集成管芯的制作方法
本技术实施例涉及一种集成电路，且尤其是涉及一种集成管芯。
背景技术：
1、现代集成管芯含有数以百万计的半导体装置。半导体装置藉由形成于装置之上的后段工艺(back-end-of-the-line，beol)金属内连层而进行电性内连。典型的集成管芯包括多个beol金属内连层，所述多个beol金属内连层包括利用金属通孔垂直地耦合在一起的具有不同大小的金属丝。在beol金属内连之上通常包括金属凸块，用于在管芯封装期间进行耦合。集成管芯常常亦包括位于半导体装置之上及beol内连层之间的金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，mim)电容器。
技术实现思路
1、本实用新型提供一种集成管芯，包括：衬底、晶体管装置、多个导电内连、第一凸块下金属(ubm)层、第一金属凸块以及金属-绝缘体-金属(mim)电容器阵列。所述晶体管装置，沿着所述衬底。所述多个导电内连，位于所述晶体管装置之上。所述第一凸块下金属(ubm)层，位于所述导电内连之上。所述第一金属凸块，位于所述第一凸块下金属层的正上方。所述金属-绝缘体-金属(mim)电容器阵列，位于所述晶体管装置之上及所述第一凸块下金属层之下，所述金属-绝缘体-金属电容器阵列包括并联耦合并设置于所述第一凸块下金属层的正下方的第一金属-绝缘体-金属电容器与第二金属-绝缘体-金属电容器。
2、依照本实用新型实施例，一种集成管芯，包括：衬底、晶体管装置、多个导电内连、密封环结构、第一凸块下金属(ubm)层、第一金属凸块以及金属-绝缘体-金属(mim)电容器阵列。所述晶体管装置，沿着所述衬底。所述多个导电内连，位于所述晶体管装置之上。所述密封环结构，在侧向上围绕所述导电内连。所述第一凸块下金属(ubm)层，位于所述导电内连之上并与所述密封环结构相邻，其中所述第一凸块下金属层的侧壁与所述密封环结构在侧向上间隔开第一距离。所述第一金属凸块，位于所述第一凸块下金属层的正上方。所述金属-绝缘体-金属(mim)电容器阵列，位于所述晶体管装置之上及所述第一凸块下金属层之下，所述金属-绝缘体-金属电容器阵列包括第一金属-绝缘体-金属电容器以及与所述第一金属-绝缘体-金属电容器在侧向上间隔开的第二金属-绝缘体-金属电容器，其中所述第一金属-绝缘体-金属电容器与所述第二金属-绝缘体-金属电容器并联耦合，其中所述第一金属-绝缘体-金属电容器的侧壁及所述第二金属-绝缘体-金属电容器的侧壁分别与所述密封环结构在侧向上间隔开第二距离及第三距离，并且其中所述第二距离及所述第三距离小于所述第一距离。
3、为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
技术特征：
1.一种集成管芯，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成管芯，其特征在于，所述第一凸块下金属层位于所述第一金属-绝缘体-金属电容器的侧壁及顶表面的正上方，并且其中所述第一凸块下金属层位于所述第二金属-绝缘体-金属电容器的侧壁及顶表面的正上方。
3.根据权利要求1所述的集成管芯，其特征在于，所述第一凸块下金属层的侧壁位于所述第一金属-绝缘体-金属电容器的顶表面及所述第二金属-绝缘体-金属电容器的顶表面的正上方。
4.根据权利要求1所述的集成管芯，其特征在于，所述金属-绝缘体-金属电容器阵列还包括与所述第一金属-绝缘体-金属电容器及所述第二金属-绝缘体-金属电容器并联耦合的第三金属-绝缘体-金属电容器，其中所述第二金属-绝缘体-金属电容器在第一方向上与所述第一金属-绝缘体-金属电容器在侧向上间隔开，其中所述第三金属-绝缘体-金属电容器在第二方向上与所述第一金属-绝缘体-金属电容器在侧向上间隔开，其中所述第三金属-绝缘体-金属电容器位于所述第一凸块下金属层的正下方。
5.根据权利要求1所述的集成管芯，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的集成管芯，其特征在于，所述第一金属-绝缘体-金属电容器设置于所述衬底之上的第一高度处，并且所述第二金属-绝缘体-金属电容器设置于所述衬底之上的所述第一高度处，其中所述金属-绝缘体-金属阵列还包括第三金属-绝缘体-金属电容器，所述第三金属-绝缘体-金属电容器位于所述凸块下金属层的正下方并且与所述第一金属-绝缘体-金属电容器及所述第二金属-绝缘体-金属电容器并联耦合，其中所述第三金属-绝缘体-金属电容器设置于所述衬底之上的第二高度处，并且其中所述第二高度小于所述第一高度。
7.一种集成管芯，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的集成管芯，其特征在于，所述第一金属-绝缘体-金属电容器及所述第二金属-绝缘体-金属电容器位于所述第一凸块下金属层及所述第一金属凸块的正下方。
9.根据权利要求8所述的集成管芯，其特征在于，所述第一金属-绝缘体-金属电容器的顶表面及所述第二金属-绝缘体-金属电容器的顶表面位于所述第一凸块下金属层的底表面的正下方并且位于所述第一凸块下金属层的侧壁之间。
10.根据权利要求7所述的集成管芯，其特征在于，还包括：
技术总结
本技术提供一种集成管芯包括衬底以及沿着衬底的晶体管装置。多个导电内连位于晶体管装置之上。第一凸块下金属(UBM)层位于导电内连之上。第一金属凸块直接位于第一UBM层的正上方。金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器阵列位于晶体管装置之上及第一UBM层之下。MIM电容器阵列包括并联耦合并直接设置于第一UBM层的正下方的第一MIM电容器与第二MIM电容器。
技术研发人员：金书正,侯贵凯,萧文婷,郑光茗,高荣辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20231204
技术公布日：2024/9/23