盲孔加工方法与流程

本发明涉及一种盲孔加工方法，特别是涉及一种电路板盲孔的加工方法。

背景技术：

1、现有的盲孔加工方法中，一般对盲孔的底面进行微蚀量较低，从而造成盲孔的底面与电镀结构的结合力不足。在盲孔的底面与电镀结构的结合力不足的情况下，盲孔的底面与电镀结构之间容易有裂缝产生。

2、故，如何通过加工流程的改良，来提升盲孔的底面与电镀结构的结合力，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种盲孔加工方法，其能有效改善在执行现有的盲孔加工方法后，由于盲孔的底面与电镀结构的结合力不足，进而造成盲孔的底面与电镀结构之间容易有裂缝产生的问题。

2、为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种盲孔加工方法，其包括：一准备步骤，提供包含至少一盲孔的一电路板；一除胶步骤，使用等离子体气体对所述电路板的所述盲孔进行除胶；一微蚀步骤，以一微蚀药水对所述盲孔的一底面进行微蚀，从而使所述盲孔的所述底面凹陷而形成一凹槽；以及一电镀步骤，以多道电镀程序度对所述盲孔的所述凹槽进行电镀，从而于所述凹槽中形成一电镀结构；其中，所述电镀结构呈柱状，并且所述电镀结构的底面的外形对应于所述盲孔的所述凹槽的外形；其中，任一道所述电镀程序中的电流系数不大于前一道所述电镀程序中的电流系数。

3、优选地，在所述准备步骤中，是以激光方式在所述电路板形成所述盲孔；其中，所述盲孔的所述底面是由铜所构成，并且所述盲孔的侧壁是由非金属材料所构成。

4、优选地，在所述除胶步骤中，所述等离子体气体的流量是介于30公升/分钟至60公升/分钟之间，并且所述等离子体气体的压力是介于0.2百万帕至0.3百万帕之间；其中，所述等离子体气体包含甲烷、氧气及氮气。

5、优选地，在所述微蚀步骤中，所述微蚀药水包含一第一微蚀药水及一第二微蚀药水，所述第一微蚀药水包含过硫酸钠，并且所述第二微蚀药水包含硫酸；其中，在所述微蚀药水中，过硫酸钠的浓度是介于160克/公升至200克/公升之间，并且硫酸的浓度是介于10毫升/公升至30毫升/公升之间。

6、优选地，在所述微蚀步骤中所使用的微蚀槽的温度是介于35℃至40℃度之间，并且所述盲孔的微蚀量是介于50微英寸至70微英寸之间。

7、优选地，所述凹槽定义有一中心位置、所述凹槽与所述盲孔的侧壁交界的一第一位置以及位于所述中心位置及所述第一位置之间的一第二位置；其中，所述凹槽于所述中心位置的深度大于所述凹槽于所述第二位置的深度。

8、优选地，所述凹槽于所述中心位置的深度是不小于0.1密耳，并且所述凹槽于所述第二位置的深度不小于0.08密耳。

9、优选地，在所述电镀步骤中，第一道所述电镀程序的电流系数不大于其他任一道所述电镀程序的电流系数的1/2。

10、优选地，在所述电镀步骤中，总共经历七道所述电镀程序；其中，第一道所述电镀程序的电流系数不大于0.5，并且其他任一道所述电镀程序的电流系数不小于1。

11、优选地，在所述电镀步骤中，是以一电镀药水执行多道所述电镀程序，所述电镀药水中的铜离子浓度是介于220克/公升至240克/公升之间且硫酸浓度是介于30克/公升至45克/公升之间。

12、本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的盲孔加工方法，其能通过“以所述微蚀药水对所述盲孔的所述底面进行微蚀，从而使所述盲孔的所述底面凹陷而形成所述凹槽”以及“以多道电镀程序度对所述盲孔的所述凹槽进行电镀，从而于所述凹槽中形成一电镀结构，并且任一道所述电镀程序中的电流系数不大于前一道所述电镀程序中的电流系数”的技术方案，以有效改善在执行现有的盲孔加工方法后，由于盲孔的底面与电镀结构的结合力不足，进而造成盲孔的底面与电镀结构之间容易有裂缝产生的问题。

13、为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

技术特征：

1.一种盲孔加工方法，其包括：

2.如权利要求1所述的盲孔加工方法，其中，在所述准备步骤中，是以激光方式于所述电路板形成所述盲孔；其中，所述盲孔的所述底面是由铜所构成，并且所述盲孔的侧壁是由非金属材料所构成。

3.如权利要求1所述的盲孔加工方法，其中，在所述除胶步骤中，所述等离子体气体的流量是介于30公升/分钟至60公升/分钟之间，并且所述等离子体气体的压力是介于0.2百万帕至0.3百万帕之间；其中，所述等离子体气体包含甲烷、氧气及氮气。

4.如权利要求1所述的盲孔加工方法，其中，在所述微蚀步骤中，所述微蚀药水包含第一微蚀药水及第二微蚀药水，所述第一微蚀药水包含过硫酸钠，并且所述第二微蚀药水包含硫酸；其中，在所述微蚀药水中，过硫酸钠的浓度是介于160克/公升至200克/公升之间，并且硫酸的浓度是介于10毫升/公升至30毫升/公升之间。

5.如权利要求4所述的盲孔加工方法，其中，在所述微蚀步骤中所使用的微蚀槽的温度是介于35℃至40℃度之间，并且所述盲孔的微蚀量是介于50微英寸至70微英寸之间。

6.如权利要求1所述的盲孔加工方法，其中，所述凹槽定义有中心位置、所述凹槽与所述盲孔的侧壁交界的第一位置以及位于所述中心位置及所述第一位置之间的第二位置；其中，所述凹槽于所述中心位置的深度大于所述凹槽于所述第二位置的深度。

7.如权利要求6所述的盲孔加工方法，其中，所述凹槽于所述中心位置的深度是不小于0.1密耳，并且所述凹槽于所述第二位置的深度不小于0.08密耳。

8.如权利要求1所述的盲孔加工方法，其中，在所述电镀步骤中，第一道所述电镀程序的电流系数不大于其他任一道所述电镀程序的电流系数的1/2。

9.如权利要求8所述的盲孔加工方法，其中，在所述电镀步骤中，总共经历七道所述电镀程序；其中，第一道所述电镀程序的电流系数不大于0.5，并且其他任一道所述电镀程序的电流系数不小于1。

10.如权利要求1所述的盲孔加工方法，其中，在所述电镀步骤中，是以一电镀药水执行多道所述电镀程序，所述电镀药水中的铜离子浓度是介于220克/公升至240克/公升之间且硫酸浓度是介于30克/公升至45克/公升之间。

技术总结
本发明公开一种盲孔加工方法。所述盲孔加工方法包含一准备步骤、一除胶步骤、一微蚀步骤及一电镀步骤。在所述准备步骤中，提供包含至少一盲孔的一电路板。在所述除胶步骤中，使用等离子体气体对所述电路板的所述盲孔进行除胶。在所述微蚀步骤中，以一微蚀药水对所述盲孔的一底面进行微蚀，从而使所述盲孔的所述底面凹陷而形成一凹槽。在所述电镀步骤中，以多道电镀程序度对所述盲孔的所述凹槽进行电镀，从而于所述凹槽中形成一电镀结构。任一道所述电镀程序中的电流系数不大于前一道所述电镀程序中的电流系数。

技术研发人员：张佳豪
受保护的技术使用者：健鼎（湖北）电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23