衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置与流程

本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在具有凹部的衬底上形成膜的处理(例如参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-069407号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本公开文本提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯被覆性(阶梯覆盖性)的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本公开文本的一个方式，提供通过将包括下述(a)、(b)、(c)和(d)的循环执行规定次数、从而在衬底的凹部的内面(inner surface)上形成含有规定元素的膜的技术：

5、(a)向在表面形成有凹部的衬底供给含有第1卤素的第1改性剂的工序；

6、(b)向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂不同的含有第2卤素的第2改性剂的工序；

7、(c)在开始(a)及(b)之后，向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂及前述第2改性剂不同的含有规定元素的原料，由此在前述凹部的内面上形成含有前述规定元素的沉积层的工序；和

8、(d)在(c)之后，向前述衬底供给与前述沉积层反应的反应体的工序。

9、发明的效果

10、根据本公开文本，能够提高在衬底上形成的膜的阶梯覆盖性。

技术特征：

1.衬底处理方法，其中，通过将包括下述(a)、(b)、(c)和(d)的循环执行规定次数，从而在衬底的凹部的内面上形成含有规定元素的膜：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1改性剂为不含有所述规定元素的改性剂，所述第2改性剂为含有所述规定元素的改性剂。

3.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，所述第1改性剂与所述第2改性剂相比向所述衬底的表面的吸附速度小。

4.如权利要求2或3所述的衬底处理方法，其中，在所述循环的各自中，(a)以短于(b)的时间进行。

5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，在所述内面上形成由所述第1卤素封端的第1封端。

6.如权利要求5所述的衬底处理方法，其中，在(b)中，在所述内面上形成由所述第2卤素封端的第2封端。

7.如权利要求6所述的衬底处理方法，其中，所述第1封端与所述第2封端相比对所述原料具有大的吸附抑制作用。

8.如权利要求6所述的衬底处理方法，其中，在(b)中，以形成有所述第2封端的所述内面上的区域的至少一部分与形成有所述第1封端的所述内面上的区域重复的方式，在所述衬底上形成所述第2封端。

9.如权利要求6所述的衬底处理方法，其中，所述第2改性剂为含有所述规定元素的改性剂，

10.如权利要求6所述的衬底处理方法，其中，在(b)中，以与所述内面上的未形成所述第1封端的区域相比，所述第2封端向形成有所述第1封端的区域的形成被相对地抑制的方式，在形成有所述第1封端的所述内面上形成所述第2封端。

11.如权利要求6所述的衬底处理方法，其中，在(c)中，构成所述第1封端的所述第1卤素、及构成所述第2封端的所述第2卤素通过与由所述原料生成的具有未连接键的所述规定元素的原子分别反应而脱离。

12.如权利要求6所述的衬底处理方法，其中，在(c)中，以与所述第1封端及所述第2封端中的任意均未形成的所述内面上的区域相比，所述规定元素向形成有所述第1封端及所述第2封端中的至少任一者的所述内面上的区域的吸附被相对地抑制的方式，在所述内面上形成所述沉积层。

13.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2改性剂是含有所述规定元素、并且在1分子中不含有所述规定元素彼此的键的气体，所述原料是1分子中含有所述规定元素彼此的键的气体。

14.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述原料为含有第3卤素的气体。

15.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述循环的各自中，(a)比(b)先开始。

16.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述循环的各自中，(a)及(b)以至少一部分期间重复的方式进行。

17.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述循环的各自中，(b)及(c)以至少一部分期间重复的方式进行。

18.半导体器件的制造方法，其通过将包括下述(a)、(b)、(c)和(d)的循环执行规定次数，从而在衬底的凹部的内面上形成含有规定元素的膜：

19.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序，所述步骤通过将包括下述(a)、(b)、(c)和(d)的循环执行规定次数从而在衬底的凹部的内面上形成含有规定元素的膜：

20.衬底处理装置，其具有：

技术总结
本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。解决手段在于将包括下述(a)、(b)、(c)和(d)的循环执行规定次数：(a)向在表面形成有凹部的衬底供给含有第1卤素的第1改性剂的工序；(b)向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂不同的含有第2卤素的第2改性剂的工序；(c)在开始(a)及(b)之后，向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂及前述第2改性剂不同的含有规定元素的原料，由此在前述凹部的内面上形成含有前述规定元素的沉积层的工序；和(d)在(c)之后，向前述衬底供给与前述沉积层反应的反应体的工序。

技术研发人员：野原慎吾,石桥清久
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23