半导体碱蚀刻的泡洗设备的制作方法
本技术属于半导体的碱蚀刻相关，具体地说，涉及半导体碱蚀刻的泡洗设备。
背景技术：
1、刻蚀是一种常见的微加工技术，用于在材料表面上刻出所需的图案和结构，在半导体的碱蚀刻过程中，需要将半导体浸泡在蚀刻液中进行泡洗，从而达到对半导体进行溶解腐蚀的目的，目前，半导体大多都是在静置的蚀刻液中进行泡洗，随着半导体的在蚀刻液中的溶解腐蚀，半导体上的杂质会从半导体上脱落进入蚀刻液，然而由于蚀刻液是静置状态，这些杂质很容易聚集在半导体的附近，导致这些杂质附着在半导体上，导致半导体难以充分泡洗，影响后续半导体的成型质量。在专利cn202220970409.6中提出的一种半导体碱蚀刻的泡洗装置，在循环水泵的作用下，储水区内部的蚀刻液通过喷口向泡洗区的内部进行喷发蚀刻液，而蚀刻液的喷发能够搅动泡洗区内部的蚀刻液，从而使得泡洗区内部的蚀刻液始终处于活动的状态。虽然该专利在一定程度上满足了使用的要求，但在实际使用过程中发现，利用液体循环实现液体搅动，对避免杂质聚集在半导体附近有一定的作用，但杂质依然在蚀刻液内，循环过程容易出现聚集堵塞，影响正常工作。
2、有鉴于此特提出本实用新型。
技术实现思路
1、本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供半导体碱蚀刻的泡洗设备，为解决上述技术问题，本实用新型采用技术方案的基本构思是：
2、半导体碱蚀刻的泡洗设备，包括主机架和设置在其上方的蚀刻洗泡箱，所述蚀刻洗泡箱的侧边设置有循环过滤器，所述循环过滤器的进液端通过循环抽液管与所述蚀刻洗泡箱内下部连通，所述循环过滤器的出液端通过循环回液管与所述蚀刻洗泡箱的上部连通，所述蚀刻洗泡箱的顶部开设有上开口，所述上开口靠近所述循环过滤器的一侧设置有上支架，所述上支架上固定安装有碱液存储箱，所述蚀刻洗泡箱内底部安装有搅拌器，所述搅拌器的上方设置有辅助支撑网板，所述辅助支撑网板上方的空间内设置有半导体放置筐，所述辅助支撑网板上方的所述蚀刻洗泡箱内壁上安装有酸碱度传感器，用于检测所述蚀刻洗泡箱内蚀刻液的碱度情况。
3、作为本实用新型进一步的方案：所述碱液存储箱的下端通过碱液加注管与所述蚀刻洗泡箱的内部相连通，所述碱液加注管上安装有电磁阀，配合所述酸碱度传感器，可以实现自动加注碱液，调节所述蚀刻洗泡箱内部的酸碱度。
4、作为本实用新型再进一步的方案：所述上开口配设安装有密封盖，所述上开口的内壁上设置有支撑放置台，所述半导体放置筐的上部边缘放置在所述支撑放置台上，用于对所述半导体放置筐进行放置支撑。
5、作为本实用新型再进一步的方案：所述密封盖的内侧设置有配合密封台，所述配合密封台的尺寸规格与所述上开口内壁的尺寸规格相互匹配，所述主机架的底面上位于所述蚀刻洗泡箱正下方的中间位置设置有搅拌动力箱，用于给所述搅拌器转动提供动力支持。
6、作为本实用新型再进一步的方案：所述搅拌动力箱内设置有搅拌电机，所述搅拌电机的主轴通过联轴器与搅拌轴相连接，所述联轴器的上方设置有支撑轴承，所述搅拌轴与所述蚀刻洗泡箱底部配合位置设置有密封套，用于确保所述蚀刻洗泡箱底部的密封性。
7、作为本实用新型再进一步的方案：所述搅拌器安装在所述搅拌轴上，所述蚀刻洗泡箱远离所述循环过滤器的一侧固定设置有侧支架，所述侧支架上安装有气泵，所述气泵通过抽气管与所述蚀刻洗泡箱内顶部相连通，所述气泵的设置，用于将蚀刻过程中产生的气体进行收集和集中处理，避免造成空气污染。
8、作为本实用新型再进一步的方案：所述侧支架下方的所述主机架上设置有操控箱，所述操控箱用于控制装置的工作过程。
9、采用上述技术方案后，本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果。
10、本实用新型的蚀刻洗泡箱配设有循环过滤器，可以对蚀刻液进行循环过滤，有效的去除蚀刻液中的杂质，避免堵塞循环管道，蚀刻洗泡箱内配设有搅拌装置，避免杂质聚集在半导体附近。
11、本实用新型的蚀刻洗泡箱内设置有酸碱度传感器，可以实时监测蚀刻洗泡箱内的碱度情况，碱性降低时，电磁阀打开，及时补充碱液，确保蚀刻液的碱度，进而保证半导体蚀刻的效率。
12、下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的描述。
技术特征：
1.半导体碱蚀刻的泡洗设备，包括主机架(1)和设置在其上方的蚀刻洗泡箱(2)，其特征在于，所述蚀刻洗泡箱(2)的侧边设置有循环过滤器(3)，所述循环过滤器(3)的进液端通过循环抽液管(4)与所述蚀刻洗泡箱(2)内下部连通，所述循环过滤器(3)的出液端通过循环回液管(5)与所述蚀刻洗泡箱(2)的上部连通，所述蚀刻洗泡箱(2)的顶部开设有上开口(8)，所述上开口(8)靠近所述循环过滤器(3)的一侧设置有上支架(6)，所述上支架(6)上固定安装有碱液存储箱(7)，所述蚀刻洗泡箱(2)内底部安装有搅拌器(24)，所述搅拌器(24)的上方设置有辅助支撑网板(18)，所述辅助支撑网板(18)上方的空间内设置有半导体放置筐(17)，所述辅助支撑网板(18)上方的所述蚀刻洗泡箱(2)内壁上安装有酸碱度传感器(25)。
2.根据权利要求1所述的半导体碱蚀刻的泡洗设备，其特征在于，所述碱液存储箱(7)的下端通过碱液加注管(15)与所述蚀刻洗泡箱(2)的内部相连通，所述碱液加注管(15)上安装有电磁阀(16)。
3.根据权利要求2所述的半导体碱蚀刻的泡洗设备，其特征在于，所述上开口(8)配设安装有密封盖(9)，所述上开口(8)的内壁上设置有支撑放置台(26)，所述半导体放置筐(17)的上部边缘放置在所述支撑放置台(26)上。
4.根据权利要求3所述的半导体碱蚀刻的泡洗设备，其特征在于，所述密封盖(9)的内侧设置有配合密封台(27)，所述配合密封台(27)的尺寸规格与所述上开口(8)内壁的尺寸规格相互匹配，所述主机架(1)的底面上位于所述蚀刻洗泡箱(2)正下方的中间位置设置有搅拌动力箱(14)。
5.根据权利要求4所述的半导体碱蚀刻的泡洗设备，其特征在于，所述搅拌动力箱(14)内设置有搅拌电机(19)，所述搅拌电机(19)的主轴通过联轴器(20)与搅拌轴(22)相连接，所述联轴器(20)的上方设置有支撑轴承(21)，所述搅拌轴(22)与所述蚀刻洗泡箱(2)底部配合位置设置有密封套(23)。
6.根据权利要求5所述的半导体碱蚀刻的泡洗设备，其特征在于，所述搅拌器(24)安装在所述搅拌轴(22)上，所述蚀刻洗泡箱(2)远离所述循环过滤器(3)的一侧固定设置有侧支架(12)，所述侧支架(12)上安装有气泵(11)，所述气泵(11)通过抽气管(13)与所述蚀刻洗泡箱(2)内顶部相连通。
7.根据权利要求6所述的半导体碱蚀刻的泡洗设备，其特征在于，所述侧支架(12)下方的所述主机架(1)上设置有操控箱(10)。
技术总结
本技术公开了半导体的碱蚀刻相关技术领域的半导体碱蚀刻的泡洗设备，包括主机架和设置在其上方的蚀刻洗泡箱，所述蚀刻洗泡箱的侧边设置有循环过滤器，所述循环过滤器的进液端通过循环抽液管与所述蚀刻洗泡箱内下部连通，所述循环过滤器的出液端通过循环回液管与所述蚀刻洗泡箱的上部连通。本技术的蚀刻洗泡箱配设有循环过滤器，可以对蚀刻液进行循环过滤，有效的去除蚀刻液中的杂质，避免堵塞循环管道，蚀刻洗泡箱内配设有搅拌装置，避免杂质聚集在半导体附近，蚀刻洗泡箱内设置有酸碱度传感器，可以实时监测蚀刻洗泡箱内的碱度情况，碱性降低时，电磁阀打开，及时补充碱液，确保蚀刻液的碱度，进而保证半导体蚀刻的效率。
技术研发人员：万琳旭
受保护的技术使用者：新创电子技术（东莞）有限公司
技术研发日：20240131
技术公布日：2024/9/23