半导体装置的制作方法

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、在mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)中，在源极-漏极间产生pn结二极管(寄生二极管)。为了降低该寄生二极管的反向恢复动作中的损耗(恢复损耗)，已知有与上述mosfet分开设置有正向电压比一般的pn结二极管低的肖特基势垒二极管(sbd)的半导体装置。

2、然而，在上述的半导体装置中，由于在与mosfet不同的区域设置肖特基势垒二极管，所以作为mosfet进行动作的区域变少，导通电阻变高。

技术实现思路

1、一个实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，配置在所述第一电极的上方；绝缘膜，配置在所述第一半导体区域中；第二电极，配置在所述绝缘膜中；第二导电型的第二半导体区域，隔着所述绝缘膜与所述第二电极相邻；第一导电型的第三半导体区域，配置在所述第二半导体区域之上；以及第三电极，包含接触部，与所述接触部电连接。所述接触部在第一侧面与所述第一半导体区域相接而形成肖特基结，在所述第一侧面的相反侧的第二侧面与所述第二半导体区域及所述第三半导体区域相接，底面位于比所述第二半导体区域的底面靠上的位置。

2、根据本发明的实施方式，能够提供一种能够在保持较低的导通电阻的同时降低寄生二极管的恢复损耗的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

13.根据权利要求11所述的半导体装置，

14.根据权利要求11所述的半导体装置，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，

16.根据权利要求11所述的半导体装置，

17.根据权利要求11所述的半导体装置，

18.根据权利要求11所述的半导体装置，

19.根据权利要求11所述的半导体装置，

20.根据权利要求11所述的半导体装置，

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体装置。一个实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，配置在所述第一电极的上方；绝缘膜，配置在所述第一半导体区域中；第二电极，配置在所述绝缘膜中；第二导电型的第二半导体区域，隔着所述绝缘膜与所述第二电极相邻；第一导电型的第三半导体区域，配置在所述第二半导体区域之上；以及第三电极，在第一侧面与所述第一半导体区域相接而形成肖特基结，在所述第一侧面的相反侧的第二侧面与所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域相接，底面位于比所述第二半导体区域的底面靠上的位置，与所述接触部电连接。

技术研发人员：富田幸太,西胁达也
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23