整流电路及接收器电路的制作方法

xiaoxiao5天前  9


本披露是关于一种整流电路及接收器电路,特别是关于一种具有偏压电路的整流电路及接收器电路。


背景技术:

1、射频(radio frequency,rf)能量采集(energy harvesting)的技术十分适合作为一些无线通信的电子装置(例如物联网装置)的供电来源。射频能量采集的技术是经由天线采集空气中的能量,并透过整流电路将空气的信号转换成可供给至电子装置的直流电压。如何增加射频能量采集电路的功率转换效率以有效利用空气中低功率的射频信号是射频能量采集电路设计中的关键部分。


技术实现思路

1、本披露提供一种整流电路,包含第一匹配电路、偏压电路、第一开关及第二开关。第一匹配电路具有第一端及第二端,接收第一输入信号。第二匹配电路,接收第二输入信号。第一输入信号和第二输入信号反相。偏压电路提供第一偏压至第一匹配电路的第二端及提供第二偏压至第二匹配电路的第一端。第一开关耦接第一匹配电路的第一端及整流电路的输出端并响应于第二匹配电路的第一端的第一信号导通,及在第一输入信号的电压值大于第二输入信号的电压值时根据第一输入信号更新输出端的输出信号。第二开关耦接第二匹配电路的第二端及输出端并响应于第一匹配电路的第二端的第二信号导通,及在第二输入信号大于第一输入信号的电压值时根据第二输入信号更新输出信号。

2、本披露提供一种接收器电路,包含天线电路及整流电路。整流电路在整流电路的输出端产生输出信号,并包含第一开关组、第二开关组、偏压电路、第一匹配电路与第二匹配电路。第一开关组具有第一输入端及第二输入端,并顺向整流来自第一开关组的第一输入端的第一信号以更新输出信号。第二开关组具有第三输入端及第四输入端,并顺向整流来自第二开关组的第三输入端的第二信号以更新输出信号。第一信号与第二信号反相。偏压电路提供第一偏压至第一开关组的第二输入端及提供第二偏压至第二开关组的第四输入端。第一匹配电路与该第二匹配电路使天线电路的阻抗与整流电路的阻抗匹配。第一匹配电路具有耦接第一开关组的第一输入端的第一输出端及耦接第二开关组的第四输入端的第二输出端。第二匹配电路具有耦接第二开关组的第三输入端的第三输出端及耦接第一开关组的第二输入端的第四输出端。

3、本披露提供一种整流电路包含:第一电容至第四电容、第一电阻、第二电阻、第一晶体管至第四晶体管。第一电容的第一端与第二电容的第一端耦接整流电路的第一输入端。第三电容的第一端与第四电容的第一端耦接整流电路的第二输入端。第一电阻的第一端耦接第四电容的第二端,第一电阻的第二端接地。第二电阻的第一端耦接第二电容的第二端,第二电阻的第二端接地。第一晶体管的栅极耦接第一电阻的第一端,第一晶体管的第一源/汲极耦接第一电容的第二端,第一晶体管的第二源/汲极耦接整流电路的输出端。第二晶体管的栅极耦接第一电阻的第一端,第二晶体管的第一源/汲极耦接第一电容的第二端,第二晶体管的第二源/汲极接地。第三晶体管的栅极耦接第二电阻的第一端,第三晶体管的第一源/汲极耦接第三电容的第二端,第三晶体管的第二源/汲极耦接输出端。第四晶体管的栅极耦接第二电阻的第一端,第四晶体管的第一源/汲极耦接第三电容的第二端,第四晶体管的第二源/汲极接地。第一电容至该第四电容、第一电阻、第二电阻、第一晶体管至第四晶体管协同操作以对第一输入端及第二输入端接收的差分信号对整流并在输出端输出经整流信号。



技术特征:

1.一种整流电路,包含:

2.如权利要求1所述的整流电路,其中该第一匹配电路包含:

3.如权利要求1所述的整流电路,还包含:

4.一种接收器电路,包含:

5.如权利要求4所述的接收器电路,其中该第一匹配电路用以接收一差分输入信号对中的一第一输入信号,以及该第二匹配电路用以接收该差分输入信号对中的一第二输入信号,

6.如权利要求4所述的接收器电路,其中该偏压电路包含:

7.一种整流电路,包含:

8.如权利要求7所述的整流电路,还包含:

9.如权利要求7所述的整流电路,还包含:

10.如权利要求7所述的整流电路,其中该第一电阻及该第二电阻的电阻值相同,该第一电容及该第三电容的电容量相同,以及该第二电容及该第四电容的电容量相同。


技术总结
本发明关于整流电路及接收器电路。一种整流电路,包含第一匹配电路、第二匹配电路、偏压电路、第一开关及第二开关。第一匹配电路具有第一端及第二端并接收第一输入信号。第二匹配电路接收第二输入信号。偏压电路提供第一偏压至第一匹配电路的第二端及提供第二偏压至第二匹配电路的第一端。第一开关耦接第一匹配电路的第一端及整流电路的输出端并在第一输入信号的电压值大于第二输入信号的电压值时根据第一输入信号更新输出端的输出信号。第二开关耦接第二匹配电路的第二端及输出端并在第二输入信号大于第一输入信号时根据第二输入信号更新输出信号。

技术研发人员:杨宗颖
受保护的技术使用者:瑞昱半导体股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/9/23

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