半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在具备纵型mosfet(metaloxide semiconductor field effect transistor)等半导体装置的半导体模块中，半导体装置的电极经由焊料等接合材料与引线材料(金属部件)电连接。

2、由于半导体装置是通过切割使形成有电极层的晶圆被单片化而形成的，因此电极的角部具有带棱角的形状。因而，在半导体模块中，容易由于接合材料的热膨胀等而在电极的角部集中应力。其结果是，在环境温度的变化大的情况等下，存在半导体基板破损的隐患。

技术实现思路

1、本发明所要解决的课题是提供能够提高可靠性的半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法。

2、实施方式所涉及的半导体装置具备：第一电极，具有第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；半导体基板，配置于所述第二主面上；以及第二电极，配置于所述半导体基板的与同所述第一电极相接的第三主面相反的一侧的第四主面上。所述第一电极具有与所述第一主面大致垂直地相交的第一侧面和与所述第一主面及所述第一侧面均大致垂直地相交的第二侧面，所述第一主面、所述第一侧面及所述第二侧面经由曲面相互连接。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.一种半导体模块，其特征在于，具备：

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

16.一种半导体模块，其特征在于，具备：

17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

20.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

技术总结
实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法。实施方式所涉及的半导体装置具备：第一电极，具有第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；半导体基板，配置于所述第二主面上；以及第二电极，配置于所述半导体基板的与同所述第一电极相接的第三主面相反的一侧的第四主面上。所述第一电极具有与所述第一主面大致垂直地相交的第一侧面和与所述第一主面及所述第一侧面均大致垂直地相交的第二侧面，所述第一主面、所述第一侧面及所述第二侧面经由曲面相互连接。

技术研发人员：野村一城,大桥健一,山下创一,森健太郎,村吉彬,奥山拓希
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23