一种改善基板表面均匀性的插框的制作方法

本技术涉及封装载板，具体涉及一种改善基板表面均匀性的插框。

背景技术：

1、现有等离子治具在加工基板时，面临着一个显著的问题，即由于治具设计的中间漏空结构，导致了气体分布的不均匀性。具体来说，中间漏空的设计使得气体在流经治具时，两侧位置的气体通过性明显高于中间。这种气体流动的差异性，直接影响了等离子体与基板表面的相互作用效果。在等离子处理过程中，气体的均匀分布是确保基板表面均匀性的关键因素之一。然而，当前治具的中间漏空设计打破了这种平衡，使得中间区域的气体流速快、浓度高，而两侧则相对较慢、较稀。如公开号为cn208572567u的中国专利公开一种用于生产超薄大印制电路板的支撑支架，其结构简单，拆装方便，便于将超薄大印制电路板进行固定，使得较薄的板具有足够的刚性而不发生形变，从而使超薄大印制电路板可以顺利生产，但其支架上的通孔会影响等离子体的均匀产生和稳定维持，还导致了基板表面不同区域所接受的等离子体能量和化学反应条件的不一致，因此，当等离子体作用于基板表面时，中间位置可能会因为过强的气体流动和等离子体作用而出现过刻蚀、过活化或其他不良现象，而两侧则可能因为气体流动不足而处理不充分，出现处理不均、残留物较多等问题。这些问题综合起来，就导致了基板表面均匀性的显著变差，进而影响了产品的质量和性能。为了解决这一问题，需要对等离子治具的设计进行改进。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种改善基板表面均匀性的插框，能够有效格挡插框本体中间位置气体流动，提高基板表面均匀性。

2、本实用新型的技术方案为：

3、一种改善基板表面均匀性的插框，包括插框本体，还包括格挡治具，格挡治具固定于插框本体内，所述插框本体内设有与格挡治具形状相适配的放置空间，所述格挡治具可拆卸的设置在所述放置空间内，所述插框本体为矩形结构，插框本体的中部设有横梁，插框本体与横梁连接的部分设有固定孔，所述格挡治具包括上板和下板，基板设置在所述上板和下板之间。

4、优选地，所述基板的外侧预留出空间形成凹槽，所述插框本体和横梁上设有凸块，凸块与凹槽相适配。

5、优选地，所述格挡治具嵌合在插框本体内，上板上下两端设有螺纹孔，固定孔和螺纹孔通过螺钉进行固定。

6、优选地，所述凹槽内贴合有铁氟龙材质胶条。

7、优选地，所述格挡治具本体材质为铝合金。

8、本实用新型与现有技术相比，具有以下有益效果：

9、通过引入插框本体和格挡治具的组合设计，有效解决了现有等离子治具在加工基板时中间漏空导致的气体分布不均问题。插框本体作为支撑结构，其矩形设计和中部横梁的加强，提高了整体稳定性和承重能力。而格挡治具的加入，则通过其特定的结构设计，对气体流动进行了有效的引导和限制，确保了气体在治具内的均匀分布，从而提升了基板表面的处理均匀性。

技术特征：

1.一种改善基板表面均匀性的插框，包括插框本体(1)，其特征在于，还包括格挡治具(2)，格挡治具(2)固定于插框本体(1)内，所述插框本体(1)内设有与格挡治具（2）形状相适配的放置空间，所述格挡治具（2）可拆卸的设置在所述放置空间内，所述插框本体(1)为矩形结构，插框本体(1)的中部设有横梁(3)，插框本体(1)与横梁(3)连接的部分设有固定孔(4)，所述格挡治具(2)包括上板(5)和下板(6)，基板设置在所述上板（5）和下板（6）之间。

2.如权利要求1所述的一种改善基板表面均匀性的插框，其特征在于，所述基板的外侧预留出空间形成凹槽(7)，所述插框本体(1)和横梁(3)上设有凸块(8)，凸块(8)与凹槽(7)相适配。

3.如权利要求1所述的一种改善基板表面均匀性的插框，其特征在于，所述格挡治具(2)嵌合在插框本体(1)内，上板(5)上下两端设有螺纹孔(9)，固定孔(4)和螺纹孔(9)通过螺钉进行固定。

4.如权利要求2所述的一种改善基板表面均匀性的插框，其特征在于，所述凹槽(7)内贴合有铁氟龙材质胶条。

5.如权利要求1所述的一种改善基板表面均匀性的插框，其特征在于，所述格挡治具(2)本体材质为铝合金。

6.如权利要求2所述的一种改善基板表面均匀性的插框，其特征在于，所述格挡治具（2）的长为686mm，宽为30mm，高为13mm，所述凹槽（7）的深度为6.5mm。

技术总结
本技术涉及封装载板技术领域，具体涉及一种改善基板表面均匀性的插框。包括插框本体和格挡治具，格挡治具固定于插框本体内，所述插框本体内设有与格挡治具形状相适配的放置空间，所述格挡治具可拆卸的设置在所述放置空间内，所述插框本体为矩形结构，插框本体的中部设有横梁，插框本体与横梁连接的部分设有固定孔，所述格挡治具包括上板和下板，基板设置在所述上板和下板之间。本技术能够在基板生产时有限格挡中间位置的气体流动，在等离子加工基板过程中提高基板表面的均匀性。

技术研发人员：祝国旗,孙建翔,覃祥丽,陈德宇,田凤起
受保护的技术使用者：淄博芯材集成电路有限责任公司
技术研发日：20240719
技术公布日：2024/9/23