开关组件的制作方法

本公开内容的示例涉及开关组件。特别地，本公开内容涉及包括至少两个晶体管的开关组件，至少两个晶体管通过经由公共栅极结构提供的栅极信号被控制。

背景技术：

1、功率半导体组件必须应对越来越高的电流密度。根据特定应用的条件，有时并联连接若干个具有较低载流能力的功率半导体装置可能比使用具有较高载流能力的单个功率半导体装置更有利。若干个功率半导体装置的并联连接形成多个电回路。特定于装置的特性与受寄生电感和寄生电容影响的电路环境的组合可能会在开关操作期间以及短路期间导致任何电回路中的高频振荡。高频振荡可能增加功耗，导致功率半导体组件发生故障，和/或损坏功率半导体组件的部件。

2、为了防止在相关操作点处出现高频振荡，通常在布局层面采取精心设计的措施。

3、不断需要用很少的额外努力来进一步改进开关组件的功能。

技术实现思路

1、本公开内容的实施方式涉及一种开关组件，其包括公共栅极结构、包括第一栅极端子的第一晶体管、包括第二栅极端子的第二晶体管、包括第三栅极端子的第三晶体管、电连接在第一栅极端子与公共栅极结构之间的第一线圈以及电连接在第二栅极端子与公共栅极结构之间的第二线圈。根据通过公共栅极结构提供的电流，第一线圈和第二线圈反向感应耦合。

2、当通过公共栅极结构gc向第一栅极端子和第二栅极端子提供栅极信号时，由从公共栅极结构流向第一栅极端子的电流感应出的第一磁通量和由从公共栅极端子流向第二栅极端子的电流感应出的第二磁通量具有相反的方向，并且至少部分地相互补偿。第一线圈和第二线圈对开关组件的开关性能影响很小或没有影响。

3、当在包括第一晶体管和第二晶体管的电回路中激发振荡时，从第一栅极端子流出的环流电流流入第二栅极端子，反之亦然。环流电流以相反的方向通过第一线圈和第二线圈。对于环流电流，第一线圈和第二线圈是“非反向”感应耦合的。由流过第一线圈的电流生成的第一动态磁通量和由流过第二线圈的电流生成的第二动态磁通量同相并相加。由此产生的相对较高的总线圈电感可以使寄生振荡系统失谐，并防止电位振荡系统振荡。

4、本领域技术人员在阅读下面的详细描述并查看附图时将认识到附加的特征和优点。

技术特征：

1.一种开关组件(900)，包括：

2.根据权利要求1所述的开关组件，还包括：

3.根据权利要求1或2所述的开关组件，还包括：

4.根据权利要求1或2中的一项所述的开关组件，还包括：

5.根据权利要求4所述的开关组件，

6.根据权利要求1或2中的一项所述的开关组件，还包括：

7.根据权利要求1或2中的一项所述的开关组件，还包括：

8.根据权利要求1和2中的任一项所述的开关组件，还包括：

9.根据权利要求8所述的开关组件，还包括：

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的开关组件，还包括：

11.根据权利要求10所述的开关组件，

12.根据权利要求1至9中的任一项所述的开关组件，还包括：

13.根据权利要求1至9和12中的任一项所述的开关组件，

14.根据前述权利要求中的任一项所述的开关组件，

技术总结
本发明涉及开关组件。开关组件(900)包括公共栅极结构(GC)。第一晶体管(110)包括第一栅极端子(G1)。第二晶体管(120)包括第二栅极端子(G2)。第三晶体管(130)包括第三栅极端子(G3)。第一线圈(211)电连接在第一栅极端子(G1)与公共栅极结构(GC)之间。第二线圈(212)电连接在第二栅极端子(G2)与公共栅极结构(GC)之间。根据通过公共栅极结构(GC)提供的电流，第一线圈(211)和第二线圈(212)反向感应耦合。

技术研发人员：丹尼尔·多梅斯
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23