半导体存储器件的制作方法

本公开涉及一种半导体器件，具体地，涉及一种半导体存储器件。

背景技术：

1、由于半导体器件的尺寸小、功能多和/或成本低的特性，它们是电子工业中的重要元件。半导体器件的类型包括用于存储数据的半导体存储器件、用于处理数据的半导体逻辑器件、以及包括存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体器件。

2、由于对速度快和/或功耗低的电子装置的需求最近在增加，半导体器件需要快的工作速度和/或低的工作电压。为了满足要求，可以提高半导体器件的集成密度。随着半导体器件的集成密度提高，半导体器件的电特性和可靠性特性会劣化。因此，正在进行许多研究以改进半导体器件的电特性和可靠性特性。

技术实现思路

1、一个或更多个实施例提供了一种具有改进的电特性和可靠性特性的半导体存储器件。

2、根据实施例的一个方面，一种半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；以及字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，并且包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

3、根据实施例的一个方面，一种半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；第一栅电极，所述第一栅电极在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉；以及第二栅电极，所述第二栅电极沿着与所述衬底的所述底表面垂直的垂直方向延伸穿过所述第一栅电极。所述第一栅电极设置在所述第二栅电极的侧表面周围，并且所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

4、根据实施例的一个方面，一种半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，所述字线包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极；位线，所述位线设置在所述有源图案上并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；位线接触，所述位线接触位于所述有源图案与所述位线之间；存储节点接触，所述存储节点接触位于所述有源图案上；着陆焊盘，所述着陆焊盘位于所述存储节点接触上；以及数据存储图案，所述数据存储图案位于所述着陆焊盘上。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

技术特征：

1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一栅电极的第一侧表面面向所述第一方向，并且

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述字线包括在所述第一方向上与所述有源图案交叉的一对字线，并且

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述字线是第一字线，

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一栅电极包括多个第一栅电极，

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二栅电极的顶表面位于沿着与所述衬底的所述底表面垂直的垂直方向等于或高于所述第一栅电极的顶表面的水平高度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二栅电极的底表面与所述器件隔离图案接触。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括不同材料，所述第一栅电极和所述第二栅电极的每一者包括ti、tin、tisin、tion、w、wn、mo、mon、mooxny、ta、tan或多晶硅中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二栅电极具有比所述第一栅电极小的电阻率。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体器件还包括位于所述第一栅电极上的第三栅电极，

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第三栅电极从所述第一栅电极的顶表面延伸到位于所述第二栅电极的顶表面上的区域。

12.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第二栅电极包括在所述第一方向上彼此相邻的多个第二栅电极，并且

13.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第二栅电极的顶表面位于沿着与所述衬底的所述底表面垂直的垂直方向等于或高于所述第三栅电极的顶表面的水平高度。

14.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

15.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中，所述第二栅电极通过所述第一栅电极与所述器件隔离图案间隔开。

16.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中，所述第一栅电极的顶表面在与所述第一方向交叉的第二方向上具有第一宽度，

17.根据权利要求14所述的半导体存储器件，所述半导体器件还包括位于所述第一栅电极上的第三栅电极，

18.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中，所述第二栅电极的顶表面位于沿着所述垂直方向等于或高于所述第一栅电极的顶表面的水平高度。

19.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中，所述第一栅电极包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述第一方向上与所述第二栅电极相邻，所述第二区域在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第二栅电极相邻，并且

20.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

技术总结
提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；以及字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，并且包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

技术研发人员：金志勋,金度亨,金莹俊,金泽中,吴然珠,李在珍,张东珠,张书荧
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23