本实施方式涉及描绘装置。
背景技术:
1、在半导体制造工序中使用的光刻用的掩模或纳米压印光刻用的模板,是通过将由电子束描绘装置描绘的抗蚀剂等用作掩模进行加工而形成的。描绘装置根据描绘图案数据和描绘条件计算各图案上的照射量,以各图案的照射量将图案描绘在掩模坯上。此时,工作台速度成为与照射量大的图案相匹配的速度。因此,即使是照射量小的图案,有时工作台速度也会超出需要地减慢。在该情况下,对于照射量小的图案,有时工作台动作但不照射电子束,会产生无用的动作。这种无用的动作使得描绘时间长期化。
技术实现思路
1、提供一种能够缩短基板的描绘时间的描绘装置。
2、本实施方式的描绘装置具备射束生成部,其生成对基板的描绘区域进行描绘的带电粒子的射束。描绘部对将描绘区域根据图案的密度划分而成的多个划分区域分别照射射束。控制器控制描绘部,使描绘部执行分别用射束照射多个划分区域中的至少一个划分区域的第1照射~第n照射(n为2以上的整数),使第1照射~第n照射中的射束的合计照射量成为描绘区域中的射束的必要照射量以上。
1.一种描绘装置,具备:
2.根据权利要求1所述的描绘装置,其中,
3.根据权利要求1所述的描绘装置,其中,
4.根据权利要求1所述的描绘装置,其中,
5.根据权利要求1所述的描绘装置,其中,
6.根据权利要求1所述的描绘装置,其中,
7.根据权利要求6所述的描绘装置,其中,
8.根据权利要求7所述的描绘装置,其中,
9.根据权利要求1所述的描绘装置,其中,
10.根据权利要求1所述的描绘装置,其中,