封装结构以及封装方法、框架结构与流程

本发明实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构以及封装方法、框架结构。

背景技术：

1、半导体封装技术包含许多封装形态，随着芯片封装结构小型化以及薄化的趋势，发展出属于扁平封装系列的四方扁平无外引脚封装(quad flat noleads package，qfn)。四方扁平无外引脚封装因无向外延伸的引脚，尺寸可大幅缩减，并且具有较短的讯号传递路径及相对较快的讯号传递速度。因此，四方扁平无引脚封装适用于中、低脚数的高速及高频产品，并已成为主流封装型态。

2、四方扁平无外引脚封装的底面包括导热焊盘和引脚，导热焊盘位于底面中央位置，并裸露于底面，导热焊盘用于导热；引脚围绕在导热焊盘的外围四周，用于电气连；此外，四方扁平无外引脚封装的芯片粘结至导热焊盘上。

3、目前，四方扁平无外引脚封装结构的产品良率仍有待提高。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种封装结构以及封装方法、框架结构，提高了封装结构的性能。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种封装结构，包括：引线框架，所述引线框架具有第一面以及与其相背的第二面，所述引线框架包括基岛和围绕基岛的多个引脚，所述引脚与基岛相间隔；导电结构，设置于所述引脚的第一面上，所述导电结构与所述引脚电连接，所述导电结构包括支撑部、与所述支撑部顶部位置处的侧壁相接触并向所述基岛方向延伸的第一凸出部、以及与所述支撑部底部位置处的侧壁相接触的第二凸出部，所述第一凸出部和第二凸出部的延伸方向相背离；芯片，设置于所述基岛的第一面上；塑封层，包覆所述第一面的芯片、导电结构和引线框架，且覆盖所述第一焊口；第二焊口，位于所述第二凸出部的底部位置处的侧壁上。

3、相应的，本发明实施例还提供一种封装方法，包括：提供引线框架，所述引线框架包括单元区，所述单元区的引线框架包括基岛和围绕基岛的引脚，所述基岛和引脚之间相间隔；在所述单元区的引脚上设置导电结构，所述导电结构与所述引脚电连接，且所述导电结构与所述引脚相接触部分的上顶表面上设置有第一焊口；在所述单元区的基岛上设置芯片；形成包覆所述芯片、导电结构和引线框架的塑封层，且所述塑封层覆盖所述第一焊口。

4、相应的，本发明实施例还提供一种框架结构，包括：基岛；引脚，围绕所述基岛，且所述引脚与基岛相间隔；导电结构，设置于所述引脚上，所述导电结构与所述引脚电连接；第一焊口，位于所述导电结构与所述引脚相接触部分的上顶表面上。

5、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

6、本发明实施例提供的封装方法中，提供引线框架，所述引线框架包括单元区，所述单元区的引线框架包括基岛和围绕基岛的引脚，所述基岛和引脚之间相间隔，在所述单元区的引脚上设置导电结构，所述导电结构与所述引脚电连接，且所述导电结构与所述引脚相接触部分的上顶表面上设置有第一焊口，第一焊口能够增加导电结构的表面粗糙度，相应的，在后续形成塑封层的过程中，表面粗糙度得到增加的导电结构能够增加与塑封层的结合力，从而提高了封装结构的产品良率和可靠性。另外，通过设置第二焊口，并在所述导电结构的下底表面和所述第二焊口中形成有镀锡层，在将所述封装结构倒置放置于所述电路载板上的过程中，可以更方便的进行侧面爬锡，所述封装结构和所述电路载板的焊点将从所述导电结构的下底表面沿所述第二焊口一直延伸到侧壁，从而在所述封装结构与所述电路载板之间形成增强型焊点，从而进一步增强所述封装结构与电路载板之间的结合力，同时为可焊接性提供一个可视化指标，并且缩短了检查时间。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，相邻所述导电结构的电流路径相互平行。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基岛和引脚的第一面在同一水平面上，所述基岛的第二面高于所述引脚的第二面；

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电结构的材料包括铜、铝、铜合金或镍铁合金等金属材料。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二焊口，位于所述第二凸出部的底部位置处的侧壁上。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电结构露出所述引脚靠近所述芯片一侧的部分表面；

7.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二凸出部的底部表面和所述第二焊口中形成有镀锡层。

8.一种封装方法，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在所述单元区的引脚上设置导电结构的工艺包括激光焊接工艺。

10.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述提供引线框架的步骤中，所述引线框架包括第一面以及与其相背的第二面，且所述基岛和引脚的第一面在同一水平面上，所述基岛的第二面高于所述引脚的第二面；

11.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在设置所述导电结构的步骤中，所述导电结构包括位于相邻所述单元区交界处的引脚上的第一导电结构和位于最外侧所述单元区的引脚上的第二导电结构。

12.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在设置所述导电结构的步骤中，相邻所述单元区交界处的导电结构与所述引脚围成开口。

13.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述第一导电结构包括相邻且凸立的第一支撑部、横跨所述第一支撑部顶部的第一连接部、以及与所述第一支撑部底部位置处的侧壁相接触并向所述基岛方向延伸第一凸出部，所述第一连接部的两端与所述第一支撑部的顶部相接触，且所述第一焊口位于所述第一凸出部的上顶表面。

14.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述第二导电结构包括凸立的第二支撑部、与所述第二支撑部顶部位置处的侧壁相接触的第二凸出部、以及与所述第二支撑部底部位置处的侧壁相接触并向所述基岛方向延伸的第三凸出部，且所述第一焊口位于所述第三凸出部的上顶表面。

15.如权如权利要求11或14所述的封装方法，其特征在于，所述第一导电结构的形状呈ω型。

16.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在设置所述导电结构的步骤中，位于相邻所述单元区交界处的导电结构的宽度尺寸与位于所述单元区中的导电结构的宽度尺寸相等；

17.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在所述单元区的引脚上设置导电结构之后，所述封装方法还包括：在相邻所述单元区交界处的导电结构的顶部、以及最外侧所述单元区的导电结构顶部位置的侧壁上形成第二焊口。

18.如权利要求8或权利要求17所述的封装方法，其特征在于，所述第一焊口和/或第二焊口通过激光焊接工艺形成。

19.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在所述单元区的引脚上设置导电结构之后，在所述单元区的基岛上设置芯片。

20.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在所述单元区的引脚上设置导电结构的步骤中，所述导电结构露出所述引脚靠近所述基岛一侧的部分表面；

21.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，形成所述塑封层之后，封装方法还包括：沿着相邻所述单元区的交界处对引线框架、塑封层和导电结构进行分割处理，形成独立的封装结构。

22.一种框架结构，其特征在于，包括：

23.如权利要求22所述的框架结构，其特征在于，所述导电结构包括位于最外侧所述引脚上的第二导电结构和位于相邻所述第二导电结构之间的第一导电结构。

24.如权利要求23所述的框架结构，其特征在于，所述第一导电结构包括相邻且凸立的第一支撑部、横跨所述第一支撑部顶部的第一连接部、以及与所述第一支撑部底部位置处的侧壁相接触并向所述基岛方向延伸第一凸出部，所述第一连接部的两端与所述第一支撑部的顶部相接触，所述第一凸出部与所述第一连接部的延伸方向相反；

25.如权利要求23或24所述的框架结构，其特征在于，所述第一导电结构的形状呈ω型。

技术总结
一种封装结构以及封装方法、框架结构，封装结构包括：引线框架，引线框架具有第一面以及与其相背的第二面，引线框架包括基岛和围绕基岛的引脚，引脚与基岛相间隔；导电结构，设置于引脚的第一面上，导电结构与引脚电连接，导电结构包括支撑部、与支撑部顶部位置处的侧壁相接触并向所述基岛方向延伸的第一凸出部、以及与支撑部底部位置处的侧壁相接触的第二凸出部，第一凸出部和第二凸出部的延伸方向相背离；芯片，设置于基岛的第一面上；塑封层，包覆第一面的芯片、导电结构和引线框架，且覆盖第一焊口。第一焊口能够增加导电结构的表面粗糙度，在形成塑封层的过程中，表面粗糙度得到增加的导电结构能够增加与塑封层的结合力。

技术研发人员：俞开源,张月升,孙家兴,薛海鹏
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23