晶圆检测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品与流程
本发明涉及半导体，具体涉及一种晶圆检测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品。
背景技术：
1、随着半导体技术的进一步发展，缺陷检测已经成为提升半导体良率一项不可或缺的手段，故能够建立一个合理的缺陷检测程式至关重要；目前fab中光学检测扫描机台扫描程式建立均是人为操作，并且参数是根据需要自行判断选择，人为因素较大，有时会不能很好的检测出晶圆真正缺陷情况，可能导致需要报废的晶圆流到客户手中，造成较大影响。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种晶圆检测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品，通过建立参数数据库约束检测工艺参数，避免因人为因素导致检测工艺参数不健康造成检测失败。
2、为实现上述目的，本发明提供一种晶圆检测方法，包括以下步骤：获取若干种历史检测晶圆的检测工艺参数，建立参数数据库；根据被检测晶圆的芯片结构，在所述参数数据库中选取与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆及其对应的所述检测工艺参数；调用该检测工艺参数检测所述被检测晶圆。
3、可选的，所述获取若干种历史检测晶圆的检测工艺参数，建立参数数据库，具体包括：根据同种所述历史检测晶圆的检测工艺参数下不同的所述历史检测晶圆的表面缺陷信号强度，将该检测工艺参数下的该种所述历史检测晶圆划分为若干个质量等级；所述调用该检测工艺参数检测所述被检测晶圆，具体包括：根据所述被检测晶圆的表面缺陷信号强度，对照与所述被检测晶圆匹配的所述历史检测晶圆的表面缺陷信号强度，以确定该被检测晶圆的所述质量等级
4、可选的，所述芯片结构包括芯片尺寸、芯片排布方式及芯片排布密度中的至少一者。
5、可选的，所述根据被检测晶圆的芯片结构，在所述参数数据库中选取与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆及其对应的所述检测工艺参数，具体包括：训练一目标检测模型，以使所述目标检测模型能够识别任一晶圆的所述芯片结构，并能够根据所述芯片结构，在所述参数数据库中选取与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆。
6、可选的，所述调用该检测工艺参数检测所述被检测晶圆，具体包括：根据检测结果，输出对应该检测工艺参数的修正检测信息；根据接收到的修改指令，修改该检测工艺参数，调用修改后的该检测工艺参数，重新检测所述被检测晶圆。
7、可选的，所述根据检测结果，输出对应该检测工艺参数的修正检测信息，具体包括：训练一深度学习模型，以使所述深度学习模型能够在所述被检测晶圆和在所述参数数据库中选取的与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆型号不同时，根据所述检测结果，输出对应该检测工艺参数的所述修正检测信息。
8、本发明还提供一种晶圆检测系统，应用于上述中任一所述的晶圆检测方法，包括：匹配模块，用于根据被检测晶圆的芯片结构，在所述参数数据库中选取与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆及其对应的所述检测工艺参数；检测模块，用于调用该检测工艺参数检测所述被检测晶圆。
9、本发明还提供一种电子设备，所述电子设备包括：存储器，存储有计算机程序；处理器，与所述存储器通信相连，调用所述计算机程序时执行上述任一项所述的晶圆检测方法；显示器，与所述处理器和所述存储器通信相连，用于显示与所述晶圆检测方法相关gui交互界面。
10、本发明还提供一种存储介质，存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的晶圆检测方法。
11、本发明还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的晶圆检测方法。
12、本发明提供的晶圆检测方法、晶圆检测系统、电子设备及存储介质具有如下有益效果：
13、本发明提供一种晶圆检测方法，包括以下步骤：获取若干种历史检测晶圆的检测工艺参数，建立参数数据库；根据被检测晶圆的芯片结构，在所述参数数据库中选取与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆及其对应的所述检测工艺参数；调用该检测工艺参数检测所述被检测晶圆。如此设置，本发明基于不同晶圆的芯片结构，建立检测工艺参数数据库，从而利用数据库约束检测工艺参数，为后续实际检测以及新的检测工艺参数的设定提供参考依据，避免因人为因素导致检测工艺参数不健康造成检测失败。
14、本发明还提供一种晶圆检测系统，由于所述晶圆检测系统与所述晶圆检测方法属于同一个发明构思，因此所述晶圆检测系统基于不同晶圆的芯片结构，建立检测工艺参数数据库，从而利用数据库约束检测工艺参数，为后续实际检测以及新的检测工艺参数的设定提供参考依据，避免因人为因素导致检测工艺参数不健康造成检测失败。
15、本发明还提供一种电子设备，由于所述电子设备与所述晶圆检测方法属于同一个发明构思，因此所述电子设备基于不同晶圆的芯片结构，建立检测工艺参数数据库，从而利用数据库约束检测工艺参数，为后续实际检测以及新的检测工艺参数的设定提供参考依据，避免因人为因素导致检测工艺参数不健康造成检测失败。
16、本发明还提供一种存储介质，由于所述存储介质与所述晶圆检测方法属于同一个发明构思，因此所述存储介质基于不同晶圆的芯片结构，建立检测工艺参数数据库，从而利用数据库约束检测工艺参数，为后续实际检测以及新的检测工艺参数的设定提供参考依据，避免因人为因素导致检测工艺参数不健康造成检测失败。
17、本发明还提供一种计算机程序产品，由于所述计算机程序产品与所述晶圆检测方法属于同一个发明构思，因此所述计算机程序产品基于不同晶圆的芯片结构，建立检测工艺参数数据库，从而利用数据库约束检测工艺参数，为后续实际检测以及新的检测工艺参数的设定提供参考依据，避免因人为因素导致检测工艺参数不健康造成检测失败。
技术特征：
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述获取若干种历史检测晶圆的检测工艺参数，建立参数数据库，具体包括：
3.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述芯片结构包括芯片尺寸、芯片排布方式及芯片排布密度中的至少一者。
4.如权利要求3所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述根据被检测晶圆的芯片结构，在所述参数数据库中选取与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆及其对应的所述检测工艺参数，具体包括：
5.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述调用该检测工艺参数检测所述被检测晶圆，具体包括：
6.如权利要求5所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述根据检测结果，输出对应该检测工艺参数的修正检测信息，具体包括：
7.一种晶圆检测系统，应用于如权利要求1至6中任一所述的晶圆检测方法，其特征在于，包括：
8.一种电子设备，其特征在于，包括：
9.一种存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的晶圆检测方法。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的晶圆检测方法。
技术总结
本发明提供一种晶圆检测方法，包括以下步骤：获取若干种历史检测晶圆的检测工艺参数，建立参数数据库；根据被检测晶圆的芯片结构，在所述参数数据库中选取与所述被检测晶圆匹配的历史检测晶圆及其对应的所述检测工艺参数；调用该检测工艺参数检测所述被检测晶圆。本发明通过建立参数数据库约束检测工艺参数，避免因人为因素导致检测工艺参数不健康造成检测失败。
技术研发人员：韩俊伟
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23