本申请涉及半导体制造,特别是涉及一种晶圆容器更换时机的确定方法,还涉及一种计算机设备,及一种计算机可读存储介质。
背景技术:
1、随着半导体工艺键尺寸越来越小,复杂度越来越高,生产周期越来越长,晶圆产品良率面临挑战。在工艺过程中,以及对晶圆(wafer)进行量测、监控时,需要打开/关闭装载晶圆的片盒/片架(box/cassette),此时会引入颗粒(颗粒可能来源于操作人员佩戴的手套、机台上料端等),导致颗粒附着在晶圆上。参见图1,晶圆30放置于片架10中,片架10放置于片盒20中。图2是片盒开关前后晶圆增加的颗粒数的测试结果。发明人认为颗粒增加的原理为:微颗粒吸附在片盒表面,在开关片盒的瞬间,颗粒由于压差被吸入片盒,进而玷污片架及晶圆。
2、对片盒进行清洗能够减少晶圆上附着的颗粒。清洗可以采用清洗机台进行,图3是使用清洗机台进行清洗与手工擦拭的对比结果,可以看到使用清洗机台进行清洗能够更干净。
3、综上,在清洗机台的清洗产能受限的情况下,通过合理地安排片盒的更换时机(即将晶圆从当前的片盒中取出,放进清洗完毕的片盒中,并将换下的片盒拿去清洗),能够减小晶圆受到颗粒的影响,提升晶圆产品良率。
技术实现思路
1、基于此,有必要提供一种晶圆容器更换时机的确定方法。
2、一种晶圆容器更换时机的确定方法,包括:响应于后段工艺中的当前工艺站点处于根据历史数据确定的延时膨胀区,在下一工艺站点进行晶圆容器的更换;所述延时膨胀区与所述晶圆容器的清洗周期及所述历史数据中工艺时段的各时间点的极差有关,若所述极差相对于所述清洗周期足够大则对应的工艺时段为延时膨胀区,所述清洗周期与清洗设备的清洗产能及晶圆容器更换时每批的更换数量有关;响应于距上一次更换晶圆容器的时间已达到所述清洗周期,在所述当前工艺站点的工艺完成后进行晶圆容器的更换。
3、上述晶圆容器更换时机的确定方法,通过考察当前工艺站点是否进入延时膨胀区,来确定晶圆容器的更换时机,能够减小晶圆受到颗粒的影响,提升晶圆产品良率。
4、在其中一个实施例中,所述在下一工艺站点进行晶圆容器的更换的步骤和所述在所述当前工艺站点的工艺完成后进行晶圆容器的更换的步骤,更换时换下的晶圆容器送去清洗,换上的晶圆容器是清洗完毕的。
5、在其中一个实施例中,所述当前工艺站点是金属沉积站点,所述下一工艺站点是所述当前工艺站点的下一个金属沉积站点。
6、在其中一个实施例中,所述历史数据是去除所述各时间点中偏离过大的数据后得到的数据。
7、在其中一个实施例中,所述历史数据是去除各时间点中偏离均值大于第一阈值的数据后得到的数据。
8、在其中一个实施例中,还包括在进行接触孔工艺前更换晶圆容器的步骤。
9、在其中一个实施例中,所述晶圆容器包括片盒和/或片架。
10、在其中一个实施例中,还包括:响应于所述当前工艺站点不处于所述延时膨胀区,且在所述当前工艺站点的工艺完成时距上一次更换晶圆容器的时间未达到所述清洗周期,则不进行晶圆容器的更换。
11、在其中一个实施例中,所述响应于后段工艺中的当前工艺站点处于根据历史数据确定的延时膨胀区,是响应于所述当前工艺站点处于所述延时膨胀区、且所述历史数据中最后一层金属层工艺站点的开始时刻的极差减去所述历史数据中所述当前工艺站点的开始时刻的极差大于所述清洗周期。
12、还有必要提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例的方法中的步骤。
13、还有必要提供一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器中存储有计算机程序,该处理器执行计算机程序时实现如前述任一实施例所述的方法中的步骤。
14、还有必要提供一种计算机程序产品,包括计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现如前述任一实施例所述的方法的步骤。
15、还有必要提供一种利用计算机程序确定晶圆容器更换时机的方法。
16、一种利用计算机程序确定晶圆容器更换时机的方法,包括:响应于后段工艺中的当前工艺站点处于根据历史数据确定的延时膨胀区,在下一工艺站点进行晶圆容器的更换;所述延时膨胀区与所述晶圆容器的清洗周期及所述历史数据中工艺时段的各时间点的极差有关,若所述极差相对于所述清洗周期足够大则对应的工艺时段为延时膨胀区,所述清洗周期与清洗设备的清洗产能及晶圆容器更换时每批的更换数量有关;响应于所述当前工艺站点不处于所述延时膨胀区,且距上一次更换晶圆容器的时间已达到所述清洗周期,在所述当前工艺站点的工艺完成后进行晶圆容器的更换。在其中一个实施例中,所述监控指数与所述三项指标均相关。
17、上述利用计算机程序确定晶圆容器更换时机的方法,通过考察当前工艺站点是否进入延时膨胀区,来确定晶圆容器的更换时机,能够减小晶圆受到颗粒的影响,提升晶圆产品良率。
18、在其中一个实施例中,所述在下一工艺站点进行晶圆容器的更换的步骤和所述在所述当前工艺站点的工艺完成后进行晶圆容器的更换的步骤,更换时换下的晶圆容器送去清洗,换上的晶圆容器是清洗完毕的。
19、在其中一个实施例中,所述当前工艺站点是金属沉积站点,所述下一工艺站点是所述当前工艺站点的下一个金属沉积站点。
20、在其中一个实施例中,所述历史数据是去除所述各时间点中偏离过大的数据后得到的数据。
21、在其中一个实施例中,所述历史数据是去除各时间点中偏离均值大于第一阈值的数据后得到的数据。
22、在其中一个实施例中,还包括在进行接触孔工艺前更换晶圆容器的步骤。
23、在其中一个实施例中,所述晶圆容器包括片盒和/或片架。
24、在其中一个实施例中,还包括:响应于所述当前工艺站点不处于所述延时膨胀区,且在所述当前工艺站点的工艺完成时距上一次更换晶圆容器的时间未达到所述清洗周期,则不进行晶圆容器的更换。
25、在其中一个实施例中,所述响应于后段工艺中的当前工艺站点处于根据历史数据确定的延时膨胀区,是响应于所述当前工艺站点处于所述延时膨胀区、且所述历史数据中所述下一工艺站点的开始时刻的极差减去所述历史数据中所述当前工艺站点的开始时刻的极差大于所述清洗周期。
1.一种晶圆容器更换时机的确定方法,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆容器更换时机的确定方法,其特征在于,所述当前工艺站点是金属沉积站点,所述下一工艺站点是所述当前工艺站点的下一个金属沉积站点。
3.根据权利要求1所述的晶圆容器更换时机的确定方法,其特征在于,所述历史数据是去除所述各时间点中偏离过大的数据后得到的数据。
4.根据权利要求3所述的晶圆容器更换时机的确定方法,其特征在于,所述历史数据是去除各时间点中偏离均值大于第一阈值的数据后得到的数据。
5.根据权利要求1所述的晶圆容器更换时机的确定方法,其特征在于,还包括在进行接触孔工艺前更换晶圆容器的步骤。
6.根据权利要求1所述的晶圆容器更换时机的确定方法,其特征在于,所述晶圆容器包括片盒和/或片架。
7.根据权利要求1所述的晶圆容器更换时机的确定方法,其特征在于,还包括:
8.根据权利要求1所述的晶圆容器更换时机的确定方法,其特征在于,所述响应于后段工艺中的当前工艺站点处于根据历史数据确定的延时膨胀区,是响应于所述当前工艺站点处于所述延时膨胀区、且所述历史数据中最后一层金属层工艺站点的开始时刻的极差减去所述历史数据中所述当前工艺站点的开始时刻的极差大于所述清洗周期。
9.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器中存储有计算机程序,该处理器执行计算机程序时实现如权利要求1-8中任一项所述的方法中的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的方法中的步骤。