虚置闪存存储器结构之间的电阻的制作方法

本发明涉及一种电阻，特别是涉及一种设置在虚置闪存存储器结构之间的电阻。

背景技术：

1、电阻是一种被动(无源)电子元件，其用途在限制电流通过电路，电阻的工作原理是将电能转化为热量并减少通过电阻的电流。电阻存在于几乎所有的电子电路中，对于控制电路中的电流和电压至关重要。

2、在现代半导体工业中，电阻应用于模拟电路中，例如，滤波器、放大器、数字转模拟转换器和模拟转数字转换器。目前常见的电阻是利用将离子扩散或注入的基底区域形成，这种电阻会占用很多空间。此外，温度对此类电阻的阻值有很大的影响。因此，需要一种尺寸更小、制作工艺更简单以及性能更稳定的电阻结构。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种设置在虚置闪存存储器结构之间的多晶硅电阻，其利用分离式栅极存储器的制作工艺共同制作，并且较传统离子掺杂区式的电阻的体积小。

2、根据本发明的一优选实施例，一种虚置闪存存储器结构之间的电阻包含一基底，基底包含一电阻区和一闪存存储器区，一第一虚置存储栅极(dummy memory gate)结构和一第二虚置存储栅极结构设置在电阻区内的基底上以及一多晶硅电阻设置于第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构之间并且多晶硅电阻接触第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构。

3、为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的较佳实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

技术特征：

1.一种虚置闪存存储器结构之间的电阻，包含：

2.如权利要求1所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，还包含第一虚置选择栅极结构设置在该第一虚置存储栅极结构的一侧，并且该第一虚置选择栅极结构接触该第一虚置存储栅极结构。

3.如权利要求1所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，还包含氧化硅层设置于该多晶硅电阻和该基底之间。

4.如权利要求1所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，其中该第一虚置存储栅极结构包含：

5.如权利要求1所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，还包含分离式栅极存储器设置于该闪存存储器区，其中该分离式栅极存储器包含：

6.如权利要求5所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，其中该分离式栅极存储器还包含：

7.如权利要求6所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，还包含第二存储栅极结构位于该第一存储栅极结构的该第一侧，其中该第二存储栅极结构和该第一存储栅极结构之间设有第一最短距离，该第一虚置存储栅极结构和该第二虚置存储栅极结构之间设有第二最短距离，该第二最短距离小于该第一最短距离。

8.如权利要求5所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，其中该第一虚置存储栅极结构包含第一虚置存储栅极，该第一存储栅极结构包含第一存储栅极，该第一虚置存储栅极和该第一存储栅极为相同材料。

9.如权利要求8所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，其中该第一虚置存储栅极和该第一存储栅极都为多晶硅。

10.如权利要求8所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，其中该第一虚置存储栅极结构还包含氧化硅层设置于该第一虚置存储栅极和该基底之间。

11.如权利要求5所述的虚置闪存存储器结构之间的电阻，其中该第一存储栅极结构包含：

技术总结
本发明公开一种虚置闪存存储器结构之间的电阻包含一基底，基底包含一电阻区和一闪存存储器区，一第一虚置存储栅极结构和一第二虚置存储栅极结构设置在电阻区内的基底上以及一多晶硅电阻设置于第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构之间并且多晶硅电阻接触第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构。

技术研发人员：刘暐昌,向往,许加庆,曾勇霖,王献德
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23