微型发光二极管像素结构及其形成方法与流程

本发明涉及微型发光二极管像素结构及其形成方法，特别是涉及具有高切割效率的微型发光二极管的微型发光二极管像素结构及其形成方法。

背景技术：

1、由于发光二极管具有低耗电的优点，发光二极管(light-emitting diode,led)显示荧屏幕成为显示技术领域的主流。然而，在发光二极管显示荧屏幕制作工艺期间，由红、绿、蓝三原色发光二极管组合而成的像素结构会因为发光二极管本身元件厚度及尺寸无法进一步微缩，使现有的发光二极管的像素结构难以达到小间距、大发光面积、高制作工艺良率和低成本的目标。

2、因此，仍需要进一步改良发光二极管像素结构及其形成方法，以制造出符合产品需求的显示装置。

技术实现思路

1、本发明一些实施例提供一种微型发光二极管像素装结构。微型发光二极管像素结构包括多个微型发光二极管晶粒、多个重分布线路层、可挠性材料层、第一硬掩模图案、绝缘层以及多个焊垫。多个微型发光二极管晶粒彼此并排设置，其中微型发光二极管晶粒各自包括电极面和出光面。多个重分布线路层设置于微型发光二极管晶粒的电极面上并分别与微型发光二极管晶粒电连接。可挠性材料层覆盖微型发光二极管晶粒的出光面和重分布线路层。第一硬掩模图案设置于可挠性材料层下方，其中在剖面图中，第一硬掩模图案的第一边缘对齐可挠性材料层的第二边缘。绝缘层设置于重分布线路层与第一硬掩模图案之间。多个焊垫设置于重分布线路层之下且电连接重分布线路层，其中第一硬掩模图案围绕焊垫。

2、本发明一些实施例提供一种微型发光二极管像素装结构。微型发光二极管像素结构包括多个微型发光二极管晶粒、多个重分布线路层、可挠性材料层、第一硬掩模图案、绝缘层以及多个焊垫。多个微型发光二极管晶粒彼此并排设置，其中微型发光二极管晶粒各自包括电极面和出光面。多个重分布线路层设置于微型发光二极管晶粒的电极面上并分别与微型发光二极管晶粒电连接。可挠性材料层覆盖微型发光二极管晶粒的出光面和重分布线路层。第一硬掩模图案设置于可挠性材料层上方，其中在剖面图中，第一硬掩模图案的第一边缘对齐可挠性材料层的第二边缘。绝缘层设置于重分布线路层之下。多个焊垫设置于重分布线路层之下且电连接重分布线路层，其中绝缘层围绕焊垫。

3、本发明一些实施例提供一种微型发光二极管像素装结构的形成方法。微型发光二极管像素结构的形成方法包括提供第一载板；形成第一粘着层于第一载板的表面上；形成第一硬掩模图案于第一粘着层上，其中第一硬掩模图案具有多个开口，以暴露第一粘着层；形成多个焊垫于第一硬掩模图案上，其中焊垫通过开口接触第一粘着层；形成绝缘层于第一硬掩模图案和焊垫上，其中绝缘层具有多个导通孔，以暴露焊垫；形成多个重分布线路层于绝缘层上，其中重分布线路层通过导通孔电连接焊垫；将多个微型发光二极管晶粒设置于第一载板上，并与重分布线路层电连接；形成可挠性材料层，覆盖微型发光二极管晶粒、重分布线路层和绝缘层；将第二载板贴附至可挠性材料层，其中第二载板具有第二粘着层，且可挠性材料层接触第二粘着层；移除第一载板和第一粘着层；进行各向异性蚀刻制作工艺，移除部分位于周缘且于垂直方向上未与第一硬掩模图案重叠的可挠性材料层，其中进行各向异性蚀刻制作工艺之后，在剖面图中，第一硬掩模图案的第一边缘对齐可挠性材料层的第二边缘；以及移除第二载板和第二粘着层。

4、本发明一些实施例提供一种微型发光二极管像素装结构的形成方法。微型发光二极管像素结构的形成方法包括提供载板；形成第一粘着层于载板的表面上；形成多个焊垫于粘着层上；形成绝缘层于粘着层和焊垫上，其中绝缘层具有多个导通孔，以暴露焊垫；形成多个重分布线路层于绝缘层上，其中重分布线路层通过导通孔电连接焊垫；将多个微型发光二极管晶粒设置于载板上，并与重分布线路层电连接；形成可挠性材料层，覆盖微型发光二极管晶粒、重分布线路层和绝缘层；形成硬掩模图案于可挠性材料层上；进行各向异性蚀刻制作工艺，移除未被硬掩模图案覆盖的可挠性材料层，其中进行各向异性蚀刻制作工艺之后，在剖面图中，硬掩模图案的第一边缘对齐可挠性材料层的第二边缘；以及移除载板和粘着层。

技术特征：

1.一种微型发光二极管像素结构，包括：

2.如权利要求1所述的微型发光二极管像素结构，其中该微型发光二极管像素结构具有第一底面，而该第一硬掩模图案具有远离该可挠性材料层的第二底面，且该些焊垫各自具有远离该些重分布线路层的第三底面，其中该第二底面与该些第三底面齐平并共同构成该第一底面。

3.如权利要求1所述的微型发光二极管像素结构，还包括：

4.一种微型发光二极管像素结构，包括：

5.如权利要求1或4所述的微型发光二极管像素结构，其中该绝缘层具有第三边缘，其中在该剖面图中，该第三边缘比该第一边缘更接近该些微型发光二极管晶粒。

6.如权利要求1或4所述的微型发光二极管像素结构，其中该第一硬掩模图案的材质不同于该绝缘层的材质。

7.如权利要求1或4所述的微型发光二极管像素结构，其中该第一硬掩模图案包括二氧化硅。

8.如权利要求1或4所述的微型发光二极管像素结构，其中该第一硬掩模图案与该可挠性材料层的蚀刻选择比在1：10至1：1000之间。

9.如权利要求1或4所述的微型发光二极管像素结构，还包括：

10.如权利要求1或4所述的微型发光二极管像素结构，其中该微型发光二极管像素结构的俯视形状包括多边形、圆形或椭圆形。

11.如权利要求1或4所述的微型发光二极管像素结构，其中在俯视图中，该可挠性材料层的该第二边缘为凹凸边缘。

12.一种微型发光二极管像素结构的形成方法，包括：

13.如权利要求12所述的微型发光二极管像素结构的形成方法，还包括：

14.一种微型发光二极管像素结构的形成方法，包括：

15.如权利要求12或14所述的微型发光二极管像素结构的形成方法，还包括：

技术总结
本发明公开一种微型发光二极管像素结构及其形成方法。微型发光二极管像素结构包括微型发光二极管晶粒、重分布线路层、可挠性材料层、第一硬掩模图案、绝缘层以及焊垫。微型发光二极管晶粒彼此并排设置。重分布线路层设置于微型发光二极管晶粒的电极面上并与其电连接。可挠性材料层覆盖微型发光二极管晶粒的出光面和重分布线路层。第一硬掩模图案设置于可挠性材料层下方且围绕焊垫，第一硬掩模图案的边缘对齐可挠性材料层的边缘。绝缘层设置于重分布线路层与第一硬掩模图案之间。焊垫设置于重分布线路层之下且电连接重分布线路层。

技术研发人员：郭修邑,许国翊
受保护的技术使用者：隆达电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23