半导体装置及功率变换装置的制作方法

本发明的实施方式涉及半导体装置及功率变换装置。

背景技术：

1、在横向扩散mosfet等半导体装置中，通过将漂移层中的耗尽层的区域扩大来实现高耐压。另一方面，如果形成有漂移层的活性层的厚度增加，则需要用于使活性层的厚度增加的特殊工艺。

技术实现思路

1、本发明所要解决的课题在于，提供能够抑制半导体装置的厚度并且实现高耐压的半导体装置及功率变换装置。

2、本实施方式的半导体装置具备第1区域、第2区域、第3区域和栅极区域。第1区域是在半导体基板的一方的主面侧的表面层形成的第1导电型。第2区域是在表面层的与第1区域不同的区域形成的第2导电型。第3区域形成在表面层的第1区域与第2区域之间，具有规定的杂质浓度分布。栅极区域隔着栅极氧化物层形成在第3区域的一端。第3区域具有与栅极区域的位置相应的杂质浓度分布的第1变更区域。

技术特征：

1.一种半导体装置，其中，具备：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

7.如权利要求2所述的半导体装置，其中，还具有：

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，还具有：

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，还具备：

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中，还具备：

15.如权利要求14所述的半导体装置，其中，

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中，

17.一种功率变换装置，具备如权利要求1所述的半导体装置。

技术总结
实施方式提供能够抑制半导体装置的厚度并且实现高耐压的半导体装置及功率变换装置。本实施方式的半导体装置具备第1区域、第2区域、第3区域和栅极区域。第1区域是在半导体基板的一方的主面侧的表面层形成的第1导电型。第2区域是在表面层的与第1区域不同的区域形成的第2导电型。第3区域形成在表面层的第1区域与第2区域之间，具有规定的杂质浓度分布。栅极区域隔着栅极氧化物层形成在第3区域的一端。第3区域具有与栅极区域的位置相应的杂质浓度分布的第1变更区域。

技术研发人员：永野博文,佐藤久美子
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23