CMP装置的制作方法

本发明涉及研磨晶圆的cmp装置。

背景技术：

1、在半导体制造领域中，已知有对硅晶圆等的半导体晶圆(以下称为“工件”)进行研磨而使其平坦化的cmp装置。

2、专利文献1记载的研磨装置公开了应用化学机械研磨即所谓的cmp(chemicalmechanical polishing)技术的气浮方式的cmp装置。在该cmp装置中，在研磨时，向形成于研磨头的载体和橡胶片之间的空气室导入空气来形成压力流体层，通过该压力流体层将晶圆的表面(被研磨面)按压在研磨布上。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：jp特开2001－212754号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、但是，在使用专利文献1记载的cmp装置对由难加工性材料构成的晶圆进行研磨的情况下，由于在高压、高旋转下长时间进行研磨，所以存在晶圆温度过度上升，附着在晶圆上的浆料蒸发而固着在晶圆上的问题。进而，如果从橡胶片的孔喷出的空气使绕入晶圆和橡胶片之间的浆料干燥，则存在浆料更容易固着在晶圆上的问题。

3、因此，产生了为了抑制浆料在工件上的固着而应解决的技术课题，本发明的目的在于解决该课题。

4、用于解决课题的技术方案

5、为了实现上述目的，本发明的cmp装置涉及下述的cmp装置，该cmp装置将工件按压在研磨垫上对其进行研磨，其特征在于，该cmp装置包括：

6、保持环，该保持环在中央处形成有能够收容上述工件的收容袋，以围绕载体的下端的方式设置，保持环呈大致圆环状；

7、隔膜(メンブレンフィルム)，该隔膜的周缘通过上述保持环把持，在该隔膜与上述载体之间形成压力传播室；

8、背衬膜，该背衬膜在上述收容袋内与上述隔膜接合，能够保持上述工件；以及

9、流体供给源，该流体供给源向上述压力传播室供给含有保湿水的加压流体；

10、在研磨上述工件时，以使上述压力传播室和上述收容袋连通的方式使上述加压流体通过形成于上述隔膜和上述背衬膜上的连通孔供给到上述收容袋内。

11、发明的效果

12、本发明通过将含有保湿水的加压流体经由连通孔供给到收容袋内，能够抑制工件的干燥及工件的温度上升，因此能够抑制浆料在工件上的固着。

技术特征：

1.一种cmp装置，该cmp装置将工件按压在研磨垫上进行研磨，其特征在于，该cmp装置包括：

2.根据权利要求1所述的cmp装置，其特征在于，上述加压流体在上述工件受到研磨时充满在上述工件与上述背衬膜之间。

3.根据权利要求1所述的cmp装置，其特征在于，上述加压流体是将diw和压缩空气混合而成的雾气。

4.根据权利要求1所述的cmp装置，其特征在于，上述加压流体为diw。

技术总结
[课题]本发明提供一种能够抑制浆料在工件上的固着的CMP装置。[解决方案]CMP装置(1)包括：保持环(40)，该保持环(40)在中央处形成有能够收容工件(W)的收容袋(40a)，以围绕载体(30)的下端的方式设置，该保持环呈大致圆环状；隔膜(50)，该隔膜(50)的周缘通过保持环(40)把持，在该隔膜与载体(30)之间形成压力传播室(C)；背衬膜(60)，该背衬膜(60)在上述收容袋(40a)内与隔膜(50)接合，能够保持工件(W)；以及流体供给源(32)，该流体供给源(32)向上述压力传播室(C)供给含有保湿水的加压流体。在研磨工件(W)时，以使压力传播室(C)和收容袋(40a)连通的方式使加压流体通过形成于隔膜(50)和背衬膜(60)上的连通孔(70)供给到收容袋(40a)内。

技术研发人员：筱崎飒典
受保护的技术使用者：株式会社东京精密
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23