半导体装置的制作方法

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、作为半导体器件用的材料，有碳化硅。碳化硅与硅比较，具有带隙约3倍、击穿电场强度约10倍、热传导率约3倍这样优异的物性。如果运用该特性，则例如能够实现高耐压、低损耗并且能够高温动作的mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)。

2、使用了碳化硅的mosfet为了提高性能，期望减少作为性能指标之一的导通电阻与输出电荷量之积(ron×qoss)。输出电荷量(qoss)是用于对mosfet的漏极与源极间的电容进行充电的电荷量。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备：碳化硅层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面；第一电极，设于所述碳化硅层的所述第一面一侧；第二电极，设于所述碳化硅层的所述第二面一侧；第一导电型的第一碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中；第二导电型的第二碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中，且设于所述第一碳化硅区域与所述第一面之间；第一导电型的第三碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中，且设于所述第二碳化硅区域与所述第一面之间，与所述第一电极相接；栅极电极，设于所述碳化硅层的所述第一面一侧，与所述第二碳化硅区域对置；以及栅极绝缘层，设于所述栅极电极与所述第二碳化硅区域之间；所述第一碳化硅区域包含：第一区域；多个第二区域，设于所述第一区域与所述第二碳化硅区域之间，与所述第二碳化硅区域相接；以及多个第三区域，设于所述第一区域与所述第二碳化硅区域之间，与所述第二碳化硅区域相接；所述第二区域与所述第三区域沿与所述第一面平行的第一方向交替地设置，所述第二区域的第一导电型杂质浓度比所述第一区域的第一导电型杂质浓度以及所述第三区域的第一导电型杂质浓度高。

2、根据实施方式，可提供能够减少导通电阻与输出电荷量之积的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.一种半导体装置，其特征在于，具备：

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有第一面与第二面的碳化硅层；碳化硅层之中的第一导电型的第一碳化硅区域；第一碳化硅区域与第一面之间的第二导电型的第二碳化硅区域；第二碳化硅区域与第一面之间的第一导电型的第三碳化硅区域；与第二碳化硅区域对置的栅极电极；以及栅极绝缘层。第一碳化硅区域包含第一区域、第一区域与第二碳化硅区域之间的多个第二区域以及第一区域与第二碳化硅区域之间的多个第三区域，第二区域与第三区域沿与第一面平行的第一方向交替地设置，第二区域的第一导电型杂质浓度比第一区域的第一导电型杂质浓度以及第三区域的第一导电型杂质浓度高。

技术研发人员：古川大
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23