一种存储颗粒读取电压的校正系统及校正方法与流程

本发明涉及静态存储，尤其涉及一种存储颗粒读取电压的校正系统及校正方法。

背景技术：

1、在闪存作为存储介质的存储领域中，随着存储单元中保存的位（bit）数量的增加，会导致存储密度大大增加，但也伴随着存储单元中各个状态的阈值电压（vth）分布更加紧密。在发生存储单元读取错误时，现有技术对存储单元中最佳的读取电压的确定方式，一种是通过遍历所有的读取电压，然后挑选错误位数量最小时的读取电压作为最佳的读取电压，但最小的错误位数量具有一定的随机性。另一种是在阈值电压曲线中，通过选择各个状态交点处的电压作为最佳的读取电压，但阈值电压曲线的波动性大，难以准确选择到最佳的读取电压。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

1、本发明提供一种存储颗粒读取电压的校正系统及校正方法，以解决在现有存储单元发生读取错误后，难以准确的对其最佳的读取电压进行确定的技术问题。

2、本发明提供的一种存储颗粒读取电压的校正系统，包括：

3、电源模块，用以向存储颗粒供电，所述存储颗粒上标注有存储单元的阈值电压，所述阈值电压具有相应的偏移区间；

4、控制器，与所述存储颗粒电性连接，所述控制器将所述存储单元的某一阈值电压进行若干偏移区间的调整后，得到该阈值电压对应的偏移电压，将所述存储单元的其他阈值电压保持为初始电压；

5、其中，所述控制器向所述存储颗粒写入主机数据后，在所述存储单元为某一偏移电压及其他的初始电压下，读取所述存储颗粒上的原始数据，比较所述主机数据与所述原始数据，并统计所述某一偏移电压对应的错误位数量；

6、所述控制器统计每一偏移电压对应的错误位数量，并将错误位数量小于阈值数量对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压。

7、在本发明的一个实施例中，所述控制器统计每一偏移电压对应的错误位数量后，将错误位数量最小值对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压。

8、在本发明的一个实施例中，所述阈值数量为，满足：

9、；

10、；

11、；

12、其中，、、……、为连续偏移区间调整的偏移电压对应的错误位数量，为、、……、的平均值，为偏移量，用以兼顾偏移电压对应错误位数量的随机值、在偏移电压两侧错误位数量的变化速率，、为非零的常数，用以反映所述偏移电压的鲁棒性。

13、在本发明的一个实施例中，在某个阈值电压进行连续2p个偏移区间调整后，得到多个偏移电压，在所述多个偏移电压数值较小的一侧，当（3/5~4/5）p个偏移电压对应的错误位数量小于阈值数量时，将（3/5~4/5）p中最小数值的偏移电压记为最小电压，p为非零的常数；

14、在所述多个偏移电压数值较大的一侧，当（3/5~4/5）p个偏移电压对应的错误位数量小于阈值数量时，将（3/5~4/5）p中最大数值的偏移电压记为最大电压；

15、将最小电压至最大电压之间的偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压；

16、将最小电压和最大电压的中心电压，生成为所述存储单元的最佳读取电压。

17、在本发明的一个实施例中，在一个所述存储单元中，所述控制器将一个阈值电压进行若干偏移区间的增加或者减少后，得到该阈值电压对应的多个偏移电压。

18、在本发明的一个实施例中，在一个所述存储单元中，所述控制器按照多个阈值电压的大小顺序，先后将其中一个阈值电压调整为偏移电压，将其他阈值电压保持为初始电压，并统计每一偏移电压对应的错误位数量。

19、本发明还提出一种存储颗粒读取电压的校正方法，包括：

20、获取存储颗粒上标注的存储单元的阈值电压，所述阈值电压具有相应的偏移区间，并对所述存储颗粒进行上电处理；

21、将所述存储单元的某一阈值电压进行若干偏移区间的调整后，得到该阈值电压对应的偏移电压，将所述存储单元的其他阈值电压保持为初始电压；

22、向所述存储颗粒写入主机数据后，在所述存储单元为某一偏移电压及其他的初始电压下，读取所述存储颗粒上的原始数据，比较所述主机数据与所述原始数据，并统计所述某一偏移电压对应的错误位数量；

23、统计每一偏移电压对应的错误位数量，并将错误位数量小于阈值数量对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压。

24、在本发明的一个实施例中，在所述将错误位数量小于阈值数量对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压的步骤中，包括：

25、统计每一偏移电压对应的错误位数量后，将错误位数量最小值对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压。

26、在本发明的一个实施例中，所述阈值数量为，满足：

27、；

28、；

29、；

30、其中，、、……、为连续偏移区间调整的偏移电压对应的错误位数量，为、、……、的平均值，为偏移量，用以兼顾偏移电压对应错误位数量的随机值、在偏移电压两侧错误位数量的变化速率，、为非零的常数，用以反映所述偏移电压的鲁棒性。

31、在本发明的一个实施例中，所述将错误位数量小于阈值数量对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压的步骤，包括：

32、在某个阈值电压进行连续2p个偏移区间调整后，得到多个偏移电压，在所述多个偏移电压数值较小的一侧，当（3/5~4/5）p个偏移电压对应的错误位数量小于阈值数量时，将（3/5~4/5）p中最小数值的偏移电压记为最小电压，p为非零的常数；

33、在所述多个偏移电压数值较大的一侧，当（3/5~4/5）p个偏移电压对应的错误位数量小于阈值数量时，将（3/5~4/5）p中最大数值的偏移电压记为最大电压；

34、将最小电压至最大电压之间的偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压；

35、将最小电压和最大电压的中心电压，生成为所述存储单元的最佳读取电压。

36、本发明的有益效果：本发明提出的一种存储颗粒读取电压的校正系统及校正方法，可大大提高存储单元读取电压的准确性和鲁棒性，可提高对存储颗粒的纠错性能。在存储颗粒发生读取错误时，可以切换读取电压的方式来成功读取主机数据。

技术特征：

1.一种存储颗粒读取电压的校正系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储颗粒读取电压的校正系统，其特征在于，所述控制器统计每一偏移电压对应的错误位数量后，将错误位数量最小值对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压。

3.根据权利要求1所述的存储颗粒读取电压的校正系统，其特征在于，所述阈值数量为，满足：

4.根据权利要求3所述的存储颗粒读取电压的校正系统，其特征在于，在某个阈值电压进行连续2p个偏移区间调整后，得到多个偏移电压，在所述多个偏移电压数值较小的一侧，当（3/5~4/5）p个偏移电压对应的错误位数量小于阈值数量时，将（3/5~4/5）p中最小数值的偏移电压记为最小电压，p为非零的常数；

5.根据权利要求1所述的存储颗粒读取电压的校正系统，其特征在于，在一个所述存储单元中，所述控制器将一个阈值电压进行若干偏移区间的增加或者减少后，得到该阈值电压对应的多个偏移电压。

6.根据权利要求1所述的存储颗粒读取电压的校正系统，其特征在于，在一个所述存储单元中，所述控制器按照多个阈值电压的大小顺序，先后将其中一个阈值电压调整为偏移电压，将其他阈值电压保持为初始电压，并统计每一偏移电压对应的错误位数量。

7.一种存储颗粒读取电压的校正方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的存储颗粒读取电压的校正方法，其特征在于，在所述将错误位数量小于阈值数量对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压的步骤中，包括：

9.根据权利要求7所述的存储颗粒读取电压的校正方法，其特征在于，所述阈值数量为，满足：

10.根据权利要求9所述的存储颗粒读取电压的校正方法，其特征在于，所述将错误位数量小于阈值数量对应的所述每一偏移电压，生成为所述存储单元的读取电压的步骤，包括：

技术总结
本发明提供一种存储颗粒读取电压的校正系统及校正方法，存储颗粒读取电压的校正系统包括：电源模块，用以向存储颗粒供电；控制器，与存储颗粒电性连接，控制器将存储单元的某一阈值电压进行若干偏移区间的调整后，得到该阈值电压对应的偏移电压，将存储单元的其他阈值电压保持为初始电压；向存储颗粒写入主机数据后，在存储单元为某一偏移电压及其他的初始电压下，读取存储颗粒上的原始数据，比较主机数据与原始数据，并统计某一偏移电压对应的错误位数量；统计每一偏移电压对应的错误位数量，并将错误位数量小于阈值数量对应的每一偏移电压，生成为存储单元的读取电压。本发明可提高存储单元读取电压的准确性，提高对存储颗粒的纠错性能。

技术研发人员：陈文涛,许建强,苏忠益
受保护的技术使用者：合肥康芯威存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23