薄膜晶体管及其制造方法与流程

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术：

1、薄膜晶体管(thin film transistor，tft)是一种场效应晶体管，常被应用于显示器、光感测器、天线等电子装置中。一般而言，薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极以及漏极。利用栅极控制半导体层中的载子，以使电流可以在源极以及漏极之间流通。薄膜晶体管的优点是低功耗、高速度、高可靠性、低成本和易于集成。薄膜晶体管的应用范围非常广泛，为了减少薄膜晶体管的尺寸，许多厂商致力于研发新的薄膜晶体管结构。

技术实现思路

1、本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管具有通道长度短的优点。

2、本发明的至少一实施例提供一种薄膜晶体管，其包括基板、栅极、栅介电层、隔离结构、源极、漏极以及半导体层。栅极位于基板上方。栅介电层位于栅极上，且覆盖栅极。隔离结构位于栅介电层上，且具有重叠于栅极的最终通孔。最终通孔的宽度为大于0微米且小于3微米。最终通孔的侧壁包括斜坡，且该斜坡与栅介电层的上表面所形成的夹角为20度至70度。源极以及漏极位于隔离结构的顶面上。漏极分离于源极。半导体层位于源极以及漏极上，并延伸进最终通孔中。

3、本发明的至少一实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤。形成栅极于基板上方。形成栅介电层于栅极上，并覆盖栅极。形成光刻胶材料层于栅介电层上。移除光刻胶材料层的部分，以形成具有初始通孔的隔离结构。对隔离结构执行热处理工艺，使初始通孔的宽度缩小成最终通孔，其中最终通孔的宽度为大于0微米且小于3微米，其中最终通孔的侧壁包括斜坡，且斜坡与栅介电层的上表面所形成的夹角为20度至70度。形成彼此分离的源极以及漏极于该隔离结构上。形成半导体层于源极以及漏极上，且半导体层延伸进该最终通孔中。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中其中该源极以及该漏极从该隔离结构的该顶面延伸进该最终通孔中，且该源极、该漏极以及该半导体层接触位于该最终通孔的底部的该栅介电层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该斜坡包括曲面。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该隔离结构的材料包括固化后的光刻胶，且其中该源极以及该漏极的材料包括以下中的至少一者：银、钼、铜、铝、钛、前述金属的合金、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物或前述的组合。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

6.如权利要求5所述的制造方法，其中形成彼此分离的该源极以及该漏极于该隔离结构上的方法包括：

7.如权利要求5所述的制造方法，其中对该隔离结构执行该热处理工艺，借此让该隔离结构回流而使得该初始通孔变为该最终通孔，其中对该隔离结构执行该热处理工艺的温度为100℃至250℃，且其中形成彼此分离的该源极以及该漏极于该隔离结构上的方法包括：

8.如权利要求7所述的制造方法，其中该分离工艺包括：

9.如权利要求7所述的制造方法，其中该分离工艺包括：

10.如权利要求5所述的制造方法，其中对该光刻胶材料层执行一曝光工艺以及一显影工艺，以形成具有该初始通孔的该隔离结构，且其中形成彼此分离的该源极以及该漏极于该隔离结构上的方法包括：

技术总结
一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅介电层、隔离结构、源极、漏极以及半导体层。栅极位于基板上方。栅介电层位于栅极上，且覆盖栅极。隔离结构位于栅介电层上，且具有重叠于栅极的最终通孔。最终通孔的宽度为大于0微米且小于3微米。最终通孔的侧壁包括斜坡，且该斜坡与栅介电层的上表面所形成的夹角为20度至70度。源极以及漏极位于隔离结构的顶面上。漏极分离于源极。半导体层位于源极以及漏极上，并延伸进最终通孔中。

技术研发人员：陈文斌,蔡明侑,范扬顺,黄宝玉
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23