半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术：

1、伴随着半导体存储装置的高集成化，关于半导体存储装置的三维化的研究正在进行。

技术实现思路

1、一个实施方式涉及的半导体存储装置具备：基板；多个存储层，其在与基板的表面交叉的第1方向上排列；以及过孔布线，其在第1方向上延伸。多个存储层分别具备：与过孔布线电连接的半导体层、和栅电极。栅电极包括与半导体层的第1方向的一侧的面相对的第1部分、和与半导体层的第1方向的另一侧的面相对的第2部分。另外，多个存储层分别具备：存储部，其相对于半导体层设置于与第1方向交叉的第2方向的一侧，与半导体层电连接；和布线，其相对于半导体层设置于第2方向的另一侧，与栅电极电连接，并且在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸。另外，在与第1方向垂直并且包括与多个存储层中的一个对应的栅电极的第1部分或第2部分的一部分在内的剖面中，过孔布线具备与栅电极相对的第1面和不与栅电极相对的第2面。另外，栅电极的一部分在第2方向上相比于过孔布线而设置于存储部侧。

2、根据本实施方式，能够提供良好地动作的半导体存储装置。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备：

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

13.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

14.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

15.一种半导体存储装置，具备：

16.根据权利要求15所述的半导体存储装置，

17.根据权利要求15所述的半导体存储装置，

18.根据权利要求15所述的半导体存储装置，

19.根据权利要求15所述的半导体存储装置，

技术总结
半导体存储装置具备基板、在与基板的表面交叉的第1方向上排列的多个存储层和在第1方向上延伸的过孔布线。多个存储层分别具备栅电极和与过孔布线电连接的半导体层。栅电极包括与半导体层的第1方向的一侧的面相对的第1部分和与另一侧的面相对的第2部分。多个存储层分别具备：存储部，相对于半导体层设置于与第1方向交叉的第2方向的一侧，与半导体层电连接；和布线，相对于半导体层设置于第2方向的另一侧，与栅电极电连接。在与第1方向垂直并包括与多个存储层之一对应的栅电极的第1或第2部分的一部分在内的剖面中，过孔布线具备与栅电极相对的第1面和不与栅电极相对的第2面。栅电极的一部分在第2方向上相比于过孔布线设置于存储部侧。

技术研发人员：增田贵史,冈岛睦,齐藤信美,池田圭司
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23