一种高压断路器灭弧室结构的制作方法

本发明涉及一种高压断路器灭弧室结构，属于高压断路器领域。

背景技术：

1、现有的高压断路器一般为以下几种结构形式：

2、1.压缩空气断路器：由承压金属壳体、压缩空气、灭弧室内部动静触头以及操作机构组成。以压缩空气为绝缘介质，并在分闸时由压气缸推动来吹熄电弧。操作机构通常为电动、液压及弹簧储能单元组成。存在的缺点为：结构复杂、工艺要求高、有色金属消耗多。需要较高的空气压力，通常为0.7～2mpa；

3、2.sf6断路器：由承压金属壳体、压缩sf6气体、灭弧室内部动静触头以及操作机构组成。以压缩压缩sf6气体为绝缘介质，并在分闸时由压气缸推动来吹熄电弧。操作机构通常为电动、液压及弹簧储能单元组成。存在的缺点为：结构复杂、工艺要求高、有色金属消耗多。需要一定的气体压力，通常为0.4～0.7mpa。sf6气体是温室气体，处理和管理工艺复杂；

技术实现思路

1、本发明创造提供一种高压断路器灭弧室结构，解决现有技术中存在的结构复杂、工艺要求高的技术问题。

2、本发明创造是通过以下技术方案实现的：一种高压断路器灭弧室结构，在绝缘壳体的顶部设有由高熵多孔陶瓷制成的陶瓷灭弧板，所述的陶瓷灭弧板为n个，左右交错并列排布。

3、n个所述的陶瓷灭弧板排布组成灭弧板组；灭弧板组中，陶瓷灭弧板的最低点连线为两侧较低中间较高的拱形。所述的陶瓷灭弧板为扇形，一条直角边与绝缘壳体顶部内面连接，另一条直角边连接绝缘壳体内部侧壁且竖直向下；相邻的两个陶瓷灭弧板之间，弧形边朝向相对。

4、所述的相邻的两个陶瓷灭弧板之间交错设置，其侧投影具有重合部分。

5、所述的陶瓷灭弧板的弧形边厚度大于其他位置板材厚度。

6、所述的陶瓷灭弧板由高熵多孔陶瓷制成，内部设有微观孔隙，孔隙密集排布，用于存留液体。所述的液体为水和乙二醇的混合液。

7、所述的绝缘壳体为由空腔环氧树脂蒙皮内填发泡环氧树脂制成。

8、所述的绝缘壳体内部填满气体，所述的气体为空气，或氮气和二氧化碳的混合气，所述的气体为常压、负压或正压状态。

9、所述的陶瓷灭弧板通过金属螺纹嵌件或卡槽结构与绝缘壳体之间安装。

10、本发明创造的有益效果为：本发明提供一种高压断路器灭弧室结构，通过陶瓷灭弧板及内部存留液体的设置，能够推挤拉扯电弧，使其导电通道路径总长增加，电弧与灭弧介质充分接触，并提供部分灭弧介质；通过绝缘壳体及内部气体的设置，能够与外部绝缘，维持整体机械强度，提供部分灭弧介质。

技术特征：

1.一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：在绝缘壳体(2)的顶部设有由高熵多孔陶瓷制成的陶瓷灭弧板(1)，所述的陶瓷灭弧板(1)为n个，左右交错并列排布。

2.根据权利要求1所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：n个所述的陶瓷灭弧板(1)排布组成灭弧板组；灭弧板组中，陶瓷灭弧板(1)的最低点连线为两侧较低中间较高的拱形。

3.根据权利要求1所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的陶瓷灭弧板(1)为扇形，一条直角边与绝缘壳体(2)顶部内面连接，另一条直角边连接绝缘壳体内部侧壁且竖直向下；相邻的两个陶瓷灭弧板(1)之间，弧形边朝向相对。

4.根据权利要求3所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的相邻的两个陶瓷灭弧板(1)之间交错设置，其侧投影具有重合部分。

5.根据权利要求3所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的陶瓷灭弧板(1)的弧形边厚度大于其他位置板材厚度。

6.根据权利要求1所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的陶瓷灭弧板(1)由高熵多孔陶瓷制成，内部设有微观孔隙，孔隙密集排布，用于存留液体。

7.根据权利要求6所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的液体为水和乙二醇的混合液。

8.根据权利要求1所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的绝缘壳体(2)为由空腔环氧树脂蒙皮内填发泡环氧树脂制成。

9.根据权利要求1所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的绝缘壳体(2)内部填满气体，所述的气体为空气，或氮气和二氧化碳的混合气，所述的气体为常压、负压或正压状态。

10.根据权利要求1所述的一种高压断路器灭弧室结构，其特征在于：所述的陶瓷灭弧板(1)通过金属螺纹嵌件或卡槽结构与绝缘壳体(2)之间安装。

技术总结
本发明涉及一种高压断路器灭弧室结构，属于高压断路器领域。高压断路器灭弧室结构包括绝缘壳体和陶瓷灭弧板。在绝缘壳体的顶部设有由高熵多孔陶瓷制成的陶瓷灭弧板，所述的陶瓷灭弧板为N个，左右交错并列排布。本发明通过陶瓷灭弧板及内部存留液体的设置，能够推挤拉扯电弧，使其导电通道路径总长增加，电弧与灭弧介质充分接触，并提供部分灭弧介质；通过绝缘壳体及内部气体的设置，能够与外部绝缘，维持整体机械强度，提供部分灭弧介质。

技术研发人员：朱熠,吴文海,王占鹏,王瑶,边鑫,魏浩宸,李福成
受保护的技术使用者：新东北电气集团高压开关有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23