半导体装置的制作方法

本发明的实施方式一般涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、metal oxide semiconductor field effect transistor(mosfet，金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体装置使用于电力变换等用途。mosfet内置有寄生二极管。关于寄生二极管的动作，寻求能够抑制半导体装置的破坏(击穿)的技术。

技术实现思路

1、根据一个实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、第二导电型的第四半导体区域、第二导电型的第五半导体区域、第二导电型的第六半导体区域、第二导电型的第七半导体区域、第二导电型的第八半导体区域、第二电极以及第三电极。所述第一半导体区域设置于所述第一电极之上。所述第一半导体区域包括第一部分以及沿着与从所述第一电极向所述第一半导体区域的第一方向垂直的第一面设置于所述第一部分的周围的第二部分。所述第二半导体区域设置于所述第一部分之上。所述第三半导体区域设置于所述第二半导体区域之上。所述栅极电极在与所述第一方向垂直的第二方向上，隔着栅极绝缘层面对所述第二半导体区域。所述第四半导体区域在所述第一部分之上沿着所述第一面设置于所述第二半导体区域和所述栅极电极的周围。所述第四半导体区域的下端位于比所述第二半导体区域的下端深的位置。所述第五半导体区域沿着所述第一面设置于所述第四半导体区域的一部分的周围，位于所述第二部分之上。所述第六半导体区域设置于所述第四半导体区域的所述一部分与所述第五半导体区域之间，与所述第四半导体区域及所述第五半导体区域分离。所述第七半导体区域沿着所述第一面设置于所述第四半导体区域的另一部分的周围，位于比所述第五半导体区域靠上方的位置。所述第七半导体区域与所述第五半导体区域分离。所述第八半导体区域设置于所述第四半导体区域的所述另一部分与所述第七半导体区域之间。所述第八半导体区域与所述第四半导体区域、所述第六半导体区域以及所述第七半导体区域分离。所述第二电极设置于所述第二半导体区域、所述第三半导体区域以及所述第四半导体区域之上。所述第三电极隔着绝缘层设置于所述第八半导体区域之上。所述第三电极与所述第二电极分离，与所述栅极电极电连接。

2、根据本实施方式，能够提供能够抑制寄生二极管动作时的破坏(击穿)的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、第二导电型的第四半导体区域、第二导电型的第五半导体区域、第二导电型的第六半导体区域、第二导电型的第七半导体区域、第二导电型的第八半导体区域、第二电极以及第三电极。第四半导体区域设置于第二半导体区域和栅极电极的周围。第四半导体区域、第五半导体区域以及第六半导体区域相互分离。第四半导体区域、第七半导体区域以及第八半导体区域相互分离。第三电极隔着绝缘层设置于第八半导体区域之上。第三电极与第二电极分离，与栅极电极电连接。

技术研发人员：田中克久,河野洋志
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23