一种大型模组化逆变器结构的制作方法
本技术涉及电力电子，更具体地说，涉及一种大型模组化逆变器结构。
背景技术：
1、随着工业技术水平的快速提升和发展，对于兆瓦级大功率逆变器的应用也越来越广泛。变频器功率因环境限制和应用条件要求，目前市面上单机能做到兆瓦级的目前市面上十分少见。功率器件的发热量和散热形式，对于大功率变频器的开发有很大的难度，因使用环境和应用条件的特殊性，大功率逆变器中igbt、电解电容、散热器等主要功率器件的使用数量逐渐增加，产生的发热量也呈现量级地变化。虽然利用水冷散热器可以代替风冷散热器，对实现散热需求的同时，体积上有一定的优势，但现有大功率逆变器基本都是主功率器件等全部都安装在一块散热器上，目前因器件尺寸的限制，导致布局的不合理和对空间利用率低的情况下，大功率逆变器的外形尺寸依旧非常大，加工、安装、运输和维护成本都会相应大大增加，对配套系统的开发工作也十分不利。
2、并且，逆变器实现较大的功率需要多个igbt进行并联，而多个igbt的并联会引起电流不均衡的问题，导致出现逆变器的性能问题。
3、因此，设计出一款结构紧凑、功率密度高、模组化的水冷逆变器，在节约成本的同时，也方便维护工作，十分有必要。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型提出了一种大型模组化逆变器结构，其具体技术方案如下：
2、一种大型模组化逆变器结构，包括并列设置的多个模组，单个所述模组各自对应包括一机箱，所述机箱的内部组成包括水冷散热器以及全部均匀安装于水冷散热器上的igbt元件、电解电容，所述电解电容设置在所述igbt元件上方，所述i gbt元件的正极与所述电解电容的正极通过正极铜排电连接；所述i gbt元件的负极与所述电解电容的负极通过负极铜排电连接；每个所述模组的上部通过各自对应的铜排汇流，并连接至一直流正负汇流母排上；每一所述模组均为单相输出模块。
3、优选地，多个所述模组均挂装固定在背部支架上；多个所述模组的前部由一前部框架整体固定，所述前部框架的上部安装上面盖，下部安装下面盖。
4、优选地，所述机箱为钣金机箱，所述背部支架为背部钣金支架，所述前部框架为前部钣金框架。
5、优选地，所有所述模组的结构框架均保持一致。
6、优选地，单个所述模组的结构框架均为窄式结构框架。
7、优选地，每个所述模组的顶部各安装有一散热风扇。
8、优选地，所述模组的数量为三个，三个所述模组依次输出uvw三相，连接至电机。
9、本实用新型针对现有技术的缺陷或不足，提供了一种大型模组化逆变器结构，其为大功率的模组化的水冷逆变器，具体是将原一体式结构转变成并列式的模组结构，实现了整机体积小、结构紧凑，功率密度高，加工难度低，制造成本低，便于后期维护；同时还有效减少了电解电容与i gbt元件的杂散电感，解决多个i gbt元件并联的不均流问题。
技术特征：
1.一种大型模组化逆变器结构，其特征在于，包括并列设置的多个模组，单个所述模组各自对应包括一机箱，所述机箱的内部组成包括水冷散热器以及全部均匀安装于水冷散热器上的igbt元件、电解电容，所述电解电容设置在所述igbt元件上方，所述igbt元件的正极与所述电解电容的正极通过正极铜排电连接；所述igbt元件的负极与所述电解电容的负极通过负极铜排电连接；每个所述模组的上部通过各自对应的铜排汇流，并连接至一直流正负汇流母排上；每一所述模组均为单相输出模块。
2.根据权利要求1所述的一种大型模组化逆变器结构，其特征在于，多个所述模组均挂装固定在背部支架上；多个所述模组的前部由一前部框架整体固定，所述前部框架的上部安装上面盖，下部安装下面盖。
3.根据权利要求2所述的一种大型模组化逆变器结构，其特征在于，所述机箱为钣金机箱，所述背部支架为背部钣金支架，所述前部框架为前部钣金框架。
4.根据权利要求1所述的一种大型模组化逆变器结构，其特征在于，所有所述模组的结构框架均保持一致。
5.根据权利要求1或4所述的一种大型模组化逆变器结构，其特征在于，单个所述模组的结构框架均为窄式结构框架。
6.根据权利要求1所述的一种大型模组化逆变器结构，其特征在于，每个所述模组的顶部各安装有一散热风扇。
7.根据权利要求1所述的一种大型模组化逆变器结构，其特征在于，所述模组的数量为三个，三个所述模组依次输出uvw三相，连接至电机。
技术总结
本技术涉及电力电子技术领域，公开了一种大型模组化逆变器结构，包括并列设置的多个模组，单个模组各自对应包括一机箱，机箱的内部组成包括水冷散热器以及全部均匀安装于水冷散热器上的I GBT元件、电解电容，电解电容设置在I GBT元件上方，I GBT元件的正极与电解电容的正极通过正极铜排电连接；I GBT元件的负极与电解电容的负极通过负极铜排电连接；每个模组的上部通过各自对应的铜排汇流，并连接至一直流正负汇流母排上；每一模组均为单相输出模块。本技术采用模组化框架，结构紧凑，体积空间占比小，制造难度低，提高了组装工作效率，成本有明显优势；同时，减小了电解电容与I GBT元件之间的杂散电感，降低了电流不均流效果。
技术研发人员：杨成,汪腾蛟,曾国庆,周景
受保护的技术使用者：武汉港迪技术股份有限公司
技术研发日：20231205
技术公布日：2024/9/23