HDI板无痕移植加工方法与流程
本申请涉及电路板加工技术，具体涉及一种hdi板无痕移植加工方法。
背景技术：
1、pcb电路板作为电子产品的关键电路集成者，承载着大部分功能性零部件，表面贴装工艺的发展，使得pcb体积越来越小，密度越来越高。高密度结合互联板即hdi板持续高度发展，因其密度高，工艺复杂，产品价值较普通单面及多层pcb板高出3-5倍.因smt工艺追求良率及效率,对于连片数的追求越来越多,单pcs的不良品随着连片数的增加，不良占比也越来越高。hdi板中经常出现一个单元的不良而形成叉板，若因为一个单元而报废整个产品，会导致过多的浪费，因此通常对叉板进行移植。目前叉板移植包括叉板分堆、叉位挑选、周期匹配、颜色比对、移植程式设计、cnc pin孔定位母板切割去除不良板、cnc pin孔定位子板切割、子母板配套嵌入、贴背胶、点胶、点胶后检验、烘烤、移植后尺寸量测、移植板二次电测、成检和包装，因此现有的移植技术存在如下缺点：移植流程复杂、移植成本高、移植产出效率低，且移植痕迹明显。
技术实现思路
1、为了克服上述缺陷，本申请提供一种hdi板无痕移植加工方法，该加工方法具有移植流程短、移植效率高以及成品外观无移植痕迹的优点，且缩短了移植周期，降低了移植成本。
2、本申请为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种hdi板无痕移植加工方法，包括如下步骤：
4、叉板识别标记：对已经完成次外层线路图形加工的hdi半成品板进行次外层aoi，并对已经加工完成的所有层次的叉板进行识别标记；
5、设计光标点：在hdi半成品板的次外层空旷区设计光标点；
6、取出母板不良品：采用ccd抓取次外层的光标点定位，真空负压吸气定位、ccd定位铣切加工，切割取出母板中的不良品，预留出嵌入子板良品的位置；
7、取出子板良品：采用ccd抓取次外层的光标点定位，真空负压吸气进行定位加工，切割取出子板中的良品；
8、嵌入：将子板良品移植入母板中预留的位置，并确保嵌入后子板良品与母板嵌入点紧密契合，得到子母板；
9、棕化：将完成移植嵌套的子母板进行棕化加工，使次外层铜面通过药水粗化微蚀，使次外层铜面达到粗糙均匀的棕化膜效果；
10、烘烤：对棕化后的子母板插框烘烤，以去除残留在移植缝隙中的水汽；
11、叠合：在子母板的次外层上覆盖pp半固化片，得到待压合板；
12、压合：利用真空压合的方式压合待压合板，使pp半固化片中的树脂流动并填充进移植缝隙，得到的hdi移植半成品板。
13、可选地，还包括如下步骤：对hdi移植半成品板进行钻孔、电镀、外层线路、外层aoi、阻焊、文字、成型、测试、osp、成检和包装，得到hdi移植板。
14、可选地，在所述设计光标点的步骤中，在hdi半成品板的次外层空旷区设计四组光标点，光标点的形状为圆形，光标点的直径为1.5mm±0.05mm，将光标点设计在单元板的捞槽内，捞槽的宽度为2mm±0.05mm。
15、可选地，在所述取出母板不良品的步骤中，铣切加工时采用单螺旋铣刀，且铣刀直径为0.8mm±0.05mm，负压的真空度为-90mmhg±5mmhg，进给速度为9mm/min±0.5mm/min，转速为32kr/min±3kr/min,铣刀寿命控制6m。
16、可选地，在所述棕化步骤中，棕化的条件为：过氧化氢溶液的质量浓度为30％-40％，硫酸溶液的质量浓度为45％-50％，cu2+的浓度＜31g/l，过氧化氢溶液的添加量为25-55ml/l，硫酸溶液的添加量为87.5-162.5ml/l，微蚀速率为60±10u”。
17、可选地，在所述烘烤的步骤中，烘烤的条件为：烘烤温度60-80℃、烘烤时间30min±5min。
18、可选地，在所述叠合的步骤中，所述pp半固化片中pp树脂ac含量≥68％，所述pp半固化片的尺寸比子母板的尺寸单边大5mm。
19、可选地，在所述压合的步骤中，将pp半固化片加热到熔融点后，pp半固化片中的树脂流动并填充到移植缝隙中，在高压参数下确保移植板与正常板的板厚一致性。
20、可选地，在所述压合的步骤中，压合的压程参数为：上压点82℃，最大压力300psi,最高料温180℃，压合温度＞150℃维持时间83min±3min，温升时间40min±2min，温升速率1.5℃/min±0.2℃/min。
21、可选地，在所述取出母板不良品的步骤中，在母板的次外层上切割子板良品的嵌入区作为连接位，并将子板良品的嵌入区外移至母板的板框区域，嵌入区呈喇叭状结构，嵌入区的大头位于板框区域的内部，嵌入区的小头位于板框区域的边缘，嵌入区的大头的宽度为8mm±1mm，嵌入区的小头的宽度为4mm±0.5mm，嵌入区的大头与嵌入区的小头之间的距离为3mm±0.5mm。
22、本申请的有益效果是：本申请中在hdi板次外层线路制作好后就进行移植加工，在移植好的子母板上压合一层pp半固化片，从而使移植缝隙被树脂填充，且子板和母板的连接位上方由pp半固化片二次全面覆盖加固，使得移植板和普通板无差别，提高了移植的良率，也满足了客户要求hdi板外观无差异的要求。本申请的移植加工方法具有移植流程短、移植效率高以及成品外观无移植痕迹的优点，且省略了传统的子板分批配对、颜色匹配、周期匹配、尺寸匹配、板厚匹配、移植前pumice、贴背胶、点胶、点胶后检验、点胶后烘烤、移植后尺寸量测、移植板二次电测等步骤，缩短了移植周期，降低了移植成本。
技术特征：
1.一种hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：还包括如下步骤：对hdi移植半成品板进行钻孔、电镀、外层线路、外层aoi、阻焊、文字、成型、测试、osp、成检和包装，得到hdi移植板。
3.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述设计光标点的步骤中，在hdi半成品板的次外层空旷区设计四组光标点，光标点的形状为圆形，光标点的直径为1.5mm±0.05mm，将光标点设计在单元板的捞槽内，捞槽的宽度为2mm±0.05mm。
4.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述取出母板不良品的步骤中，铣切加工时采用单螺旋铣刀，且铣刀直径为0.8mm±0.05mm，负压的真空度为-90mmhg±5mmhg，进给速度为9mm/min±0.5mm/min，转速为32kr/min±3kr/min,铣刀寿命控制6m。
5.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述棕化步骤中，棕化的条件为：过氧化氢溶液的质量浓度为30％-40％，硫酸溶液的质量浓度为45％-50％，cu2+的浓度＜31g/l，过氧化氢溶液的添加量为25-55ml/l，硫酸溶液的添加量为87.5-162.5ml/l，微蚀速率为60±10u”。
6.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述烘烤的步骤中，烘烤的条件为：烘烤温度60-80℃、烘烤时间30min±5min。
7.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述叠合的步骤中，所述pp半固化片中pp树脂ac含量≥68％，所述pp半固化片的尺寸比子母板的尺寸单边大5mm。
8.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述压合的步骤中，将pp半固化片加热到熔融点后，pp半固化片中的树脂流动并填充到移植缝隙中，在高压参数下确保移植板与正常板的板厚一致性。
9.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述压合的步骤中，压合的压程参数为：上压点82℃，最大压力300psi,最高料温180℃，压合温度＞150℃维持时间83min±3min，温升时间40min±2min，温升速率1.5℃/min±0.2℃/min。
10.根据权利要求1所述的hdi板无痕移植加工方法，其特征在于：在所述取出母板不良品的步骤中，在母板的次外层上切割子板良品的嵌入区作为连接位，并将子板良品的嵌入区外移至母板的板框区域，嵌入区呈喇叭状结构，嵌入区的大头位于板框区域的内部，嵌入区的小头位于板框区域的边缘，嵌入区的大头的宽度为8mm±1mm，嵌入区的小头的宽度为4mm±0.5mm，嵌入区的大头与嵌入区的小头之间的距离为3mm±0.5mm。
技术总结
本申请涉及一种HDI板无痕移植加工方法，包括如下步骤：对HDI半成品板进行次外层AOI，并对叉板进行识别标记；在HDI半成品板的次外层空旷区设计光标点；采用CCD抓取次外层的光标点定位，切割取出母板中的不良品；采用CCD抓取次外层的光标点定位，切割取出子板中的良品；将子板良品移植入母板中预留的位置；将完成移植嵌套的子母板进行棕化加工；对棕化后的子母板插框烘烤，以去除残留在移植缝隙中的水汽；在子母板的次外层上覆盖PP半固化片，得到待压合板；利用真空压合的方式压合待压合板，得到的HDI移植板。本加工方法具有移植流程短、移植效率高以及成品外观无移植痕迹的优点，且缩短了移植周期，降低了移植成本。
技术研发人员：陈市伟,黄志宏,黄学
受保护的技术使用者：竞陆电子（昆山）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23