形成半导体封装的方法和形成多个半导体封装的方法与流程

本申请涉及半导体器件，并且特别地涉及形成半导体封装的方法和对应的半导体封装。

背景技术：

1、许多类型的半导体器件对寄生电效应诸如寄生互连电阻和电感、寄生电容耦合等高度敏感。例如，开关、rf(射频)功率放大器、低噪声放大器(lna)、天线调谐器、混频器等都对寄生电效应高度敏感。用于降低封装半导体器件上的寄生电效应的技术通常导致更高的总成本、更大的封装尺寸、更复杂的制造工艺、降低的器件性能等。

技术实现思路

1、公开了一种形成半导体封装的方法。根据实施方式，方法包括：提供基板；将半导体管芯安装在基板上，其中半导体管芯的主表面背向基板；在半导体管芯的主表面上形成垂直互连元件；在基板上形成密封半导体管芯的密封剂；在密封剂的上表面处暴露垂直互连元件；在密封剂的上表面上形成与暴露的垂直互连元件接触的第一级金属盘，以及在密封剂的上表面上形成结构化金属区域，其中，形成结构化金属区域包括对第一级金属盘进行结构化。

2、公开了一种形成多个半导体封装的方法。根据实施方式，方法包括：提供基板；在基板上安装多个半导体管芯，其中多个半导体管芯中的每个半导体管芯的主表面背向基板；在多个半导体管芯中的每个半导体管芯的主表面上形成垂直互连元件；在基板上形成密封多个半导体管芯中的每个半导体管芯的密封剂；在密封剂的上表面处暴露多个半导体管芯中的每个半导体管芯上的垂直互连元件，在密封剂的上表面上形成与多个半导体管芯中的每个半导体管芯上的暴露的垂直互连元件接触的第一级金属盘，并且在密封剂的上表面上形成结构化金属区域，以及切割密封剂以形成多个半导体封装，其中，多个半导体封装中的每个半导体封装包括多个半导体管芯中的至少一个半导体管芯和与多个半导体管芯中的至少一个半导体管芯形成连接的结构化金属区域的组，其中，形成结构化金属区域包括对第一级金属盘进行结构化。

技术特征：

1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封剂包括激光可激活模制化合物，并且其中，形成所述第一级金属盘包括：

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述第一级金属盘上沉积第二级金属，其中，沉积所述第二级金属包括电解电镀工艺，并且其中，所述结构化金属区域包括所述第二级金属的结构化部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述方法还包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二级金属的厚度大于所述第一级金属盘的厚度。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第一级金属盘上沉积所述第二级金属包括形成覆盖所述第一级金属盘的第二级金属盘，并且其中，形成所述结构化金属区域包括通过共同的蚀刻步骤对所述第一级金属盘和所述第二级金属盘进行结构化。

7.根据权利要求3所述的方法，还包括直接在所述第一级金属盘上形成图案化膜，并且其中，沉积所述第二级金属包括在所述图案化膜的开口内形成第二级金属结构化区域。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在沉积所述第二级金属之后去除所述图案化膜，并且其中，形成所述结构化金属区域包括使用所述第二级金属结构化区域作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一级金属盘。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，暴露所述垂直互连元件包括在所述密封剂的上表面中形成延伸至所述垂直互连元件的上端的沟槽。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构化金属区域中的两个紧邻的结构化金属区域之间的最小间距小于或等于所述结构化金属区域中的所述紧邻的结构化金属区域的厚度的两倍。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构化金属区域中的两个紧邻的结构化金属区域之间的最小间距不大于所述结构化金属区域中的所述紧邻的结构化金属区域的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述结构化金属区域之一在所述第一半导体管芯与所述第二半导体管芯之间形成电连接。

14.一种形成多个半导体封装的方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述密封剂包括激光可激活模制化合物，并且其中，形成所述第一级金属盘包括：

16.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述第一级金属盘上沉积第二级金属，其中，沉积所述第二级金属包括电解电镀工艺，并且其中，所述结构化金属区域包括所述第二级金属。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法还包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述密封剂被切割成使得所述半导体封装没有所述导电柱。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述导电柱中的每个导电柱围绕管芯附接区域的外缘设置，并且其中，所述多个半导体管芯中的每个半导体管芯安装在所述管芯附接区域内。

20.根据权利要求16所述的方法，还包括在沉积所述第二级金属之后去除所述基板。

技术总结
提供了形成半导体封装的方法和形成多个半导体封装的方法。形成半导体封装的方法包括：提供基板；将半导体管芯安装在基板上，其中半导体管芯的主表面背向基板；在半导体管芯的主表面上形成垂直互连元件；在基板上形成密封半导体管芯的密封剂；在密封剂的上表面处暴露垂直互连元件；在密封剂的上表面上形成与暴露的垂直互连元件接触的第一级金属盘；以及在密封剂的上表面上形成结构化金属区域，其中，形成结构化金属区域包括对第一级金属盘进行结构化。

技术研发人员：卜佩銮,李瑞家,吴顺禄,吕志鸿,萨姆松·澎,张志钊
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23