低噪声放大器及射频前端模组的制作方法

本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大器及射频前端模组。

背景技术：

1、在无线通信系统中，通常设置有低噪声放大电路，以对从天线端接收到的射频信号进行低噪声放大。然而，随着无线通信技术的快速发展，业内对无线通信系统的性能的需求越来越高，

2、如何提升低噪声放大器的性能，是目前亟待解决的一个问题。

技术实现思路

1、本申请提出了一种低噪声放大器及射频前端模组，能够提升低噪声放大器的性能。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种低噪声放大器，包括射频输入端、射频输出端，所述低噪声放大器还包括偏置模块和放大模块，所述放大模块包括放大电路和旁路电路；

3、所述偏置模块包括偏置电路和至少一个下拉开关，所述偏置电路的输出端与所述放大电路连接；所述下拉开关的一端连接于所述偏置电路的输出端，另一端接地，所述下拉开关用于在接收到第一控制电压时导通；

4、所述放大电路连接在所述射频输入端与所述射频输出端之间，用于对所述射频输入端输入的第一射频信号进行放大，得到第二射频信号；

5、所述旁路电路连接在所述射频输入端与所述射频输出端之间，并且包括至少一个旁路开关，所述旁路开关用于在接收到第二控制电压时导通；

6、其中，所述第二控制电压的值大于所述第一控制电压的值。

7、第二方面，本申请实施例提供了一种低噪声放大器，偏置模块和放大模块，所述偏置模块和所述放大模块分别包括至少一个开关，其中，所述偏置模块中的至少一个开关在接收到第一控制电压时导通，所述放大模块中的至少一个开关在接收到第二控制电压时导通，所述第二控制电压的值大于所述第一控制电压的值。

8、第三方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括基板和设置于所述基板上的第一芯片，所述第一芯片内设有如第一方面或第二方面所述的低噪声放大器。

9、本申请实施例中，为偏置模块13中的开关和放大模块14中的开关提供不同的控制电压，使放大模块14中至少一个开关的导通控制电压(即第二控制电压)大于偏置模块13中至少一个开关的导通控制电压(即第一控制电压)，从而使得放大模块14中的开关具有更快的响应速度、更优越的开关性能。此外，使第一控制电压小于第二控制电压，能够在满足偏置模块13对开关的性能需求的前提下，减轻偏置模块13中开关的漏电。因此，本申请实施例能够提升低噪声放大器的整体性能。

技术特征：

1.一种低噪声放大器，包括射频输入端、射频输出端，其特征在于，所述低噪声放大器还包括偏置模块和放大模块，所述放大模块包括放大电路和旁路电路；

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电路包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端用于输出第一偏置信号，所述第二输出端用于输出第二偏置信号；

3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，至少一个所述下拉开关还包括第二开关，其中：

4.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大电路还包括：

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器集成于芯片内，所述芯片外表面或芯片内部设有接地金属层，所述第一电容的另一端通过第一导电过孔连接于所述接地金属层，所述第一电感的另一端通过第二导电过孔连接于所述接地金属层。

6.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电路的输入端用于接收参考电流，所述偏置电路包括至少两个串联的第三晶体管，各所述第三晶体管的第一端与第三端短接，各所述第三晶体管的第二端与相邻的另一所述第三晶体管的第一端连接或者接地，其中至少一个所述第三晶体管的第一端连接于所述偏置电路的第一输出端和/或第二输出端。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电路还包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接于所述偏置电路的第一输出端，所述第一电阻的另一端通过串联的至少两个所述第三晶体管接地，其中一所述第三晶体管的第一端连接于所述偏置电路的第二输出端。

8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，至少一个所述旁路开关包括第三开关，所述第三开关的第一端连接于所述射频输入端，所述第三开关的第二端用于连接所述射频输出端，所述第三开关在第三端接收到所述第二控制电压时导通。

9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路电路还包括第二电阻和第四开关，所述第二电阻、所述第四开关依序串联在所述第三开关的第二端与所述射频输出端之间。

10.根据权利要求9所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路电路还包括第五开关，所述第五开关的第一端连接于所述第一电阻与所述第四开关的连接节点，所述第五开关的第二端接地，所述第五开关用于在第三端接收到第三控制电压时导通，其中，所述第三控制电压大于或等于所述第一控制电压。

11.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大电路包括放大单元和第六开关，所述第六开关串接在所述放大单元的输出端与所述射频输出端之间，所述第六开关用于在接收到第四控制电压时导通；

12.根据权利要求1-11任一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述下拉开关和所述旁路开关均在所述低噪声放大电路处于旁路模式时导通。

13.根据权利要求1-11任一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器集成于芯片内，所述芯片基于赝配高电子迁移率晶体管工艺生成。

14.根据权利要求1-11任一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括电压源电路，用于生成所述第一控制电压和所述第二控制电压。

15.一种低噪声放大器，其特征在于，包括偏置模块和放大模块，所述偏置模块和所述放大模块分别包括至少一个开关，其中，所述偏置模块中的至少一个开关在接收到第一控制电压时导通，所述放大模块中的至少一个开关在接收到第二控制电压时导通，所述第二控制电压的值大于所述第一控制电压的值。

16.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板和设置于所述基板上的第一芯片，所述第一芯片内设有如权利要求1-15任一项所述的低噪声放大器。

17.根据权利要求16所述的射频前端模组，其特征在于，还包括第二芯片，所述第二芯片设置于所述基板，且与所述第一芯片电连接，所述第二芯片用于输出所述第二控制电压和所述第一控制电压。

技术总结
本申请公开了一种低噪声放大器和射频前端模组，其中低噪声放大器包括射频输入端、射频输出端、偏置模块和放大模块，放大模块包括放大电路和旁路电路；偏置模块包括偏置电路和至少一个下拉开关，下拉开关用于在接收到第一控制电压时导通；旁路电路连接在射频输入端与射频输出端之间，并且包括至少一个旁路开关，旁路开关用于在接收到第二控制电压时导通；其中，第二控制电压的值大于第一控制电压的值。上述低噪声放大器中偏置模块和放大模块中的开关具有不同的控制电压，从而使得放大模块14中的开关具有更快的响应速度、更优越的开关性能，并减轻偏置模块13中开关的漏电，进而提升低噪声放大器的整体性能。

技术研发人员：唐哲,李镁钰,奉靖皓,倪建兴
受保护的技术使用者：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23