一种等离子辐照的多孔MXene膜及其制备方法与应用

xiaoxiao4月前  45


本发明属于分离膜材料,尤其涉及一种等离子辐照的多孔mxene膜及其制备方法与应用。


背景技术:

1、mxene作为一种二维过渡金属碳化物或碳氮化物,由于其丰富的官能团和可调的层间距,作为气体、离子分离的膜材料显示出巨大的潜力。然而,mxene膜也存在层间传输路径长、渗透率低的问题,因此,引入额外的传输通道是提高二维片层mxene膜分离性能的必要条件。

2、在二维纳米片上引入人造孔是一种缩短传质路径的有效策略。目前有少数研究者利用化学蚀刻方法(如cu2+、h2o2和h2so4)来制备多孔mxene膜,缩短了分子在层间的传输路径,在染料分离、海水淡化等领域显示出更好的渗透性。但现有技术中的造孔方法通常涉及污染物的引入,造出的孔径一般为纳米尺寸,很难实现埃米孔,难以应用于对孔径要求更加苛刻的气体分离领域;另外,大多数造孔方法都是先对mxene纳米片进行造孔再组装成膜,不能对mxene膜进行直接造孔。

3、因此,如何提供一种绿色简单的造孔策略直接作用于mxene膜,制备出高性能的多孔mxene气体分离膜是本领域技术人员亟需解决的技术问题。


技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本发明提出了一种等离子辐照的多孔mxene膜及其制备方法与应用。

2、为实现上述目的,本发明提供了以下技术方案:

3、一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法,包括以下步骤:

4、将mxene纳米片水分散液于基底上旋涂、干燥后,再经等离子辐照造孔,重复上述旋涂、干燥及等离子辐照步骤,即得到所述多孔mxene膜。

5、优选的,所述mxene纳米片水分散液的浓度为0.1-0.5mg/ml。

6、优选的,所述mxene纳米片水分散液中的mxene纳米片为ti3c2tx、ti2ctx、mo2ctx、v2ctx、nb2ctx、nb4c3tx中的一种或任意几种。

7、优选的,所述mxene纳米片水分散液的分散介质为水、乙醇、丙酮、n,n-二甲基甲酰胺中的至少一种。

8、更为优选的,所述mxene纳米片水分散液中的mxene纳米片为ti3c2tx纳米片。

9、更为优选的,所述ti3c2tx纳米片通过化学刻蚀法制备得到。

10、优选的,所述基底的孔径大小为0.1-0.45nm;

11、所述基底的材质为聚醚砜、尼龙、聚偏氟乙烯、醋酸纤维素、聚丙烯腈、聚砜中的至少一种。

12、更为优选的,所述基底的材质为聚醚砜。

13、优选的,所述等离子辐照中的等离子为ar,且辐照功率为100-200w,辐照时间为2-10min,气体流速为100-160ml/min。需要说明的是,ar,he,n2,h2,sf6均有物理刻蚀作用,理论上都能对mxene膜进行造孔。

14、优选的,所述重复的次数为5-20次。

15、一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法制备得到的多孔mxene膜。

16、本发明的造孔机理为:本发明利用等离子清洗机通过高频电源将气体激发成等离子体,产生高能量的电子、正负离子和中性粒子,其与mxene纳米片表面的ti和c原子发生溅射刻蚀作用,进而穿透mxene膜层制备得到多孔mxene膜。mo2ctx、v2ctx、nb2ctx、nb4c3tx和中的金属原子和ti原子均属于过渡金属元素,理论上也会被ar等离子溅射走形成孔。本发明中的多孔mxene膜的孔径可通过调控等离子功率、辐照时间、气体流速等参数实现从埃米到纳米尺寸的调节,进一步增加了mxene膜的传输通道;其中,埃米孔可控制在h2/co2分子动力学直径之间,有效的层间和面内双级气体筛分通道实现了多孔mxene膜的高渗透和高选择性兼具。

17、优选的,所述多孔mxene膜的厚度为30-150nm,孔径为0.1-5nm。

18、一种等离子辐照的多孔mxene膜在气体分离中的应用。

19、优选的,所述气体分离为h2/co2气体分离。

20、与现有技术相比,本发明具有如下优点和技术效果:

21、本发明利用等离子辐照技术直接对mxene膜进行造孔,造孔方法简单成本低,且孔径可从埃米到纳米尺度调节。本发明经等离子辐照后得到的多孔mxene膜的孔径可控制在h2/co2分子动力学直径之间,有效的面内和层间双级气体筛分通道赋予了多孔mxene膜超高的气体渗透性和优异的选择性。



技术特征:

1.一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法,其特征在于,所述mxene纳米片水分散液的浓度为0.1-0.5mg/ml。

3.根据权利要求2所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法,其特征在于,所述mxene纳米片水分散液中的mxene纳米片为ti3c2tx、ti2ctx、mo2ctx、v2ctx、nb2ctx、nb4c3tx中的一种或任意几种。

4.根据权利要求1所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法,其特征在于,所述基底的孔径大小为0.1-0.45nm;

5.根据权利要求1所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法,其特征在于,所述等离子辐照中的等离子为ar,且辐照功率为100-200w,辐照时间为2-10min,气体流速为100-160ml/min。

6.根据权利要求1所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法,其特征在于,所述重复的次数为5-20次。

7.如权利要求1-6任一项所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜的制备方法制备得到的多孔mxene膜。

8.根据权利要求7所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜,其特征在于,所述多孔mxene膜的厚度为30-150nm,孔径为0.1-5nm。

9.如权利要求7或8所述的一种等离子辐照的多孔mxene膜在气体分离中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述气体分离为h2/co2气体分离。


技术总结
本发明公开了一种等离子辐照的多孔MXene膜及其制备方法与应用,属于分离膜材料技术领域,包括以下步骤:将MXene纳米片水分散液于基底上旋涂、干燥后,再经等离子辐照造孔,重复上述旋涂、干燥及等离子辐照步骤,即得到所述多孔MXene膜。本发明还公开了上述制备方法制备得到的多孔MXene膜及其在气体分离中的应用。本发明经等离子辐照后得到的多孔MXene膜的孔径可控制在H<subgt;2</subgt;/CO<subgt;2</subgt;分子动力学直径之间,有效的面内和层间双级气体筛分通道赋予了多孔MXene膜超高的气体渗透性和优异的选择性。

技术研发人员:魏嫣莹,王宇飞,卢纵,罗米得
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:
技术公布日:2024/9/23

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