源极随耦器及CMOS图像传感器的制作方法

本发明涉及微电子制造，特别涉及一种源极随耦器及cmos图像传感器。

背景技术：

1、随着cmos图像传感器图像质量的要求不断提高，对高分辨率、小像素图像传感器的需求也不断增加。小尺寸像素图像传感器仍追求高的信噪比(signal to noise ratio，snr)和高读写速度。然而随着像素尺寸的变小，会限制源极跟随器或者说源极随耦器(source-follower，sf)的面积，这将恶化暗时间噪音，同时影响读写速度。

2、具体如图1所示，目前已有的传统4t-8share结构(8个pd，4个mos管)，因为其较窄的sf晶体管宽度将会导致较小的跨导(gm)，影响读写速度，从而影响成像质量。

3、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种源极随耦器及cmos图像传感器，以解决源极随耦器跨导小的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种源极随耦器，包括间隔布置的第一像素单元和第二像素单元，在所述第一像素单元和第二像素单元的邻接处布置有源极随耦器，所述源极随耦器包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一像素单元或第二像素单元与所述邻接处相邻的一侧，所述第二部分位于所述第一像素单元和第二像素单元之间，且所述第一部分和所述第二部分之间通过连接段相连。

3、优选地，所述连接段为弧形。

4、优选地，所述源极随耦器的外侧布置有隔离结构，用于隔离所述第一像素单元和第二像素单元。

5、优选地，所述第一像素单元包括四个第一传输管以及一个第一浮置扩散区，所述第一传输管围绕所述第一浮置扩散区布置。

6、优选地，所述第二像素单元与所述第一像素单元的结构相同。

7、基于相同的技术构思，本公开还提供一种cmos图像传感器，包括间隔布置的第一像素单元和第二像素单元，在所述第一像素单元和第二像素单元的邻接处布置有源极随耦器，所述源极随耦器包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一像素单元或第二像素单元与所述邻接处相邻的一侧，所述第二部分位于所述第一像素单元和第二像素单元之间，且所述第一部分和所述第二部分之间通过连接段相连。

8、优选地，所述连接段为弧形。

9、优选地，所述源极随耦器的外侧布置有隔离结构，用于隔离所述第一像素单元和第二像素单元。

10、优选地，所述第一像素单元包括四个第一传输管以及一个第一浮置扩散区，所述第一传输管围绕所述第一浮置扩散区布置。

11、优选地，所述第二像素单元与所述第一像素单元的结构相同。

12、在本发明提供的源极随耦器中，通过将源极随耦器的第二部分布置在第一像素单元和第二像素单元之间，第一部分则布置在第一像素单元或者第二像素单元的一侧，第一部分和第二部分之间则通过连接段衔接，增大源极随耦器的宽度，进而增大源极随耦器的宽长比，提升gm，增加读写速度，降低暗时间噪音，从而提高小尺寸图像传感器的成像质量。

13、本发明提供的cmos图像传感器与本发明提供的源极随耦器结构属于同一发明构思，因此，本发明提供的cmos图像传感器至少具有本发明提供的源极随耦器的所有优点，在此不再赘述。

技术特征：

1.一种源极随耦器，其特征在于，包括间隔布置的第一像素单元和第二像素单元，在所述第一像素单元和第二像素单元的邻接处布置有源极随耦器，所述源极随耦器包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一像素单元或第二像素单元与所述邻接处相邻的一侧，所述第二部分位于所述第一像素单元和第二像素单元之间，且所述第一部分和所述第二部分之间通过连接段相连。

2.根据权利要求1所述的源极随耦器，其特征在于，所述连接段为弧形。

3.根据权利要求1所述的源极随耦器，其特征在于，所述源极随耦器的外侧布置有隔离结构，用于隔离所述第一像素单元和第二像素单元。

4.根据权利要求1所述的源极随耦器，其特征在于，所述第一像素单元包括四个第一传输管以及一个第一浮置扩散区，所述第一传输管围绕所述第一浮置扩散区布置。

5.根据权利要求4所述的源极随耦器，其特征在于，所述第二像素单元与所述第一像素单元的结构相同。

6.一种cmos图像传感器，其特征在于，包括间隔布置的第一像素单元和第二像素单元，在所述第一像素单元和第二像素单元的邻接处布置有源极随耦器，所述源极随耦器包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一像素单元或第二像素单元与所述邻接处相邻的一侧，所述第二部分位于所述第一像素单元和第二像素单元之间，且所述第一部分和所述第二部分之间通过连接段相连。

7.根据权利要求6所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述连接段为弧形。

8.根据权利要求6所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述源极随耦器的外侧布置有隔离结构，用于隔离所述第一像素单元和第二像素单元。

9.根据权利要求6所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述第一像素单元包括四个第一传输管以及一个第一浮置扩散区，所述第一传输管围绕所述第一浮置扩散区布置。

10.根据权利要求9所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述第二像素单元与所述第一像素单元的结构相同。

技术总结
本发明公开了一种源极随耦器及CMOS图像传感器，属于微电子制造技术领域，该源极随耦器，包括间隔布置的第一像素单元和第二像素单元，在所述第一像素单元和第二像素单元的邻接处布置有源极随耦器，所述源极随耦器包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一像素单元或第二像素单元与所述邻接处相邻的一侧，所述第二部分位于所述第一像素单元和第二像素单元之间，且所述第一部分和所述第二部分之间通过连接段相连。通过将源极随耦器部分延伸至像素单元之间的间隙处，进而增大源极随耦器的宽长比，提升G<subgt;m</subgt;，增加读写速度，降低暗时间噪音，从而提高小尺寸图像传感器的成像质量。

技术研发人员：沈鑫,陈辉,秋沉沉,钱俊,孙昌
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23