基板处理装置及基板处理方法与流程

本发明涉及用于处理多个基板的一种装置及方法，更详细地说，涉及基板处理装置及利用该基板处理装置的基板处理方法。

背景技术：

1、通常，为了制造半导体元件、显示元件或者太阳能电池，在包括真空环境的工艺腔室的基板处理装置中执行各种工艺。例如，可进行在工艺腔室内装载基板，在基板上沉积薄膜或者蚀刻薄膜等的工艺。基板被设置在工艺腔室内的基板支撑组件支撑，通过与基板支撑组件相向设置的气体喷射部可向基板喷射工艺气体。

2、在这种基板处理装置中，在使用ald窗口不重叠的异质前驱体时使用一种工艺温度沉积薄膜。在一种工艺温度条件下使用不满足ald窗口的前驱体时，一部分在cvd(化学气相沉积)区域中沉积，因此对于所述前驱体的薄膜厚度分布差。为了均匀分布薄膜厚度，正在适用在ald薄膜沉积工艺中改变加热器设置温度的技术。

3、然而，在工艺中改变加热器设置温度的情况下，因为根据腔室大小的热容量，从改变加热器设置温度到稳定温度需要约1小时的时间，因此存在在进行满足ald窗口的工艺时工艺时间非常长的问题。

技术实现思路

1、要解决的问题

2、本发明是用于解决如上所述的问题包括在内的各种问题的，目的在于提供一种基板处理装置及利用该基板处理装置的基板处理方法，在使用ald窗口不重叠的异质前驱体的情况下，可缩短工艺时间，并且可使薄膜厚度分布均匀。然而，这种课题是示例性的，不得由此限制本发明的范围。

3、解决问题的手段

4、根据用于解决上述技术课题的本发明的一实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，在内部形成反应空间；基板支撑部，具有基座板与多个真空孔、真空线路，并且设置在所述反应空间来支撑多个基板，所述多个真空孔分别形成在所述基座板的上面，所述真空线路通过所述多个真空孔分别与配置在外部的泵连接；气体喷射部，包括多个气体喷射单元，所述多个气体喷射单元与所述基板支撑部相向的同时呈放射状配置，以向所述反应空间喷射工艺气体；及控制部，根据通过所述气体喷射部供应的气体的种类调节所述多个基板的固定力。

5、根据所述基板处理装置，所述控制部为，根据通过所述气体喷射部供应的气体的种类，运行调节所述基座板的真空度的阀门处于开启或者关闭状态来控制所述多个基板的固定力，进而可调节所述多个基板的温度。

6、根据所述基板处理装置，所述控制部为，在通过所述气体喷射部供应第一气体之前可运行调节所述基座板的真空度的阀门处于开启状态。

7、根据所述基板处理装置，所述控制部为，在通过所述气体喷射部供应第二气体之前可运行调节所述基座板的真空度的阀门处于关闭状态。

8、根据所述基板处理装置，所述控制部为，运行所述气体喷射部的气体供应阀门调节向所述工艺腔室内部喷射的气体的量来控制所述多个基板的固定力，进而可调节所述多个基板的温度。

9、根据所述基板处理装置，所述基座板还可包括多个气体供应孔。

10、根据所述基板处理装置，所述控制部为，通过所述多个气体供应孔供应吹扫气体来控制所述多个基板的固定力，进而可调节所述多个基板的温度。

11、根据用于解决上述技术课题的本发明的另一观点的基板处理方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，在内部形成反应空间；基板支撑部，具有基座板与多个真空孔、真空线路，并且设置在所述反应空间来支撑多个基板，所述多个真空孔形成在所述基座板的上面，所述真空线路通过所述多个真空孔分别与配置在外部的泵连接；气体喷射部，包括多个气体喷射单元，所述多个气体喷射单元与所述基板支撑部相向的同时呈放射状配置，以向所述反应空间喷射工艺气体；及控制部，根据通过所述气体喷射部供应的气体的种类调节所述多个基板的固定力。所述基板处理方法包括如下的步骤：将所述多个基板装入所述工艺腔室来放置于所述基板支撑部上；根据向所述反应空间喷射的气体的种类控制所述多个基板的固定力，同时在所述多个基板上形成薄膜。

12、根据所述基板处理方法，在所述薄膜形成步骤中，在通过所述气体喷射部供应第一气体之前供应吹扫气体的同时运行调节所述基座板的真空度的阀门处于开启状态来控制所述多个基板的固定力，进而可调节所述多个基板的温度。

13、根据所述基板处理方法，在所述薄膜形成步骤中，在通过所述气体喷射部供应第二气体之前供应吹扫气体的同时运行调节所述基座板的真空度的阀门处于关闭状态来控制所述多个基板的固定力，进而调节所述多个基板的温度。

14、根据所述基板处理方法，在所述薄膜形成步骤中，在通过所述气体喷射部供应第三气体之前供应吹扫气体的同时运行调节所述基座板的真空度的阀门处于开启或者关闭状态，而且运行所述气体喷射部的气体供应阀门调节向所述工艺腔室内部喷射的气体的量来控制所述多个基板的固定力，进而可调节所述多个基板的温度。

15、根据所述基板处理方法，在所述薄膜形成步骤中，在通过所述气体喷射部供应第三气体之前供应吹扫气体的同时运行调节所述基座板的真空度的阀门处于开启或者关闭状态，而且通过配置在所述基座板的多个气体供应孔供应吹扫气体来控制所述多个基板的固定力，进而可调节所述多个基板的温度。

16、发明的效果

17、根据如上述构成的本发明的一实施例的基板处理装置及利用该基板处理装置的基板处理方法，在使用ald窗口不重叠的异质前驱体的情况下，可缩短工艺时间并且可形成分布厚度均匀的薄膜。当然，不得由这种效果限定本发明的范围。

技术特征：

1.一种基板处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.一种基板处理方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，在内部形成反应空间；基板支撑部，具有基座板与多个真空孔、真空线路，并且分别设置在所述反应空间来支撑多个基板，所述多个真空孔形成在所述基座板的上面，所述真空线路通过所述多个真空孔分别与配置在外部的泵连接；气体喷射部，包括多个气体喷射单元，所述多个气体喷射单元与所述基板支撑部相向的同时呈放射状配置，以向所述反应空间喷射工艺气体；及控制部，根据通过所述气体喷射部供应的气体的种类调节所述多个基板的固定力，

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

11.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

12.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

技术总结
根据本发明的一实施例的基板处理装置，包括：工艺腔室，在内部形成反应空间；基板支撑部，具有基座板与多个真空孔、真空线路，并且分别设置在所述反应空间来支撑多个基板，所述多个真空孔形成在所述基座板的上面，所述真空线路通过所述多个真空孔分别与配置在外部的泵连接；气体喷射部，包括多个气体喷射单元，所述多个气体喷射单元与所述基板支撑部相向的同时呈放射状配置，以向所述反应空间喷射工艺气体；及控制部，根据通过所述气体喷射部供应的气体的种类调节所述多个基板的固定力。

技术研发人员：韩在镇,朴建宇,朴又永,李成焕
受保护的技术使用者：圆益IPS股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23