽中的至少一个线槽内。
技术总结
本发明公开了一种发光模组，所述发光模组包括：基板、设置在所述基板上的芯片阵列、包覆在所述芯片阵列四周的围坝、设置在所述芯片阵列上方的光转换层、以及包覆在所述围坝四周的封装层；所述芯片阵列设置有若干个P电极和若干个N电极，所述若干个P电极和所述若干个N电极之间填充有支撑胶。基于双层封装和芯片阵列配合，简化车灯的光学结构，在芯片阵列的若干个P电极和若干个N电极之间填充支撑胶，提高芯片阵列的出光对比度，从而提高所述发光模组的出光光效。
技术研发人员：赵龙,陈黎敏,朱丽娜,章金惠,梁丽芳,谢志国
受保护的技术使用者：佛山市国星光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23