一种金属靶材薄膜沉积工艺腔的制作方法
本说明书涉及金属靶材薄膜沉积，具体涉及一种金属靶材薄膜沉积工艺腔。
背景技术：
1、陶瓷具有良好的电绝缘性，用于制作各种电压(1kv～110kv)的绝缘器件。陶瓷绝缘环在铜和铝工艺腔中用于对靶材(target)与腔体之间的隔离绝缘。在进行工艺时需要对靶材通直流电源用于使氩气(argon)产生等离子体(plasma)来轰击靶材实现薄膜沉积。如果没有此陶瓷绝缘环，靶材将直接与腔体接触，施加给靶材的直流电源导向腔体的接地失去产生等离子体的能力。虽然陶瓷材料是工程材料中刚度较好、硬度很高的材料，它的抗压强度较高，但抗拉强度较低，塑性和韧性很差，直接受力易出现缺口或碎裂。橡胶密封圈是卡在腔室盖子和腔体上的凹槽处，用于腔室盖子、陶瓷绝缘环和腔体之间的密封。
2、现有的铜和铝薄膜沉积工艺腔中，腔室盖子与腔体之间的绝缘陶瓷环和密封圈在长时间真空工艺的高温和腔室盖子给予陶瓷环与陶瓷环下方密封圈的压力下，橡胶密封圈会使陶瓷环粘连至腔体上。在对腔室进行维护保养(pm)拆卸绝缘陶瓷环时，由于橡胶密封圈粘连强度大并且没有合适的工具从合适的角度拆下陶瓷环，其拆卸难度较大并带有损坏陶瓷环的风险。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种金属靶材薄膜沉积工艺腔，通过在腔体内开设容置腔，在容置腔内设置升降机构，当需要拆卸陶瓷绝缘环时，升降机构推动第一密封圈向上运动，将第一密封圈和绝缘陶瓷环顶起，以实现消除第一密封圈的粘连，并且在第一密封圈的橡胶韧性保护下刚硬度高韧性差的绝缘环不会直接受力出现有缺口和碎裂的风险。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：一种金属靶材薄膜沉积工艺腔，包括腔体、第一密封圈和绝缘陶瓷环，所述腔体上开设有凹槽，所述第一密封圈嵌入所述凹槽内，所述绝缘陶瓷环安装于所述第一密封圈上，还包括升降机构，
3、所述腔体内开设有用于容置所述升降机构的容置腔，所述容置腔与所述凹槽相连通，所述升降机构用于推动所述第一密封圈向靠近所述绝缘陶瓷环的方向运动，以使得所述第一密封圈被顶出所述凹槽内。
4、优选的，所述升降机构包括升降杆、气动驱动装置和气流导管，所述升降杆与所述第一密封圈底部相接触，所述升降杆与所述气动驱动装置相连接，通过所述气动驱动装置实现所述升降杆的升降，所述气流导管的第一端与所述气动驱动装置相连接，所述气流导管的第二端延伸到所述腔体外部。
5、优选的，所述升降杆包括直杆部和顶升部，所述凹槽与所述容置腔之间开设有通孔，所述顶升部穿过通孔与所述第一密封圈底部相接触。
6、优选的，所述顶升部为圆台状，沿着远离所述第一密封圈的方向，所述顶升部的外径逐渐减小。
7、优选的，所述顶升部穿过通孔与所述第一密封圈底部相接触包括：所述顶升部的顶部与所述凹槽底部相平齐。
8、优选的，所述升降机构还包括第二密封圈，所述第二密封圈套设于所述直杆部上，所述第二密封圈与所述容置腔内壁密封接触。
9、优选的，所述气流导管第二端与外部供气装置相连接，所述气流导管上设置有气动阀，通过所述气动阀的开启或关闭实现所述升降杆的上升或下降。
10、优选的，所述升降杆为热稳定材料制成。
11、优选的，所述第一密封圈为环形弹性橡胶圈。
12、优选的，所述升降机构设置有若干组。
13、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
14、通过在腔体内开设容置腔，在容置腔内设置升降机构，当需要拆卸陶瓷绝缘环时，升降机构推动第一密封圈向上运动，将第一密封圈和绝缘陶瓷环顶起，以实现消除第一密封圈的粘连，并且在第一密封圈的橡胶韧性保护下刚硬度高韧性差的绝缘环不会直接受力出现有缺口和碎裂的风险。
技术特征：
1.一种金属靶材薄膜沉积工艺腔，包括腔体、第一密封圈和绝缘陶瓷环，所述腔体上开设有凹槽，所述第一密封圈嵌入所述凹槽内，所述绝缘陶瓷环安装于所述第一密封圈上，其特征在于，还包括升降机构，
2.根据权利要求1所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述升降机构包括升降杆、气动驱动装置和气流导管，所述升降杆与所述第一密封圈底部相接触，所述升降杆与所述气动驱动装置相连接，通过所述气动驱动装置实现所述升降杆的升降，所述气流导管的第一端与所述气动驱动装置相连接，所述气流导管的第二端延伸到所述腔体外部。
3.根据权利要求2所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述升降杆包括直杆部和顶升部，所述凹槽与所述容置腔之间开设有通孔，所述顶升部穿过通孔与所述第一密封圈底部相接触。
4.根据权利要求3所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述顶升部为圆台状，沿着远离所述第一密封圈的方向，所述顶升部的外径逐渐减小。
5.根据权利要求3所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述顶升部穿过通孔与所述第一密封圈底部相接触包括：所述顶升部的顶部与所述凹槽底部相平齐。
6.根据权利要求3所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述升降机构还包括第二密封圈，所述第二密封圈套设于所述直杆部上，所述第二密封圈与所述容置腔内壁密封接触。
7.根据权利要求2所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述气流导管第二端与外部供气装置相连接，所述气流导管上设置有气动阀，通过所述气动阀的开启或关闭实现所述升降杆的上升或下降。
8.根据权利要求2所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述升降杆为热稳定材料制成。
9.根据权利要求1所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述第一密封圈为环形弹性橡胶圈。
10.根据权利要求1-9任一项所述的金属靶材薄膜沉积工艺腔，其特征在于，所述升降机构设置有若干组。
技术总结
本说明书实施例提供一种金属靶材薄膜沉积工艺腔，包括腔体、第一密封圈和绝缘陶瓷环，腔体上开设有凹槽，第一密封圈嵌入凹槽内，绝缘陶瓷环安装于第一密封圈上，还包括升降机构，腔体内开设有用于容置升降机构的容置腔，容置腔与凹槽相连通，升降机构用于推动第一密封圈向靠近绝缘陶瓷环的方向运动，以使得第一密封圈被顶出凹槽内。通过在腔体内开设容置腔，在容置腔内设置升降机构，当需要拆卸陶瓷绝缘环时，升降机构推动第一密封圈向上运动，将第一密封圈和绝缘陶瓷环顶起，以实现消除第一密封圈的粘连，并且在第一密封圈的橡胶韧性保护下刚硬度高韧性差的绝缘环不会直接受力出现有缺口和碎裂的风险。
技术研发人员：何朋,单翌,闫晓晖
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：20231031
技术公布日：2024/9/23