一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置的制作方法
本发明涉及磁体加工领域，更具体的说是一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置。
背景技术：
1、钕铁硼磁铁是由钕、铁、硼形成的四方晶系晶体。这种磁铁的磁能积大于钐钴磁铁，是当时全世界磁能积最大的物质。这种磁铁是现今磁性仅次于绝对零度钬磁铁的永久磁铁，也是最常使用的稀土磁铁。而磁铁常常被加工成圆环状、圆柱状、立方体等多种形状使用，磁体在使用时具有不耐磨、不耐腐蚀等多种缺陷，为了增强磁体在使用中耐磨、耐腐蚀等性能，需要在磁体的表面进行喷涂处理，通过磁体表面的涂层提高磁体的性能，而现在提高钕铁硼磁体抗腐蚀的技术，不便于在圆环状钕铁硼磁体滚动运输的过程中进行进行涂层的反复喷涂和烘干，确保涂料的稳定附着，增强钕铁硼磁体抗腐蚀性能。
技术实现思路
1、为优化现有技术的不足，本发明提供一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，能够在圆环状钕铁硼磁体滚动运输的过程中进行进行涂层的反复喷涂和烘干，确保涂料的稳定附着，增强钕铁硼磁体抗腐蚀性能。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，包括底架以及固接在底架两侧的定架和气缸，气缸的气缸杆上固接有托框，托框内设置有滑槽，定架上转动连接有滑道，滑道的自由端固接有调节架，调节架设置在滑槽内，滑道上固接有支撑框，支撑框上固接有两个加热管，每个加热管上固接有多个加热框，每个加热管对应设置有固接在同侧的多个加热框上的喷涂架。
4、进一步的，所述喷涂架上设置有多个喷涂管。
5、进一步的，所述喷涂架上设置有供料管。
6、进一步的，所述两个加热管上设置有连通架，两个连通架上设置有顶架。
7、进一步的，所述顶架与滑道上下对应。
8、本发明一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置的有益效果为：能够在圆环状钕铁硼磁体滚动运输的过程中进行进行涂层的反复喷涂和烘干，确保涂料的稳定附着，增强钕铁硼磁体抗腐蚀性能；还可以在磁体运输过程中调节高度，确保磁体充分的喷涂和烘烤，确保喷涂效果，还可以调节磁体的滚动速度和滚动时间，调节磁体的运输速度和加工时间。
技术特征：
1.一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：包括底架(11)以及固接在底架(11)两侧的定架(12)和气缸(13)，气缸(13)的气缸杆上固接有托框(14)，托框(14)内设置有滑槽，定架(12)上转动连接有滑道(21)，滑道(21)的自由端固接有调节架(22)，调节架(22)设置在滑槽内，滑道(21)上固接有支撑框(25)，支撑框(25)上固接有两个加热管(31)，每个加热管(31)上固接有多个加热框(32)，每个加热管(31)对应设置有固接在同侧的多个加热框(32)上的喷涂架(42)。
2.根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述喷涂架(42)上设置有多个喷涂管(43)。
3.根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述喷涂架(42)上设置有供料管(44)。
4.根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述两个加热管(31)上设置有连通架(51)，两个连通架(51)上设置有顶架(52)。
5.根据权利要求4所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述顶架(52)与滑道(21)上下对应。
6.根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述滑道(21)上设置有多个凸棱(24)。
7.根据权利要求6所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述滑道(21)上设置有两个限位板(23)，两个限位板(23)与调节架(22)上下对应。
8.根据权利要求7所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述滑道(21)和两个限位板(23)均进行倒角加工。
9.根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：每个所述喷涂架(42)上设置有加压管(41)。
10.根据权利要求2所述的一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置，其特征在于：所述多个喷涂管(43)对称设置。
技术总结
本发明涉及磁体加工领域，更具体的说是一种提高钕铁硼磁体抗腐蚀性能的加工装置。包括底架以及固接在底架两侧的定架和气缸，气缸的气缸杆上固接有托框，托框内设置有滑槽，定架上转动连接有滑道，滑道的自由端固接有调节架，调节架设置在滑槽内，滑道上固接有支撑框，支撑框上固接有两个加热管，每个加热管上固接有多个加热框，每个加热管对应设置有固接在同侧的多个加热框上的喷涂架。所述喷涂架上设置有多个喷涂管。所述喷涂架上设置有供料管。所述两个加热管上设置有连通架，两个连通架上设置有顶架。能够在圆环状钕铁硼磁体滚动运输的过程中进行进行涂层的反复喷涂和烘干，确保涂料的稳定附着，增强钕铁硼磁体抗腐蚀性能。
技术研发人员：吴中平,郭冰倩,蒋乾龙,孙伟阳,金萍
受保护的技术使用者：浙江中科磁业股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23